公开(公告)号：CN109742064A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910017276.3

申请日：2015-09-09

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  沈信隆 ,  苏昱豪 ,  吴冠荣 ,  郑怡

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L21/288 ,  H01L21/48 ,  H01L21/687 ,  H01L21/768 ,  H01L49/02 ,  C25D17/00 ,  C25D17/06 ,  H01L23/525 ,  H01L23/532

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、绝缘层与重布线层。晶片具有基底、焊垫与保护层。基底具有相对的第一表面与第二表面。保护层位于第一表面上。焊垫位于保护层中。基底具有穿孔，保护层具有凹孔，使焊垫从凹孔与穿孔裸露。绝缘层位于第二表面、穿孔的壁面与凹孔的壁面上。重布线层包含连接部与无源元件部。连接部位于绝缘层上，且电性接触焊垫。无源元件部位于第二表面的绝缘层上，且无源元件部的一端连接在第二表面上的连接部。本发明不仅可节省大量的组装时间，且能降低已知电感元件的成本，还可提升设计上的便利性。

公开(公告)号：CN105990305B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510098467.9

申请日：2015-03-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 孙唯伦 ,  简玮铭 ,  李柏汉 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层的开口中的导电层上。本发明能提升半导体结构的良率，且能提高材料选用的便利性。

公开(公告)号：CN106129026B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610268753.X

申请日：2016-04-27

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈语同 ,  林建名 ,  许传进 ,  何志伟 ,  何彦仕

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0557

Abstract: 一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。

公开(公告)号：CN104347536B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201410355382.X

申请日：2014-07-24

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  刘沧宇 ,  张恕铭 ,  黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一晶片，具有上表面、下表面及侧壁，其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构，位于信号接垫区外侧，并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线，具有第一端点及第二端点，其中第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层，第二端点用于外部电性连接。本发明可以降低晶片封装体中的封装层的覆盖厚度，增加感测区的敏感度，并且可以维持基底的结构强度。

公开(公告)号：CN104835792B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510060529.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  刘沧宇 ,  林佳升 ,  郑家明 ,  张恕铭 ,  曾姿雯

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一半导体基底；一凹口，位于半导体基底内且邻接半导体基底的一侧边，其中半导体基底具有至少一间隔部，该至少一间隔部突出于凹口的一底部；一导线，设置于半导体基底上，且延伸至凹口内。本发明不仅能够降低与导线电性连接的导电结构的高度，还可减少应力而避免半导体基底破裂，且有效缩短导线的导电路径，进而增加输出信号的布局弹性。另外，由于半导体基底具有突出于凹口的底部的间隔部，因此可避免导线发生短路的问题，进而提升晶片封装体的可靠度。

公开(公告)号：CN104934397B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201510087272.4

申请日：2015-02-25

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  郑家明 ,  张恕铭

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02233 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14165 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包含半导体晶片、至少一沟槽、多条第一重布局金属线路以及至少一凸起。半导体晶片具有设置于该半导体晶片的上表面的多个导电垫。沟槽自上表面朝半导体晶片的下表面延伸，且配置于半导体晶片的侧边。多条第一重布局金属线路设置于上表面，所述第一重布局金属线路分别与导电垫电性连接，且分别延伸至沟槽内。凸起设置于沟槽内且位于相邻的第一重布局金属线路之间。本发明能提高晶片封装体的制程良率，并有效降低生产成本。

公开(公告)号：CN107195652A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710550763.7

申请日：2015-01-19

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 李柏汉 ,  张恕铭 ,  刘沧宇 ,  何彦仕 ,  刘建宏

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法包含下列步骤：使用暂时粘着层将载板贴合于晶圆的第一表面上；于晶圆相对第一表面的第二表面上形成布线层、阻隔层与导电结构，而形成半导体元件；从半导体元件的阻隔层切割至载板，使得半导体元件形成至少一子半导体元件；将紫外光照射于子半导体元件，使得暂时粘着层的粘性消失；以及移除子半导体元件的载板。本发明使得晶片上的影像感测元件不易于制程中被污染，且可降低无尘室设备与技术人员的成本。此外，本发明还可省略紫外光胶带的使用，降低制造成本。

公开(公告)号：CN107039328A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611031956.3

申请日：2016-11-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  叶晓岚 ,  林佳升 ,  张义民 ,  李柏汉 ,  吴晖贤 ,  吴俊良

IPC: H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L23/04 ,  H01L21/52 ,  G06K9/00

CPC classification number: H01L21/561 ,  G06K9/0004 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/16225 ,  H01L23/041 ,  G06K9/00006 ,  H01L21/52 ,  H01L23/562

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、第一粘胶层、第二粘胶层与保护罩。晶片具有感测区、相对的第一表面与第二表面、及邻接第一表面与第二表面的侧面。感测区位于第一表面上。第一粘胶层覆盖晶片的第一表面。第二粘胶层位于第一粘胶层上，使第一粘胶层位于第一表面与第二粘胶层之间。保护罩具有底板与围绕底板的侧壁。底板覆盖第二粘胶层，且侧壁覆盖晶片的侧面。本发明不仅可提升整体晶片封装体的强度，还不易产生翘曲的问题，且能够提升产品良率。

公开(公告)号：CN104637827B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201410624361.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 简玮铭 ,  李柏汉 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/113 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包含下列步骤：提供具有硅基板与保护层的晶圆结构，其中保护层上的焊垫由硅基板的镂空区露出；于硅基板环绕镂空区的侧壁上与硅基板背对保护层的表面上形成绝缘层；于绝缘层上与焊垫上形成布线层；于布线层上形成阻隔层；图案化阻隔层而形成第一开口，使位于硅基板的表面上的布线层由第一开口露出；于露出第一开口的布线层上形成第一导电层；于第一开口中设置导电结构，使导电结构电性接触第一导电层。本发明不仅可节省第一导电层的材料成本，还使得整个半导体结构的良率得以提升。

公开(公告)号：CN104112717B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201410158301.7

申请日：2014-04-18

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  何彦仕 ,  刘沧宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/494 ,  H01L2224/8536 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括半导体晶片、绝缘层、重布局金属层以及焊接垫。半导体晶片具有第一导电垫设置于下表面、以及第一凹部对应第一导电垫而设置，第一凹部与绝缘层均自上表面朝下表面延伸。第一凹部暴露出第一导电垫。部分绝缘层位于第一凹部中且具有开口以暴露出第一导电垫。重布局金属层具有对应第一导电垫的重布局金属线路，重布局金属线路通过开口与第一导电垫连接。焊接垫配置于绝缘层上且位于半导体晶片的一侧。重布局金属线路延伸至焊接垫，使配置于半导体晶片的下表面的第一导电垫，电性连接于该侧的焊接垫。本发明可有效缩减或免除现有技术所必须具有的打线间距，以使半导体晶片发挥更高的效能。