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公开(公告)号：CN107546151A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710474178.3
申请日：2017-06-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/18 , B05B3/02 , B05D1/005 , B23K26/083 , B23K26/0869 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K37/0235 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/02041 , H01L21/02334 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 提供保护膜包覆装置和保护膜包覆方法，无论被加工物的状态如何都能够适当地形成保护膜。保护膜包覆装置包含：保护膜形成兼清洗部(50)，其在晶片(W)的正面上包覆保护膜，并对该保护膜进行清洗；包覆状态检测部(70)，其对包覆在晶片(W)的正面上的保护膜的包覆状态进行检测；以及控制部(90)，其对这些部件进行控制。控制部(90)根据来自包覆状态检测部的检测信号对保护膜的膜厚是否在规定的范围内进行判定，在判定为膜厚不在规定的范围内的情况下，使保护膜形成兼清洗部(50)进行动作而对包覆在晶片的正面上的保护膜进行清洗，并对正面实施根据膜厚而选择的预处理，然后再次使保护膜形成兼清洗部进行动作而在晶片的正面上包覆保护膜。
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公开(公告)号：CN111454635B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010035445.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/302 , B23K26/18 , C09D139/08 , C09D5/32 , C09D7/63 , C09D5/20
Abstract: 提供激光切割用保护膜剂及其制造方法和被加工物的加工方法。包含紫外线吸收剂的保护膜剂在长时间保管时，紫外线吸收剂的紫外线的吸收特性、发光特性等功能会随着时间的经过而降低。例如存在在曝光条件下、高温条件下或碱性条件下，紫外线吸收剂的功能在比较短的期间内降低的问题。因此，本发明的目的在于提供激光切割用保护膜剂，与以往的保护膜剂相比，包含紫外线吸收剂的保护膜剂的功能不容易随着时间经过而降低。根据本发明的一个方式，提供激光切割用保护膜剂，其由至少混合水溶性树脂、有机溶剂以及紫外线吸收剂而得的溶液构成，溶液的Na的含量以重量比计为100ppb以下。
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公开(公告)号：CN107525789A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710455473.4
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6456 , G01N21/645 , G01N21/9501 , G01N2021/6471 , G01N2021/8427 , G01N21/64
Abstract: 提供荧光检测装置，能够实现降低保护膜发出的荧光的损失，高精度地检测保护膜的包覆状态。其具有：激发光照射部(75)，其对保护膜(P)照射具有吸收剂所吸收的波长的激发光(α)；光电倍增管(73)，其对吸收剂因被照射激发光(α)而发出的荧光(β)进行接收；荧光透过滤波器(74)，其将吸收剂所发出的荧光(β)以外的波长的光去除；和反射镜(76)，其具有将来自保护膜(P)的荧光(β)反射而导入到光电倍增管的反射面(76a)，该反射面由旋转椭圆体的曲面的一部分构成，旋转椭圆体的第1焦点(F1)位于保护膜的被照射激发光的部分，第2焦点(F2)位于光电倍增管的光检测元件(73b)。
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公开(公告)号：CN107068581A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611159546.7
申请日：2016-12-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66 , H01L21/683
CPC classification number: G01N21/64 , C23C16/52 , G01B11/0658 , G01N21/645 , G01N21/8422 , G01N2021/6495 , G01N2021/8427 , G03F7/70608 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L21/6836 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 提供保护膜检测方法，简单地对形成在工件正面上的保护膜的覆盖状态进行高精度地检测。对形成在工件的正面上的保护膜的覆盖状态进行检测的保护膜检测方法包含如下步骤：荧光强度测量步骤，在多个工件的正面上分别形成厚度不同的多个测量用保护膜，对各个测量用保护膜照射由吸收剂吸收的光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度进行测量；以及阈值确定步骤，根据荧光强度来求出与希望的厚度的保护膜对应的荧光强度的阈值。在对形成在工件的正面上的保护膜是否形成为希望的厚度进行判定时，对形成在工件的正面上的保护膜照射光而通过光的吸收对吸收剂所发出的荧光的强度和所述阈值进行比较，从而对保护膜是否形成为希望的厚度进行判定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118530493A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410163367.9
