公开(公告)号：CN111312705A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911156561.X

申请日：2019-11-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 成田幸辉

IPC: H01L27/02

Abstract: 本申请涉及半导体器件和半导体器件系统。本发明提供放电启动电压相对于电源电压的裕度和钳位电压相对于内部电路的击穿耐压的裕度二者。根据实施例的半导体器件包括：第一放大器电路，用于放大检测信号并输出驱动信号；第二放大器电路，用于对输入到第一放大器电路的检测信号进行反馈放大；以及放电元件，其放电能力根据驱动信号的大小而变化。

公开(公告)号：CN105229782B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201380076746.4

申请日：2013-05-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 成田幸辉

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03K17/08104 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0814 ,  H02H9/046 ,  H03K5/08

Abstract: 半导体集成电路装置包含以彼此不同的电压工作的第1和第2区域以及从第1区域向第2区域供给信号的信号布线。第2区域包含：连接在选择性地供给电压的第1布线与供给电压的第3端子之间，通过第1布线中的电压与供给到第3端子的电压之间的差电压工作的电路；以及对第1布线中的电荷进行放电的放电电路。通过放电电路，抑制信号布线与第1布线之间的电位差扩大，能够减少包含在第2区域中的电路被击穿的情况。