半导体装置的制造方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117316865A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310760562.5

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法,使电极焊盘与贯通电极的电连接稳定,提高半导体装置的成品率。在半导体装置的制造方法中,形成从半导体基板的第一面贯通至第二面的第一贯通孔,在半导体基板的第一面以及第一贯通孔的侧面形成第二绝缘膜,从半导体基板的第一面一直到第一贯通孔的侧面的靠第一面侧的端部,在第二绝缘膜的表面配置抗蚀剂,将抗蚀剂作为掩模对第二绝缘膜进行湿式蚀刻,利用有机绝缘膜覆盖半导体基板的第一面以及第一贯通孔的侧面,在有机绝缘膜的表面形成第二导电膜。

    三维形成装置以及三维形成方法

    公开(公告)号:CN106180706B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201610322259.7

    申请日:2016-05-16

    Abstract: 本发明提供三维形成装置以及三维形成方法,通过以简单的构成同步驱动多个能量供给单元,从而获得具有高生产率的三维形成装置。三维形成装置具备:工作台;材料供给单元,向所述工作台供给包含金属粉末和粘合剂的被烧结材料;头单元,具备能量照射部,所述能量照射部向通过所述材料供给单元供给的所述被烧结材料供给能够使所述被烧结材料烧结的能量;以及头座,保持多个所述头单元,三维形成装置还具备使所述头座能够相对于所述工作台相对地三维移动的驱动单元。

    传感器
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108692647A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810154886.3

    申请日:2018-02-23

    Inventor: 镰仓知之

    Abstract: 提供传感器。传感器具有:伸缩基体,其具有伸缩性;以及布线,其配置于所述伸缩基体,所述布线具有第1布线和第2布线,该第2布线的由所述伸缩基体的伸长引起的电阻值变化比所述第1布线大。此外,传感器具有检测部,该检测部根据所述第1布线的电阻值,对所述第2布线的电阻值进行校正,并根据所述校正后的所述第2布线的电阻值,检测所述伸缩基体的伸缩。此外,所述检测部根据所述第1布线的电阻值,检测所述布线的劣化。

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