-
公开(公告)号:CN108545962A
公开(公告)日:2018-09-18
申请号:CN201810153647.6
申请日:2010-06-11
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
Abstract: 本发明涉及薄层的沉积方法和获得的产品,尤其用于获得在至少一个面上用低发射率薄层堆叠体覆盖的基材的方法,包括以下步骤:在所述基材的所述至少一个面上沉积在两个薄介电层之间包括至少一个薄银层的薄层堆叠体;和使用至少一种在500至2000nm的至少一个波长发射的激光辐射热处理该至少一个被覆盖面使得该堆叠体的发射率和/或表面电阻减少了至少5%;根据本发明,在处理之前,该堆叠体包括至少一个至少部分吸收激光辐射的层,以便所述堆叠体在该激光辐射的至少一个波长的吸收使得用所述堆叠体覆盖的4mm厚的明玻璃基材在该激光辐射的所述至少一个波长的吸收大于或等于10%。
-
公开(公告)号:CN106414356A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201580030119.6
申请日:2015-06-02
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: C03C23/0025 , C03C17/002 , C03C17/007 , C03C17/23 , C03C17/25 , C03C17/3607 , C03C17/3649 , C03C17/3652 , C03C17/366 , C03C17/3681 , C03C17/3689 , C03C23/0005 , C03C23/007 , C03C2217/212 , C03C2217/213 , C03C2217/425 , C03C2217/71 , C03C2217/73 , C03C2217/732 , C03C2218/113 , C03C2218/156 , C03C2218/32 , C03C2218/328 , C03C2218/355 , C23C14/5813
Abstract: 本发明涉及获得包含基底的材料的方法,所述基底在其至少一个面的至少一部分上涂覆有至少一个功能层,所述方法包括:- 沉积该或各功能层的步骤,随后- 在所述至少一个功能层上沉积牺牲层的步骤,随后- 通过选自激光辐射或来自至少一个闪光灯的辐射的辐射进行热处理的步骤,所述辐射具有至少一个200至2500纳米的处理波长,所述牺牲层在热处理步骤过程中与空气接触,随后- 使用溶剂除去该牺牲层的步骤,所述牺牲层是单层,并使得在热处理之前,其能够吸收至少一部分在至少一个处理波长处的所述辐射,并在热处理之后,其能够通过溶剂和/或分散在所述溶剂中来除去。
-
公开(公告)号:CN103732552A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280040060.5
申请日:2012-08-06
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: C03C17/00 , C03C17/36 , C23C16/513 , G02B1/11
CPC classification number: G02B1/111 , B05D3/068 , B05D7/24 , C03C17/007 , C03C17/3678 , C03C2217/425 , C03C2217/732 , C03C2217/78 , C03C2217/91 , C03C2218/153 , C23C16/30 , C23C16/56 , G02B1/113 , G02B1/118 , G02B2207/107 , Y10T428/24802
Abstract: 包含透明基材,尤其玻璃基材的玻璃板,该基材被提供有抗反射涂层,该涂层包括至少一个主要包含硅、氧、碳和任选的氢的多孔材料的层,其中相对于硅、氧和碳的原子份额的总和,碳原子比例PC在该层从其第一表面至第二表面的厚度方向上局部地发生变化:-在第一最小值PCmin1和最大值PCmax之间增大,所述最大值PCmax与所述第一最小值PCmin1之间的比率为至少1.2;-然后在所述最大值PCmax和第二最小值PCmin2之间,碳的比例降低,所述最大值PCmax与所述第二最小值PCmin2之间的比例为至少1.2。
-
公开(公告)号:CN102348659A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201080011627.7
申请日:2010-03-10
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: C03C17/002 , C03C2218/156 , C03C2218/32 , C03C2218/345 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的主题是通过火焰处理沉积在玻璃基材(1)上的至少一个薄膜进行的热处理方法,所述玻璃基材(1)在包含至少一个燃烧器(2)的至少一个火焰处理设备的路径中通行,所述处理能够提高所述至少一个薄膜的结晶度和/或提高所述至少一个薄膜中的微晶尺寸,所述方法的特征在于最大瞬时弯曲“b”低于150毫米并且遵从以下条件:b≤0.9×d其中弯曲“b”对应于以毫米表达的没有加热的基材平面(P1)与最接近经过燃烧器(2)尖端(6)的平面(P2)并且平行于没有加热的基材平面(P1)的基材点之间的距离,“d”对应于以毫米表达的没有加热的基材平面(P1)与燃烧器(2)尖端(6)之间的距离,与通行方向(5)垂直的方向上基材的宽度“L”大于或等于1.1m。
-
-
-