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公开(公告)号：CN119804380A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510005898.X
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , B32B9/04 , B32B27/28 , B32B3/08
Abstract: 本发明公开了一种基底叠加聚酰亚胺的太赫兹超材料传感器，包括高阻硅基底、叠加在高阻硅基底之上的聚酰亚胺和固定于聚酰亚胺表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个圆环金属结构和一个方形开口环金属结构。圆环金属结构的中心与阵列单元的中心重合，包围方形开口环金属结构且无连接；方形开口环金属结构的垂直平分线与圆环金属结构的重合，且处于圆环金属结构的环内，开口位于方形开口环金属结构的上臂，且位于上臂的中心。通过在高阻硅基底之上引入一层聚酰亚胺，使本发明的传感器具有更高的谐振强度、灵敏度和品质因素，而且制作工艺成熟，特别适合作为痕量生物分子的高灵敏度传感。
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公开(公告)号：CN115663428A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211388757.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种电控转换的太赫兹单频‑双频‑三频带通滤波器，由高阻硅层、聚酰亚胺层、共地电极和频率控制结构组成。聚酰亚胺层和高阻硅层相叠置，且聚酰亚胺层的下表面与高阻硅层的上表面相贴；频率控制结构叠置于聚酰亚胺层的上表面，共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构的2个电极贴片分别经由1个开关与直流稳压电源的正极连接，共地电极直接与直流稳压电源的负极连接。与现有技术相比，本发明可实现多频率的滤波，适用于不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN109188730A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811178507.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提出一种宽带太赫兹调制系统，包括第一激光发射器、第二激光发射器、太赫兹波发射器和调制器，第一激光发射器发出第一激光束照射到调制器的一面并形成第一光斑；第二激光发射器发出第二激光束照射到调制器的另一面并形成第二光斑；太赫兹波发射器发出太赫兹波入射到调制器的其中一面并形成第三光斑；第三光斑与所述第一光斑或第二光斑至少部分重叠。本发明用两束激光分别照射样片两个表面，光热效应使相变材料二氧化钒由绝缘态向金属态转变，从而实现对太赫兹波透射强度的大深度调制。本发明能在较低的光功率下可实现宽频、大深度和快速调制，该方法制作的太赫兹调制器在未来快速全光控制的太赫兹通信中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN119596573A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411930017.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种电控太赫兹双频相位调制器，包括蓝宝石基底和位于蓝宝石基底表面的超表面结构谐振阵列。每个谐振单元包括一个T形金属谐振器、一个倒T形金属谐振器及一个方形开口环谐振器。中间电控相变贴片镶嵌于T形谐振器和倒T形金属谐振器的间隙处，右侧电控相变贴片镶嵌于开口环谐振器开口处。超表面结构谐振阵列两侧各固定一电极，分别与直流电源的正、负极相连。本发明提供的相位调制器可以通过加电实现双频段、大带宽、100度以上的相位调制，可调最大相位超过140度。这种太赫兹双频相位调制器，在太赫兹相控阵雷达、太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN111162354B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010049203.5
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本发明电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117374537A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311591884.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种电热控的太赫兹单峰‑双峰‑宽带的偏振转换滤波器，通过两个直流电源分别对第一偏振控制结构层和第二偏振控制结构层的金属贴片施加电压，产生电致焦耳热来触发热致相变贴片的相变，使其从绝缘态转变为金属态；同时在第一绝缘层和第二绝缘层中间加入纳米隔热层，使得第一偏振控制结构层和第二偏振控制结构层的可重构超表面单独调控，从而实现对太赫兹波的三种工作状态(单峰‑双峰‑宽带的偏振转换透射)的动态调控切换。实验表明，本发明在单峰和双峰的透射率能达到50％以上，宽带透射率能达到40％以上，适用于太赫兹偏振复用通信等领域。
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公开(公告)号：CN116722366A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310569225.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种宽频带电控转换的太赫兹超表面或非门逻辑编码器由高阻硅层、聚酰亚胺层、共地电极和频率控制结构组成；聚酰亚胺层和高阻硅层相叠置，且聚酰亚胺层的下表面与高阻硅层的上表面相贴；频率控制结构叠置于聚酰亚胺层的上表面，共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构的2个电极贴片分别经由1个开关与直流稳压电源的正极连接，共地电极直接与直流稳压电源的负极连接。本发明利用对石墨烯施加电压改变其电导率的特性，实现在特定频带下透射率的调控，可实现通过输入两个数字逻辑电信号达到宽频带输出一个或非门数字逻辑太赫兹信号的效果，具有制作简单，成本低，且性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN220672857U
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202321220818.5
申请日：2023-05-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种宽频带电控转换的太赫兹超表面或非门逻辑编码器由高阻硅层、聚酰亚胺层、共地电极和频率控制结构组成；聚酰亚胺层和高阻硅层相叠置，且聚酰亚胺层的下表面与高阻硅层的上表面相贴；频率控制结构叠置于聚酰亚胺层的上表面，共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构的2个电极贴片分别经由1个开关与直流稳压电源的正极连接，共地电极直接与直流稳压电源的负极连接。本实用新型利用对石墨烯施加电压改变其电导率的特性，实现在特定频带下透射率的调控，可实现通过输入两个数字逻辑电信号达到宽频带输出一个或非门数字逻辑太赫兹信号的效果，具有制作简单，成本低，且性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN211208632U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202020111884.9
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本新型电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203276623U
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201320311386.9
申请日：2013-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学信息科技学院
IPC: G09B5/14
Abstract: 本实用新型公开一种基于虚拟仪器技术的在线式检测与控制实验系统，包括位于实验室内的被控实验对象、摄像头、传感器、信号调理电路、采集卡、控制器和服务器，以及位于远端的至少一个客户端电脑；其中摄像头正对被控实验对象；传感器安放在被控实验对象处，其传感器的输出端通过信号调理电路与采集卡的输入端相连；摄像头和采集卡的输出端通过数据线与服务器的输入端相连；控制器固定在被控实验对象上，控制器通过数据线与服务器的输出端相连；客户端电脑通过以太网与服务器相连接。本实用新型其采用虚拟仪器技术，将被检测对象的数据信息与需控制对象的操作信息通过以太网，供各个客户端读取与控制。
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