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公开(公告)号：CN119804371A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510003198.7
申请日：2025-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3504 , G01N21/3586
Abstract: 本发明涉及太赫兹传感技术领域，公开了一种基于HKUST‑1修饰的太赫兹超表面传感器检测痕量对二甲苯气体的方法。首先，将HKUST‑1修饰到传感器表面，随后将修饰后的传感器放置在气室内，再测试修饰后传感器空载时的太赫兹光谱，最后分别将不同浓度的对二甲苯气体通入气室，同时用光谱系统采集不同浓度的响应光谱；进一步地，对比所述空载时的太赫兹光谱与所述响应光谱，根据光谱的频移量建立关系式；进一步的，按照上述操作方法，对比了传感器对相同浓度的其它种类气体样本的响应光谱来验证传感器的选择性。本发明的一种基于HKUST‑1修饰的超表面传感器检测痕量对二甲苯气体的方法，在室温下操作简单，灵敏性和选择性的对二甲苯气体检测领域有着重要应用价值。
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公开(公告)号：CN119695414A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411930556.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明为一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底和其上的二维阵列构成。每个阵列单元包含3个沿着竖直方向并排的矩形金属框以及3个嵌入其内部的石墨烯矩形框、3组矩形金属块和2个矩形金属块。每组矩形金属块4个，两两排列于石墨烯矩形框上下两边。2个矩形金属块分别连接于阵列单元左右两侧中部。两个引出电极位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负极相连接。当偏置电压增加时，透过移相器产生的太赫兹波吸收峰逐渐向低频移动，在吸收峰的右侧会产生宽频、大相移。本发明的电控太赫兹宽频大相移动态移相器制作成本低，响应速度快，在太赫兹相控阵雷达、宽带无线通信等领域有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN118213286A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410303133.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 基于分压器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决目前多数提出的基于时序冲突的MIV测试架构，根据MIV缺陷的类型表现出不同的充电/放电时间来检测故障，容易受到工艺电压温度变化和噪声的影响。因此，本文提出基于分压器的MIV测试体系结构，可降低测试误差同时识别各种MIV缺陷。包括：MOS管选择电路、电阻性开路故障测试单元、针孔故障测试单元、测试使能电路和比较器电路，通过MOS管选择电路选择合适沟道宽长比的MOS管，利用不同沟道宽长比的MOS管具有不同的阈值电阻，提出了基于分压器的单片三维集成电路层间通孔故障检测方法。本发明可有效降低来自不同工艺电压温度和噪声所给测试造成的影响。
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公开(公告)号：CN113281301B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110523208.1
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开一种圆环‑矩形谐振腔结构的折射率、温度传感器，其传感器由圆环‑矩形复合形成的谐振腔以及在侧面耦合具有金属壁的金属‑绝缘体‑金属(MIM)波导组成。当入射光在波导中传输并耦合到谐振腔时，当满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。研究了该传感器的传输特性和传感特性，通过优化结构的几何参数，可以得到其最大的折射率灵敏度(S)为914nm/RIU。此外，在介质中填充乙醇，可实现高灵敏度的温度传感器，其最大灵敏度为0.35nm/℃。经研究该结构具有较高的灵敏度，在促进集成光子器件在纳米级光学传感方面具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113483793A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752350.3
