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公开(公告)号:CN111819698A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201980014726.1
申请日:2019-02-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明提供即使具有特定区域也容易取出输出的太阳能电池。太阳能电池(1)是具备半导体基板(11)、第一及第二导电型半导体层、第一及第二电极层(27)、(37)的背面电极型的太阳能电池,在一方主面中,具有不包含第一及第二导电型半导体层的多个第一特定区域(60),具有将一方主面划分为多个区域的多个划分区域(50),以便分别包围多个第一特定区域(60),在多个划分区域(50)的每一个中,第一及第二电极层(27)、(37)分别具有带状的多个分支电极层(27f)、(37f)和供这些分支电极层的一端连接的主干电极层(27b)、(37b),第一或者第二电极层的多个分支电极层(27f)、(37f)的一部分包围第一特定区域(60)的外缘的至少一部分,第一及第二电极层的主干电极层(27b)、(37b)具有包围划分区域(50)的框电极层(40)。
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公开(公告)号:CN107408632B
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201680017148.3
申请日:2016-01-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0747
Abstract: 光电转换装置(100)从光入射侧具备第一光电转换单元(1)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元(1)的光吸收层含有通式R1NH3M1X3或HC(NH2)2M1X3表示的钙钛矿型晶体结构的感光性材料。第二光电转换单元(2)的光吸收层的带隙比第一光电转换单元的光吸收层的带隙窄。在第一光电转换单元(1)与第二光电转换单元(2)之间,从光入射侧依次设有反射防止层(3)和透明导电层(4)。反射防止层(3)与透明导电层(4)相接,反射防止层(3)的折射率比透明导电层(4)的折射率低。
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公开(公告)号:CN106463561B
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201580022564.8
申请日:2015-04-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)及图案集电极(11),在第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。
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公开(公告)号:CN106463561A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580022564.8
申请日:2015-04-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/03529 , H01L31/0504 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。(4)及图案集电极(11),在第二主面(52)上具备
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公开(公告)号:CN111742418B
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN201980014774.0
申请日:2019-02-19
Applicant: 株式会社钟化
Inventor: 宇津恒
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种即使特定区域输出导出也容易的太阳能电池。太阳能电池(1)是具备以下部件的背面电极型的太阳能电池:半导体基板(11);配置于半导体基板(11)的两主面中一侧主面侧的第1导电型半导体层及第2导电型半导体层;以及与第1导电型半导体层对应的第1电极层(27)及与第2导电型半导体层的第2电极层(37),在一侧主面具有不包含第1导电型半导体层和第2导电型半导体层的特定区域(60),第1电极层(27)和第2电极层(37)分别具有:带状的多个分支电极层(27f、37f);以及使多个分支电极层(27f、37f)的一端连接起来的主干电极层(27b、37b),第1电极层(27)的主干电极层(27b)具有:包围特定区域(60)外缘的包围状主干电极层(27be);以及从包围状主干电极层(27be)起延伸的带状主干电极层(27bb)。
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公开(公告)号:CN113614938A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202080022310.7
申请日:2020-03-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0725 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种能够实现各种3端子型串联型太阳能电池单元的模块化的太阳能电池模块。太阳能电池模块(100)具备包括太阳能电池单元(1)的电池组(3),且太阳能电池单元(1)包括光电转换部(B、T),并包括用于光电转换部(B)的第一端子及第二端子(b、e)和用于光电转换部(T)的第一端子及第三端子(b、f),电池组(3)的N个光电转换部(B)串联地连接,在第一个电池组(3)的一端侧的第一端子(b)具有基准电位的情况下,第m个电池组(3)的另一端侧的第二端子(e)与另外的电池组(3)的一端侧的第一端子(b)连接,第m个电池组(3)的N个第三端子(f)分别与第m+1个电池组(3)的N个第一端子(b)连接,相互连接的第m个电池组(3)的另一端侧的第二端子(e)与另外的电池组(3)的一端侧的第一端子(b)的电位差为第m个电池组(3)的第二端子(e)与第一端子(b)的电位差的10%以下。
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公开(公告)号:CN111095573A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201880059014.7
申请日:2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种抑制由碱成分所引起的性能降低的太阳能电池。太阳能电池(1)为背面电极型的太阳能电池,其具备:半导体基板(11);依次层叠于半导体基板(11)的背面侧的一部分的p型半导体层(25)和与其对应的第一电极层(27);以及依次层叠于半导体基板(11)的背面侧的另一部分的n型半导体层(35)和与其对应的第二电极层(37),n型半导体层(35)的一部分直接重叠于邻接的p型半导体层(25)的一部分之上,第一电极层(27)与n型半导体层(35)偏离,包覆p型半导体层(25),第二电极层(37)包覆与p型半导体层(25)重叠的n型半导体层(35)的重叠部分(R1)的整体。
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公开(公告)号:CN108541348A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201780005936.5
申请日:2017-04-10
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/05 , H01L31/054
Abstract: 带状的配线材料(80)在第一主面的与太阳能电池连接的部分具有多个截面三角形状的凸部(85)。多个凸部平行地延伸,其延伸方向与配线材料的长边方向非平行。通过将多个在受光面和背面设置有金属电极的太阳能电池介由配线材料进行电连接,得到太阳能电池模块。使用配线材料(80)将多个太阳能电池进行电连接时,优选将配线材料的凸部形成面与太阳能电池的受光面金属电极或背面金属电极介由导电性膜粘接。
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公开(公告)号:CN103999242A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201380004306.8
申请日:2013-09-30
Applicant: 株式会社钟化
Inventor: 宇津恒 , 寺下彻 , 足立大辅 , 吉见雅士 , 何塞·路易斯埃尔南德斯
IPC: H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/0463 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明中,提供转换效率高、光入射面被精密加工的晶体硅太阳能电池的制造方法。该制造方法包括形成第一透明电极层(6)的第一透明电极层形成工序、和在第二主面侧的面的几乎整面形成以铜为主成分的背面电极层(11)的背面电极层形成工序,在上述第一透明电极层形成工序和背面电极层形成工序后,进行为了除去第一主面侧的至少第一透明电极层(6)、与第二主面侧的至少第二透明电极层(10)和背面电极层(11)的短路而形成绝缘区域(30)的绝缘处理工序,绝缘处理工序具有遍及第一主面外周部的整个外周从第一主面侧对距一导电型单晶硅基板(2)的外周部侧面3mm以内的位置照射激光的工序。
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