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公开(公告)号：CN117581336A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280044190.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种研磨晶片等的基板的研磨方法和研磨装置。本方法具备如下工序：研磨基板(W)；一边研磨基板(W)，一边生成转矩波形；及从基板(W)研磨前所存储的多个参考转矩波形选择一个参考转矩波形。研磨基板(W)的工序包含阶差研磨工序和平坦研磨工序，阶差研磨工序包含如下工序：基于利用第一关系式算出的参考膜数据的膜厚，决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚；及比较转矩波形与选出的参考转矩波形，判断是否应结束阶差研磨工序；平坦研磨工序包含基于利用第二关系式算出的参考膜数据的膜厚，决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚的工序。
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公开(公告)号：CN102490112B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110416880.7
申请日：2007-10-05
IPC: B24B37/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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公开(公告)号：CN1791490B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200480013400.0
申请日：2004-05-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/12 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
Abstract: 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。
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公开(公告)号：CN101523565A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037289.2
申请日：2007-10-05
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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