-
公开(公告)号:CN104253100B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410299061.2
申请日:2014-06-27
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2224/0231 , H01L2224/0235 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06155 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/10157 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体,包含半导体晶片、绝缘层、重布局金属层以及焊接垫。半导体晶片具有导电垫、内连线结构以及电子元件。电子元件通过内连线结构电性连接导电垫。绝缘层设置于半导体晶片的表面上且具有第一开口以暴露出部分导电垫。重布局金属层设置于绝缘层上且具有对应导电垫的重布局金属线路,重布局金属线路通过第一开口与导电垫连接。焊接垫配置于绝缘层上且位于半导体晶片的一侧。其中,重布局金属线路延伸至焊接垫,使配置于半导体晶片的表面上的导电垫电性连接于该侧的焊接垫。本发明的晶片封装体不仅能够提升焊线打接的效率和良率,还具有较现有技术更长的元件寿命以及更佳的可靠度。
-
公开(公告)号:CN104051359B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201410080425.8
申请日:2014-03-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/4814 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2223/5446 , H01L2224/02313 , H01L2224/0235 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/03614 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/451 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/92 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01078 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2924/01022 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2924/014 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一半导体基底,具有一第一表面及一第二表面;一第一凹陷,自该第一表面朝该第二表面延伸;一第二凹陷,自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸,其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面;一导线层,设置于该第一表面上,且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷;一绝缘层,位于该导线层与该半导体基底之间;以及一金属遮光层,设置于该第一表面上,且具有至少一孔洞,其中该至少一孔洞的形状为一四边形。本发明有助于晶片封装体的缩小化,且可使晶片封装体的可靠度提升。
-
公开(公告)号:CN106206625A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201510232275.2
申请日:2015-05-08
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , A61B5/1172 , B81B7/0067 , B81B7/007 , B81B2207/096 , G06K9/0004 , H01L23/3114 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0362 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/0579 , H01L2224/058 , H01L2224/11 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/92242 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/0665
Abstract: 一种芯片尺寸等级的感测芯片封装体及其制造方法,该感测芯片封装体包括:感测芯片、间隔层及第一黏着层。感测芯片具有第一上表面与第一下表面,且包括:邻近第一上表面的感测组件及位于第一上表面且相邻感测组件的多个导电垫;多个第一贯通孔,位于第一下表面且露出所对应的导电垫表面;多个导电结构,设置于第一下表面;及重布线层,位于第一下表面及第一贯通孔内,用以连接导电垫及导电结构。间隔层设置于感测芯片上且环绕感测组件,且具有第二上表面、第二下表面及贯穿第二上表面与第二下表面的开口,开口对应于感测组件,且其内壁与感测组件保持预定的距离d,d>0。第一黏着层位于第二下表面与第一上表面之间。
-
公开(公告)号:CN103426832B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201310190282.1
申请日:2013-05-21
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/498 , B81B7/0077 , H01L21/78 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种芯片封装体及其形成方法,该芯片封装体包括:一芯片,包括:一半导体基底,具有一第一表面及一第二表面;一元件区,形成于该半导体基底之中;一介电层,设置于该第一表面上;以及一导电垫结构,设置于该介电层之中,且电性连接该元件区;一覆盖基板,设置于该芯片上;以及一间隔层,设置于该芯片与该覆盖基板之间,其中该间隔层、该芯片、及该覆盖基板共同于该元件区上围出一空腔,且该间隔层直接接触该芯片,而无任何粘着胶设置于该芯片与该间隔层之间。本发明所提供的芯片封装技术可缩减芯片封装体的尺寸、可大量生产芯片封装体、可确保芯片封装体的品质、及/或可降低制程成本与时间。
-
公开(公告)号:CN103378217B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201310139604.X
申请日:2013-04-19
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光感装置及其制法,该光感装置包括:一电路板、设于该电路板上的一封装件、覆盖该封装件且具有通孔的一支撑件、以及设于该通孔上的一镜片。该封装件具有设于该电路板上的一芯片及设于该芯片上的一透光片,该透光片具有显露于该通孔的一滤光层,且该滤光层的面积大于或等于该芯片作用面的面积,令该滤光层涵盖整个作用面,以令所有由该镜片进入的光线均会经该滤光层过滤才会进入该作用面的感光区,所以可有效避免未经过滤的光线经透光片的侧边干扰该感光区。
-
公开(公告)号:CN102751266B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201110102543.0
申请日:2011-04-21
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/98 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06582 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种芯片封装体及其形成方法,该芯片封装体包括:一第一芯片;一第二芯片,设置于该第一芯片之上,其中该第二芯片的一侧面为一化学蚀刻表面;以及一连结块体,设置于该第一芯片与该第二芯片之间而使该第一芯片与该第二芯片彼此连结。本发明可使芯片封装体具有较佳的可靠度,并可减轻封装制程中对芯片的损坏风险。
-
公开(公告)号:CN103199065B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201310009469.7
申请日:2013-01-10
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B81C1/00888 , H01L21/561 , H01L23/12 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法,该半导体堆栈结构的制法通过将相堆栈的基板与晶圆进行切割制程,主要通过在切割处上先移除部分晶圆材质,以在该晶圆的芯片边缘形成应力集中处,再进行切割,使应力被迫集中在该晶圆的芯片边缘,而令该芯片的边缘翘曲。因此,可避免该应力延伸至该芯片的内部。
-
公开(公告)号:CN104952812A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510139996.9
申请日:2015-03-27
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/30604 , H01L21/48 , H01L21/78 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/02371 , H01L2224/02373 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/8389 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10156 , H01L2924/12042 , H01L2924/37001 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体的制造方法包括:提供一第一基底及一第二基底;通过一粘着层将第一基底贴附于第二基底上;以及形成多个第一开口,该多个第一开口穿过第一基底及粘着层,且将第一基底及粘着层分离为多个部分。本发明可避免晶片的边缘侧壁形成突出部而造成破裂,因此可提升晶片封装体的可靠度。
-
公开(公告)号:CN104637827A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201410624361.3
申请日:2014-11-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/482
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/0346 , H01L2224/0348 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05569 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/113 , H01L2224/13022 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包含下列步骤:提供具有硅基板与保护层的晶圆结构,其中保护层上的焊垫由硅基板的镂空区露出;于硅基板环绕镂空区的侧壁上与硅基板背对保护层的表面上形成绝缘层;于绝缘层上与焊垫上形成布线层;于布线层上形成阻隔层;图案化阻隔层而形成第一开口,使位于硅基板的表面上的布线层由第一开口露出;于露出第一开口的布线层上形成第一导电层;于第一开口中设置导电结构,使导电结构电性接触第一导电层。本发明不仅可节省第一导电层的材料成本,还使得整个半导体结构的良率得以提升。
-
公开(公告)号:CN102386156B
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201110261112.9
申请日:2011-09-02
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2933/0066 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光电元件,设置于该第一表面处;一保护层,设置于该基底的该第二表面上,该保护层具有一开口;一导电凸块,设置于该基底的该第二表面上,且填充于该开口之中;一导电层,设置于该保护层与该基底之间,该导电层电性连接该光电元件及该导电凸块;以及一遮光层,设置于该保护层之上,该遮光层不接触该导电凸块。本发明的晶片封装体通过遮光层而阻挡及/或吸收外界的光线,使晶片封装体的运作更为顺利,且本发明的晶片封装体的遮光层不与导电凸块接触,可进一步提高良率,避免短路的情形的发生。
-
-
-
-
-
-
-
-
-