申请日：2024-02-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C08J7/046 , C08L101/00 , C09D129/04 , C09D131/04 , C09D139/06
Abstract: 本发明涉及保护膜、保护膜剂以及被加工物的加工方法，通过提高保护膜与被加工物的表面之间的密合性而提高将被加工物通过等离子体蚀刻进行分割时的加工品质。本发明提供：一种保护膜，其是设置于被加工物的一面的保护膜，其硬度为0.0093GPa以上0.13GPa以下。还提供：一种保护膜剂，其具备水溶性树脂、吸光剂、增塑剂、以及溶解水溶性树脂、吸光剂和增塑剂的溶剂，增塑剂的质量相对于水溶性树脂的质量的比例为15％以上53％以下，并且制成保护膜时的硬度为0.0093GPa以上0.13GPa以下。
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公开(公告)号：CN115785742A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211069904.0
申请日：2022-09-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C09D101/28 , C09D129/04 , C09D139/06 , C09D5/32 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供保护膜剂和被加工物的加工方法，该保护膜剂能够形成适于利用激光束进行加工的保护膜。该保护膜剂在加工被加工物时被覆于被加工物，该保护膜剂包含：水溶性的树脂；具有黄酮结构、黄酮醇结构或异黄酮结构的光吸收剂；以及溶解树脂和光吸收剂的溶剂。
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公开(公告)号：CN115466547A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210464582.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C09D129/04 , C09D139/06 , C09D201/00 , C09D5/32 , B23K26/00 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供激光加工用保护膜剂和被加工物的加工方法，该激光加工用保护膜剂能够在使用波长532nm的激光束进行加工的被加工物的被加工面形成适当的保护膜。激光加工用保护膜剂是由包含水溶性树脂、有机溶剂以及光吸收剂的溶液形成的激光加工用保护膜剂，该溶液在波长532nm的吸光度(换算成200倍稀释溶液后的吸光度)相对于每1cm光路长度为0.05以上；或者激光加工用保护膜剂由包含水溶性树脂、有机溶剂以及多羟基蒽醌衍生物的溶液形成。
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公开(公告)号：CN107546151B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201710474178.3
申请日：2017-06-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供保护膜包覆装置和保护膜包覆方法，无论被加工物的状态如何都能够适当地形成保护膜。保护膜包覆装置包含：保护膜形成兼清洗部(50)，其在晶片(W)的正面上包覆保护膜，并对该保护膜进行清洗；包覆状态检测部(70)，其对包覆在晶片(W)的正面上的保护膜的包覆状态进行检测；以及控制部(90)，其对这些部件进行控制。控制部(90)根据来自包覆状态检测部的检测信号对保护膜的膜厚是否在规定的范围内进行判定，在判定为膜厚不在规定的范围内的情况下，使保护膜形成兼清洗部(50)进行动作而对包覆在晶片的正面上的保护膜进行清洗，并对正面实施根据膜厚而选择的预处理，然后再次使保护膜形成兼清洗部进行动作而在晶片的正面上包覆保护膜。
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公开(公告)号：CN106847747B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610997489.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的分割方法，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长并使碎屑不与器件的配线层接触。对晶片(W)进行分割，该晶片在上表面(W2a)具有含有Cu的配线层(W2)，并且在由分割预定线(S)划分出的区域内形成有器件(D)，该晶片的分割方法具有如下工序：激光加工槽形成工序，从配线层侧(W2)照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线将配线层去除并形成加工槽(M)；切削工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，使宽度比加工槽(M)的最外侧宽度Mw(Max)窄的切削刀具(60)沿着加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及干蚀刻工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，至少对加工槽(M)进行干蚀刻。
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