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公开(公告)号：CN100436643C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200480004248.X
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜，和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186)；用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160)；和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构，其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222)，以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188)，从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。
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公开(公告)号：CN103060871B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210570167.2
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体（基板）进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液（Q）的电镀槽（10）；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极（26）；保持被电镀体（W），配置在与阳极相对的位置上的保持架（24）；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器（32）；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部（42）的控制部（46）。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN101387004B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810170023.1
申请日：2003-07-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25D21/00 , C25D21/12 , C25D21/10 , H01L21/445
CPC classification number: C25D21/12 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/008
Abstract: 本发明提供电镀方法，将阳极和被镀体浸渍在电镀槽内的镀液中，且将上述阳极和上述被镀体设置成相互面对；在上述阳极和被镀体之间，设置对电镀槽内的电位分布进行调整的调整板；边使用配置在上述被镀体和上述调整板之间的搅拌棒来搅拌在上述电镀槽中保持的镀液，边在上述阳极和上述被镀体之间通电来进行电镀。
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公开(公告)号：CN1732291B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200380107475.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L24/12 , C25D3/60 , C25D5/505 , C25D21/14 , H01L21/2885 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/11462 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01092 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种通过将调整了镀膜中的Ag浓度的Sn-Ag类焊锡合金镀膜进行回流得到的抑制空隙产生的无铅凸点及该凸点的形成方法。本发明的无铅凸点是通过电镀形成Ag含量比Sn-Ag的共晶形成浓度低的Sn-Ag类合金膜，并通过回流该合金镀膜得到的。
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公开(公告)号：CN101812711A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010144713.7
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D17/008 , C23C18/1628 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/10 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，其包括：用于保持镀液的镀槽；和具有搅拌叶片的搅拌机构，所述搅拌叶片浸在镀槽的镀液中并且布置在面对工件的待镀表面的位置，所述搅拌叶片可平行于工件的待镀表面往复运动以搅拌镀液；其中所述搅拌叶片具有相对于工件的待镀表面的一个角度，当所述搅拌叶片的运动方向变化时该角度可变，从而使与待镀表面接触的镀液的流动更加均匀和有效，在待镀表面上形成膜厚一致性更好的镀膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101369533B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810166115.2
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , C25D7/12 , C25D5/08 , C25D21/10
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，其包括：用于保持镀液的镀槽；和具有搅拌叶片的搅拌机构，所述搅拌叶片浸在镀槽的镀液中并且布置在面对工件的待镀表面的位置，所述搅拌叶片可平行于工件的待镀表面往复运动以搅拌镀液；其中所述搅拌叶片在其至少一侧上具有不规则部，所述不规则部包括连续的三角形或矩形锯齿不规则部，从而使与待镀表面接触的镀液的流动更加均匀和有效，在待镀表面上形成膜厚一致性更好的镀膜。
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公开(公告)号：CN1751382A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004248.X
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , C25D7/12 , C23C18/54 , C25D5/02 , C25D5/08
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜，和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186)；用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160)；和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构，其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222)，以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188)，从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。
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公开(公告)号：CN1732291A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107475.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L24/12 , C25D3/60 , C25D5/505 , C25D21/14 , H01L21/2885 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/11462 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01092 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种通过将调整了镀膜中的Ag浓度的Sn－Ag类焊锡合金镀膜进行回流得到的抑制空隙产生的无铅凸点及该凸点的形成方法。本发明的无铅凸点是通过电镀形成Ag含量比Sn－Ag的共晶形成浓度低的Sn－Ag类合金膜，并通过回流该合金镀膜得到的。
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公开(公告)号：CN107604426A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710733595.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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公开(公告)号：CN105420778A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510813398.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D21/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C25D7/12 , C25D17/08
Abstract: 本发明在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀时，即使在高电流密度条件下也能使形成顶端形状平坦的凸点或者形成面内具有良好的均匀性的金属膜成为可能。具有：保持电镀液(Q)的电镀槽(10)；浸渍到电镀槽内的电镀液中配置的阳极(26)；保持被电镀体(W)，配置在与阳极相对的位置上的保持架(24)；配置在阳极与被保持架保持的被电镀体之间，与该被电镀体平行地往复移动，搅拌电镀液的搅拌器(32)；以及控制驱动搅拌器的搅拌器驱动部(42)的控制部(46)。控制部控制搅拌器驱动部，使得搅拌器移动速度绝对值的平均值为70～100cm/sec。
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