中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

23 records (took 0.031 seconds)

    晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法
    2.
    发明授权
    晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108352417B

    公开(公告)日：2021-09-14

    申请号：CN201680064015.1

    申请日：2016-11-04

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 足立大辅 ,  寺下彻 ,  宇都俊彦

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/288 ,  H01L31/0747

    Abstract: 太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)和图案集电极(11)，在n型晶体硅基板的第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)和镀覆金属电极(21)。在n型晶体硅基板的第一主面的周缘上设有除去了第一透明电极层与第二透明电极层的短路的绝缘区域(41)。本发明的制造方法中，在第一本征硅系薄膜形成后，形成第二本征硅系薄膜。镀覆金属电极以在n型晶体硅基板的第一主面的周缘上设有绝缘区域的状态通过电镀法而形成。图案集电极的厚度d1大于镀覆金属电极的膜厚d2。

    晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法
    3.
    发明授权
    晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN107078179B

    公开(公告)日：2019-04-26

    申请号：CN201580053243.4

    申请日：2015-09-30

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 宇都俊彦 ,  足立大辅

    IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/0236

    Abstract: 本发明的制造方法依次具有如下工序：在单晶硅基板(1)的表面上形成纹理的工序；利用臭氧清洗单晶硅基板的表面的工序；在单晶硅基板的纹理上制膜本征硅层(2)的工序；在本征硅层上制膜导电型硅层(3)的工序。制膜本征硅层前的单晶硅基板(1)的纹理大小低于5μm。优选纹理凹部的曲率半径低于5nm。制膜本征硅层的至少一部分之后、制膜导电型硅层之前，在以氢气为主成分的气体氛围中，对本征硅层进行等离子体处理。

    球囊导管
    5.
    发明公开
    球囊导管 有权

    公开(公告)号：CN115243752A

    公开(公告)日：2022-10-25

    申请号：CN202180017785.1

    申请日：2021-02-24

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 宇都俊彦 ,  大角真太郎 ,  高田弘规

    IPC: A61M25/10 ,  A61N5/067

    Abstract: 本发明的球囊导管(1)的特征在于，其具有：第一轴(10)，具备第一腔室(11)和第二腔室(12)；第二轴(20)，配置于第一轴(10)的远位侧；球囊(30)，配置于第二轴(20)的远位侧；以及光纤(40)，配置于球囊(30)的内侧，构成第一轴(10)的材料为树脂，在与长度方向垂直的截面中，形成第一轴(10)的树脂的截面积大于第一腔室(11)与第二腔室(12)中的截面积较大的任意一方的截面积，光纤(40)与第一腔室(11)的远位端(11d)接合，球囊(30)的近位端(30p)与第二轴(20)接合，球囊(30)的远位端(30d)与光纤(40)接合。

    光电转换装置的制造方法
    6.
    发明授权
    光电转换装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108475707B

    公开(公告)日：2021-09-07

    申请号：CN201680075001.X

    申请日：2016-12-06

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 宇都俊彦 ,  吉见雅士

    IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

    Abstract: 在导电型单晶硅基板(1)上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板上形成本征硅系薄膜后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行使本征硅系薄膜的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理。等离子体处理时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍。

    光电转换装置的制造方法
    7.
    发明授权
    光电转换装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108431967B

    公开(公告)日：2021-08-31

    申请号：CN201680075334.2

    申请日：2016-12-06

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 宇都俊彦 ,  足立大辅

    IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

    Abstract: 在晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板(1)上形成第一本征薄膜(121)后进行氢等离子体蚀刻。在氢等离子体蚀刻后的第一本征薄膜(121)上形成第二本征薄膜(122)，在其上形成导电型硅系薄膜(15)。第二本征薄膜(122)是一边向CVD腔室内导入含硅气体和氢一边通过等离子体CVD而形成的。第二本征薄膜(122)形成时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的50～500倍。

    晶体硅系太阳能电池、晶体硅系太阳能电池模块及它们的制造方法
    8.
    发明授权
    晶体硅系太阳能电池、晶体硅系太阳能电池模块及它们的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106463561B

    公开(公告)日：2019-02-05

    申请号：CN201580022564.8

    申请日：2015-04-09

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 宇都俊彦 ,  足立大辅 ,  宇津恒

    IPC: H01L31/0747

    Abstract: 本发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)及图案集电极(11)，在第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。

    光电转换装置的制造方法
    10.
    发明公开
    光电转换装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103119727A

    公开(公告)日：2013-05-22

    申请号：CN201180045445.6

    申请日：2011-08-31

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 吉见雅士 ,  市川满 ,  宇都俊彦 ,  山本宪治

    IPC: H01L31/04

    CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。

Patent Agency Ranking