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公开(公告)号：CN114589421A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011414819.4
申请日：2020-12-07
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供SiC锭的加工方法和激光加工装置，该SiC锭的加工方法能够在任意的高度在SiC锭中形成适当的剥离带。SiC锭的加工方法包含如下的工序：剥离带形成工序，将对于SiC锭具有透过性的波长的加工用激光光线的聚光点定位于与要生成的晶片的厚度对应的深度而对SiC锭照射该加工用激光光线，形成由裂纹构成的带状的剥离带；反射光检测工序，向剥离带照射对于SiC锭具有透过性并且在剥离带的裂纹处发生反射的波长的检查用激光光线，检测在裂纹处发生了反射的反射光的强度；以及加工用激光光线输出调整工序，按照使通过反射光检测工序而检测的反射光的强度处于规定的范围内的方式调整加工用激光光线的输出。
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公开(公告)号：CN104979435A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510162332.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的加工方法，其无需将外延基板的背面加工成镜面。一种光器件晶片的加工方法，其是夹着缓冲层在外延基板的表面层叠有光器件层的光器件晶片的加工方法，所述加工方法包括：移设基板接合工序，借助接合材料在光器件晶片的光器件层的表面接合移设基板；缓冲层破坏工序，从光器件晶片的外延基板的背面侧对缓冲层照射外延基板对其有透过性且缓冲层对其有吸收性的波长的脉冲激光光线，对缓冲层进行破坏；光器件层移设工序，实施上述缓冲层破坏工序后，将外延基板从光器件层剥离，从而将光器件层移设至移设基板。实施该缓冲层破坏工序前，实施树脂覆盖工序，在外延基板的背面覆盖透过激光光线的树脂，进行平坦化。
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公开(公告)号：CN104821347A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410827816.1
申请日：2014-12-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , G01N21/88 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/3013
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，能够在不降低光器件的品质的情况下可靠地剥离外延基板。使用剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层层叠了光器件层的光器件晶片的光器件层转移至移设基板，具有：复合基板形成工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合剂接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从复合基板的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板照射具有透过性且对缓冲层具有吸收性的波长的激光光线，来破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，剥离被实施了缓冲层破坏工序的复合基板的外延基板，将光器件层移设至移设基板，在缓冲层破坏工序中，对复合基板进行加热，缓和产生于外延基板和移设基板上的回弹，向缓冲层照射激光光线。
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公开(公告)号：CN104795345A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510031095.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B32B43/006 , B32B38/10 , B32B2457/14 , Y10T156/1137 , Y10T156/1184 , Y10T156/1906 , Y10T156/1939 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1972
Abstract: 本发明提供分离装置，其能够将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板。分离装置具备：支承基座，其具备以水平状态支承复合基板的支承面；侧面支承构件，其配设于该支承基座以支承复合基板的外周侧面；剥离构件，其插入第1基板和第2基板的边界部而将它们板剥离，剥离构件包括：剥离部件，其以与支承面平行的状态配设于面对侧面支承构件的位置，具备用于插入边界部的楔部，并具有在楔部的末端开口的气体喷出孔；气体供给构件，其向气体喷出孔供给气体；剥离部件定位构件，其使剥离部件沿与支承基座的支承面垂直的方向移动，将楔部定位于边界部；和剥离部件进退构件，其使楔部相对于边界部前进或后退。
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公开(公告)号：CN104795345B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510031095.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供分离装置，其能够将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板。分离装置具备：支承基座，其具备以水平状态支承复合基板的支承面；侧面支承构件，其配设于该支承基座以支承复合基板的外周侧面；剥离构件，其插入第1基板和第2基板的边界部而将它们板剥离，剥离构件包括：剥离部件，其以与支承面平行的状态配设于面对侧面支承构件的位置，具备用于插入边界部的楔部，并具有在楔部的末端开口的气体喷出孔；气体供给构件，其向气体喷出孔供给气体；剥离部件定位构件，其使剥离部件沿与支承基座的支承面垂直的方向移动，将楔部定位于边界部；和剥离部件进退构件，其使楔部相对于边界部前进或后退。
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公开(公告)号：CN118530493A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410163367.9
申请日：2024-02-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C08J7/046 , C08L101/00 , C09D129/04 , C09D131/04 , C09D139/06
Abstract: 本发明涉及保护膜、保护膜剂以及被加工物的加工方法，通过提高保护膜与被加工物的表面之间的密合性而提高将被加工物通过等离子体蚀刻进行分割时的加工品质。本发明提供：一种保护膜，其是设置于被加工物的一面的保护膜，其硬度为0.0093GPa以上0.13GPa以下。还提供：一种保护膜剂，其具备水溶性树脂、吸光剂、增塑剂、以及溶解水溶性树脂、吸光剂和增塑剂的溶剂，增塑剂的质量相对于水溶性树脂的质量的比例为15％以上53％以下，并且制成保护膜时的硬度为0.0093GPa以上0.13GPa以下。
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公开(公告)号：CN114055645A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110855793.5
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: [课题]本发明提供一种能够高效地由Si晶锭制造Si基板的Si基板制造方法。Si基板制造方法包括下述工序：剥离带形成工序，将对Si具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距Si晶锭的平坦面相当于应制造的Si基板的厚度的深度，一边使聚光点与Si晶锭在平行于晶面{100}与晶面{111}相交的交叉线的方向 上或正交于交叉线的方向[110]上相对移动，一边对Si晶锭照射激光光线，形成剥离带；以及分度进给工序，使聚光点与Si晶锭在与形成了剥离带的方向正交的方向上相对地进行分度进给。
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公开(公告)号：CN109537056A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811037236.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 株式会社迪思科 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明提供一种容易将III-V族化合物晶体从基板分离(剥离)的III-V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法。本发明的III-V族化合物晶体的制造方法包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板(11)上形成有III-V族化合物晶种(12a)的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将III-V族化合物晶种(12a)的与基板(11)接触的部分的一部分从基板(11)分离；以及晶体生长工序，在上述晶种一部分分离工序后，以III-V族化合物晶种(12a)作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III-V族化合物晶体(12)并使其生长。
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