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公开(公告)号：CN102597308A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049046.2
申请日：2010-10-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/30 , C23C16/4412
Abstract: 本发明的CVD成膜装置(1)，其中包括：多个成膜室单元(6)，分别具有与等离子体电源连接的成膜辊(2，2)及收纳该成膜辊(2，2)的成膜用单元室(60)，且各成膜辊(2，2)配置成沿水平方向排成一列；以及连接室单元(7)，具有与成膜室单元(6)的成膜用单元室(60)连结的连接用单元室(70)，且该连接室单元介于邻接的成膜室单元(6)之间并连接成膜室单元(6)彼此。基材(W)以缠挂在各成膜室单元(6)的各成膜辊(2，2)的状态被输送，各成膜室单元(6)各自通过等离子体来分解原料气体，该等离子体是通过向成膜辊(2，2)施加电压而在该成膜辊(2，2)附近生成，在成膜辊(2，2)上对所述基材实施成膜处理。
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公开(公告)号：CN102575349A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045649.5
申请日：2010-10-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32513 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/485
Abstract: 本发明的等离子体CVD装置(1)包括：真空室(3)；一对成膜辊(2、2)，配置在真空室(3)内，与交流电源(8)的两极连接并且基材(W)缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置(5)，向较连结一对成膜辊(2、2)的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域(D)供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置(7)，通过交流电源(8)向各成膜辊(2、2)分别施加交流电源形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，该磁场发生装置(7)将与一对成膜辊(2、2)中位于成膜区域(D)内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体化而形成等离子体区域(P)，基材(W)以通过等离子体区域(P)的方式缠挂在一对成膜辊(2、2)上。
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公开(公告)号：CN101611168A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880004886.X
申请日：2008-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32018 , H01J37/32577 , H01J37/32669 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/3277
Abstract: 一种连续成膜装置，具有：一对成膜辊(2)、(3)，以所卷架的基材(S)对置的方式，平行地对置配置；磁场产生构件(12)、(13)，设置在所述各成膜辊(2)、(3)的内部，以使等离子体收敛于与所述成膜辊之间的对置空间(5)相面对的辊表面附近的方式产生磁场；等离子体电源(14)，其一个电极与另一个电极的极性交替地反转；气体供给管(8)，对所述对置空间(5)供给成膜气体；以及真空排气单元，对所述对置空间进行真空排气。所述等离子体电源(14)的一个电极与一个成膜辊(2)连接，另一个电极与另一个成膜辊(3)连接。
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公开(公告)号：CN104583102B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380044982.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: B65H39/16 , B32B7/06 , B32B17/064 , B32B37/0053 , B32B2315/08 , B65H23/1888 , B65H41/00 , B65H2301/414324 , B65H2511/112 , B65H2801/61 , C23C14/34 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种在抑制玻璃膜的破损的情况下，将玻璃膜和保护片材重叠卷取的玻璃膜输送装置。玻璃膜输送装置（1a）具备：从卷绕有玻璃膜的卷料送出该玻璃膜的放卷部（2），其中，在该玻璃膜上层叠有与该玻璃膜大致相同宽度的长保护片材；输送从放卷部（2）送出并从保护片材分离的玻璃膜的玻璃膜输送部（3）；一边在由玻璃膜输送部（3）输送的玻璃膜上层叠与玻璃膜大致相同宽度的长保护片材，一边卷取成卷状的卷取部（4）；以及搬出从放卷部（2）送出的玻璃膜分离的保护片材，并且，向卷取部（4）搬入保护片材的保护片材输送部（5a）。而且，玻璃膜输送装置（1a）具备调整卷取部（4）的保护片材以及玻璃膜的卷取状态的卷取调整机构。
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公开(公告)号：CN105189810A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480027855.1
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/562 , H01J37/3408 , H01J37/3452
