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公开(公告)号：CN101205291B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200710302240.7
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G61/10 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式1-3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物中的任意一种。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。本发明还提供了一种利用该组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN101681096A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780053206.9
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/091 , Y10S438/952
Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性质的硬质掩模组合物。该硬质掩模组合物适合用于光刻且提供了优异的光学性质和机械性质。此外，该硬质掩模组合物容易通过旋涂施用技术来施加。特别地，该组合物对于干蚀刻具高度抗性。因此，该组合物可用于提供一种能够以高纵横比被图案化的多层薄膜。本发明进一步提供了一种使用该组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN101370854A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002634.9
申请日：2007-01-15
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/20 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/3121
Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为－(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101205291A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710302240.7
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G61/10 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式1－3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物中的任意一种。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。本发明还提供了一种利用该组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN102516503B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110305955.4
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了芘主链聚合物和含有该芘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式C表示的芘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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公开(公告)号：CN102540729B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110315277.X
申请日：2011-10-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/094
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂，所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中，Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外，提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN102566281A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110304927.0
申请日：2011-10-10
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物，其包含由以下化学式1表示的含芳环化合物和溶剂，在化学式1中，A、R1至R6、X1至X6、n1至n6均与说明书中具体定义的相同。本发明还提供了一种通过使用该硬掩模组合物来形成图案的方法和包括通过该图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。本发明的硬掩模组合物能够在确保对多重蚀刻的抗性的同时，具有高蚀刻选择性和改善的光学性能。
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