公开(公告)号：CN102432841A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110306447.8

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  邢敬熙 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/02 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 提供了萘主链聚合物和含有该萘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式B表示的萘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。

公开(公告)号：CN101238413B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580051272.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101370849B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780002790.5

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  邢敬熙 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/10

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 提供了抗反射硬掩模组合物。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式A、式B或式C表示的至少一种聚合物，这些在说明书中有描述。

公开(公告)号：CN101370849A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780002790.5

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  邢敬熙 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/10

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 提供了抗反射硬掩模组合物。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式A、式B或式C表示的至少一种聚合物，这些在说明书中有描述。

公开(公告)号：CN101042533A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710007513.5

申请日：2007-01-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金钟涉 ,  金相均 ,  林相学

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4(I)

公开(公告)号：CN102227458B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200980148064.3

申请日：2009-12-01

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  李镇国 ,  田桓承 ,  金旼秀 ,  宋知胤

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/00 ,  C08L65/00 ,  G03F7/004

CPC classification number: C08L65/00 ,  C08G61/02 ,  C08G73/1039 ,  C08G73/1067 ,  C08G2261/3424 ,  C08L79/08 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明提供一种用于平版印刷方法的具有良好抗反射性的下层组合物。该组合物具有优异的光学特性、机械特性，及蚀刻选择性，且可使用旋涂方法涂敷。有利地，该组合物可应用于短波长平版印刷方法并显示最少的剩余酸。

公开(公告)号：CN102060981B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010566229.3

申请日：2007-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 邢敬熙 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/02 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。

公开(公告)号：CN101238414B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200580051275.7

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分；和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101641390A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200780052470.0

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  邢敬熙 ,  李镇国 ,  金钟涉 ,  田桓承 ,  南伊纳 ,  纳塔利娅·托克列娃

IPC: C08G61/12

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合于光刻，提供了良好的光学和机械性能，并且表现出高蚀刻选择性。此外，该硬掩模组合物可以容易地通过旋涂(spin-on)施加技术而施用。有利地，该硬掩模组合物可用于短波长光刻并具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：CN1991581A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610150443.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  伊丽娜·南 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3－20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3－6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。