公开(公告)号：CN111164737A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880063268.6

申请日：2018-11-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小笠原孝文 ,  坂本美纱季 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的粘着剂组合物所形成的活性能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物包含(甲基)丙烯酸烷氧基酯，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1-F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。

公开(公告)号：CN106463375B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580030575.0

申请日：2015-05-18

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之 ,  稻男洋一

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。

公开(公告)号：CN108778722A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014253.6

申请日：2017-02-10

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  佐佐木辽 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: B32B27/00 ,  C09D201/00 ,  C09J201/00 ,  C09J7/20

CPC classification number: B32B27/00 ,  C09D201/00 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具备所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，其中，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的光泽值为32～95。

公开(公告)号：CN105408105B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201480041620.8

申请日：2014-07-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  佐伯尚哉

IPC: B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: B32B27/32 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/243 ,  C09J7/30 ,  C09J201/00 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/106 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供保护膜形成用复合片(1)，其具备在基材(21)的一面侧叠层粘合剂层(22)而成的粘合片(2)、和叠层于粘合片(2)的粘合剂层(22)侧的保护膜形成膜(3)，粘合片(2)不具有沿厚度方向贯穿该粘合片(2)的通孔，使用积分球测定的粘合片(2)在波长532nm下的透光率为75～85％。根据该保护膜形成用复合片(1)，即使使用不具有通孔的粘合片，也能够在对保护膜形成膜(保护膜)进行激光打印时抑制在粘合片与保护膜形成膜(保护膜)之间产生气体积存。

公开(公告)号：CN106489189A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580032859.3

申请日：2015-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  米山裕之 ,  山本大辅 ,  小桥力也 ,  稻男洋一

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

公开(公告)号：CN100479105C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200580014869.0

申请日：2005-05-12

Applicant: 夏普株式会社 ,  琳得科株式会社

Inventor： 福井靖树 ,  山崎修 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C08G59/08 ,  C08G59/3209 ,  C08G59/44 ,  C08G59/686 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  Y02P20/582 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的在于减低所谓的层叠型半导体装置在层叠时产生的对接合线的损伤，同时消除因粘接各半导体芯片的粘接剂层的厚度精度不佳而导致的半导体装置的高度的不均、从基板到最上层的半导体芯片的表面的高度的不均、以及最上层的半导体芯片的倾斜等。为了实现上述目的，本发明的切割·芯片接合兼用粘接片的特征在于，由基材和可剥离地层叠于该基材上的粘接剂层构成，该粘接剂层具备常温压敏粘接性和热固性，热固化前的粘接剂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的粘接剂层的120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，使热固化前的粘接剂层保持在120℃的温度下时，其熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。

公开(公告)号：CN100423201C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200480018964.3

申请日：2004-07-07

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/52 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有即使在高低起伏大的压料垫部上装载芯片也不会在压料垫部和粘合剂层之间出现空隙的、具有良好嵌入性的粘合剂层的切割·小片接合用粘合片。本发明涉及的切割·小片接合用粘合片的特征在于通过在基材上设置100℃时的弹性率(M100)与70℃时的弹性率(M70)之比(M100/M70)在0.5以下的粘合剂层而形成。

公开(公告)号：CN114599517B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202080074351.0

申请日：2020-10-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/08 ,  B32B3/08 ,  B32B7/12 ,  B32B27/18 ,  B32B27/22 ,  B32B27/36 ,  B32B27/28 ,  B32B27/40 ,  B32B25/00 ,  B32B25/08 ,  C08J7/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时，能够抑制产生崩边。本发明的保护膜形成用膜(1)包含填料(2)，在该膜(1)的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D501与在第二区域中所观察到的填料的50％累计粒径D502，满足下述条件：D501

公开(公告)号：CN111587472B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201880086327.1

申请日：2018-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  古野健太

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取大小为3mm×3mm的试验片，并分别求出这5片试验片中的粘着剂层的厚度的最小值及最大值时，所述最小值的平均值为1.5μm以上，所述最大值的平均值为9μm以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。

公开(公告)号：CN115148654A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202111405989.0

申请日：2021-11-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山口征太郎 ,  若山洋司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J175/14 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明提供一种工件加工用片(101)，其具备基材膜(11)、及在基材膜(11)上的粘着剂层(12)，粘着剂层(12)含有金属皂，粘着剂层(12)的每单位面积的金属含量为0.0004μg/cm2以上。所述金属皂优选为脂肪酸锆盐、脂肪酸锌盐、脂肪酸铝盐或脂肪酸镍盐，作为所述金属皂的脂肪酸金属盐的脂肪酸的碳原子数优选为5～20。