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提供了一种基于双偏振D型光子晶体光纤双参量SPR传感器。所述传感器具有顶部侧抛平面和底部n型微通道，在侧抛平面上方和n型微通道顶部弧形内壁上均涂覆有金膜和TiO2层。本发明利用偏振控制器来控制产生X偏振或Y偏振，Y偏振与侧抛平面上的金膜产生SPR可检测待测介质折射率，X偏振与n型微通道顶部弧形内壁上的金膜产生SPR可检测磁场强度，从而实现双偏振检测双参量。本发明的优点是：双偏振检测减少各参量间影响，增大各参量检测范围；n型微通道减少磁流体到待测介质距离，增大磁流体体积，提升磁场强度检测灵敏度；TiO2层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，检测范围宽，灵敏度高，抗干扰性强，具有良好传感特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113253369A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110523559.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米圆环阵列结构的宽色域结构色滤波器，该结构由介质材料基底层及其上周期结构圆环阵列组成。其中单个周期结构是以一个方形石英衬底上的硅环组成。通过调节本结构的圆环的内环直径以及圆环的高度可以对可见光进行操控，产生宽色域范围的颜色。本滤波器有结构设计简单、易于加工、颜色可靠、较大颜色可调等优点。在未来的超高分辨率打印技术和颜色显示相关领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN119596573A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411930017.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种电控太赫兹双频相位调制器，包括蓝宝石基底和位于蓝宝石基底表面的超表面结构谐振阵列。每个谐振单元包括一个T形金属谐振器、一个倒T形金属谐振器及一个方形开口环谐振器。中间电控相变贴片镶嵌于T形谐振器和倒T形金属谐振器的间隙处，右侧电控相变贴片镶嵌于开口环谐振器开口处。超表面结构谐振阵列两侧各固定一电极，分别与直流电源的正、负极相连。本发明提供的相位调制器可以通过加电实现双频段、大带宽、100度以上的相位调制，可调最大相位超过140度。这种太赫兹双频相位调制器，在太赫兹相控阵雷达、太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN119376012A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411604102.4
申请日：2024-11-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的偏振旋转分束器结构，属于光波导技术领域，特别是一种用于实现光信号偏振态旋转和分束的集成光学器件。本发明主要的结构为两个线性锥形波导和一个非对称耦合器，该结构利用铌酸锂薄膜的优异电光特性，通过设计线性锥形波导和非对称定向耦合单元，使光沿逐渐增大的锥形波导传输时，由于模式间的杂化，窄波导入射的TM0模式逐渐转化为高阶TE1模式，通过非对称耦合器耦合，转化为TE0模输出，实现了TM和TE模式之间的高效偏振旋转与分束功能，具有潜在的应用前景。该偏振旋转分束器不仅实现了器件结构的简单化，有望应用于高效的偏振复用和偏振调制，也为制作大规模光开关阵列、光互连网络提供了灵活性。
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公开(公告)号：CN118818254A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410613618.9
申请日：2024-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路测试领域，具体涉及基于岭回归的单片层间通孔开路故障定位方法。以MIV中心导体出现的开路故障为研究对象建立故障模型，基于所建故障模型，提取MIV不同位置发生开路故障的S参数；以MIV开路故障位置高度为预测依据，设置标签；建立岭回归预测模型，基于内置交叉验证寻找最佳参数；实现通过不同位置开路故障的S参数，利用岭回归预测模型对其进行回归预测处理，预测发生开路故障的位置，提高了MIV故障检测准确率和效率。该故障位置定位方法避免了在开路故障位置定位过程中对MIV的二次损坏，解决了传统的MIV检测方法难以对MIV开路故障位置进行准确故障定位的问题，对于优化MIV的设计和制造过程中改进MIV故障具有一定的参考价值。
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公开(公告)号：CN117388667A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311394308.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于的测试电路领域，具体涉及基于CAF‑WAS的单片三维集成电路层间通孔故障测试方法。所述公共测试单元，用于切换不同的测试模式，以检测MIV内是否存在开路故障、短路故障；所述开路测试单元，用于测试MIV电路中是否存在开路故障；所述短路测试单元，用于测试MIV电路中是否存在短路故障。本发明的CAF‑WAS方法按照充电‑浮空‑等待‑采样的顺序进行，能很好的对弱短路故障进行检测；为了能同时对开路故障进行测试，本发明利用NMOS形成一条伪泄漏路径对开路故障进行检测，当需要进行开路故障测试时，NMOS处于导通状态，TSV电荷经NMOS泄漏至GND。本发明通过使用基于基本延时单元的延时线技术设计了新的等待时间产生机制，对测试时间进行了优化。本发明提供一种基于CAF‑WAS的单片三维集成电路层间通孔故障测试电路及测试方法用以解决现有技术可检测故障范围有限的问题，能够测试开路故障和短路故障，一定程度上缩短了测试时间。
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