Abstract: 提供一种仅将磁铁单元和靶材替换就能够对应于基材的尺寸变更的成膜装置。本发明的成膜装置（1）是使用与基材（W）的正面对置的蒸发源（2）对被输送的基材（W）的表面进行成膜的装置，蒸发源（2）具有靶材（7）、背板（8）、磁铁单元（9）、阴极体（10）和冷却水流路（12）。冷却水流路（12）是磁铁单元（9）与背板（8）分离而形成的空间，冷却水能够在该空间中流通。作为磁铁单元（9），可以对应于比基材（W）窄幅的窄幅基材而配备短尺寸的尺寸者，作为靶材（7），对应于配备的磁铁单元（9）的宽度而配备短尺寸的尺寸者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103088287B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210415298.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3444 , H01J37/3452
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源，该溅射蒸发源包括：非平衡磁场形成单元，该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在非平衡磁场形成单元的前方，进而，所述成膜装置还具有交流电源，该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流，从而在两靶之间引起放电而进行成膜。
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公开(公告)号：CN104583102A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044982.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: B65H39/16 , B32B7/06 , B32B17/064 , B32B37/0053 , B32B2315/08 , B65H23/1888 , B65H41/00 , B65H2301/414324 , B65H2511/112 , B65H2801/61 , C23C14/34 , C23C14/562 , C03B35/00
Abstract: 本发明提供一种在抑制玻璃膜的破损的情况下，将玻璃膜和保护片材重叠卷取的玻璃膜输送装置。玻璃膜输送装置（1a）具备：从卷绕有玻璃膜的卷料送出该玻璃膜的放卷部（2），其中，在该玻璃膜上层叠有与该玻璃膜大致相同宽度的长保护片材；输送从放卷部（2）送出并从保护片材分离的玻璃膜的玻璃膜输送部（3）；一边在由玻璃膜输送部（3）输送的玻璃膜上层叠与玻璃膜大致相同宽度的长保护片材，一边卷取成卷状的卷取部（4）；以及搬出从放卷部（2）送出的玻璃膜分离的保护片材，并且，向卷取部（4）搬入保护片材的保护片材输送部（5a）。而且，玻璃膜输送装置（1a）具备调整卷取部（4）的保护片材以及玻璃膜的卷取状态的卷取调整机构。
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公开(公告)号：CN103088287A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210415298.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01J37/3405 , H01J37/3444 , H01J37/3452
Abstract: 本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源，该溅射蒸发源包括：非平衡磁场形成单元，该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在非平衡磁场形成单元的前方，进而，所述成膜装置还具有交流电源，该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流，从而在两靶之间引起放电而进行成膜。
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公开(公告)号：CN101688294A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021777.9
申请日：2008-04-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/044 , C23C14/34 , H01J37/3405 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够容易地形成均匀的膜厚的覆膜、并且批量生产率良好的成膜装置。为此，具备具有多个基材保持部(7)的基材保持器(2)、和成膜用蒸发源(3)。成膜用蒸发源(3)包括圆筒状靶(11)，在圆筒状靶(11)的表面上形成有具有与其中心轴平行的方向的两条直线部和将这些直线部的两端彼此连接的弧状部的形状的腐蚀区域，成膜粒子从该腐蚀区域向圆筒状靶(11)的径向外侧蒸发。基材保持器(2)将各基材(W)沿基材保持部(7)的排列方向移动，以使其凹状成膜面(S)分别位于与腐蚀区域相对向的成膜位置。
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公开(公告)号：CN101445928A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810137619.1
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供制造耐热性特别优良的以α型晶体结构主体的氧化铝被膜的方法，其中包括：1)在具有由以Al和Ti为必要金属成分与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜的叠层被膜上，氧化该硬质被膜而形成氧化物含有层，在该氧化物含有层上形成以α型晶体结构为主体的氧化铝被膜的方法；2)在形成由氧化物生成的标准自由能大于铝的金属与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜之后，氧化该硬质被膜的表面而形成氧化物含有层，接着，伴随该氧化物含有层表面的氧化物的还原，同时形成氧化铝被膜。
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