薄膜晶体管和显示器件

    公开(公告)号:CN102171833A

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200980139033.1

    申请日:2009-10-07

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明提供了一种能够抑制氧等从氧化物半导体层解吸附并减少成膜所花费的时间的薄膜晶体管和设置有该薄膜晶体管的显示器件。栅极绝缘膜22、沟道保护层24和钝化膜26中的每一个是层积结构,该层积结构包括由氧化铝制成的第一层31和由包含硅(Si)的绝缘材料制成的第二层32。第一层31和第二层32优选地设置为彼此层叠,使得第一层31出现在氧化物半导体层23侧。氧化物半导体层23在两侧被由氧化铝制成的第一层31夹在中间,从而抑制氧等的解吸附,并使TFT 20的电特性稳定。此外,由于第二层32由含有硅(Si)的绝缘材料制成,与由氧化铝制成的单层相比,能够减少成膜所花费的时间。

    薄膜晶体管、显示单元和电子设备

    公开(公告)号:CN103247692A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201310030053.3

    申请日:2013-01-25

    Applicant: 索尼公司

    CPC classification number: H01L29/78636 H01L29/7869 H01L29/78696

    Abstract: 本公开提供薄膜晶体管、显示单元和电子设备。该薄膜晶体管包括:栅极电极;栅极绝缘膜,设置在该栅极电极上;氧化物半导体层,设置在该栅极绝缘膜上并且具有面对该栅极电极设置的沟道区域;沟道保护层,设置在该栅极绝缘膜和该氧化物半导体层上;以及源极电极和漏极电极,该源极电极和漏极电极的每一个通过在该沟道保护层中形成的连接孔连接到该氧化物半导体层,其中在该沟道区域的一部分中该氧化物半导体层具有狭窄区域,该狭窄区域的宽度窄于该连接孔的宽度。

    显示装置、其制造方法和电子单元

    公开(公告)号:CN103035737A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210371777.X

    申请日:2012-09-28

    Applicant: 索尼公司

    CPC classification number: H01L27/124 H01L27/1225 H01L29/45

    Abstract: 本发明提供了一种显示装置、其制造方法和电子单元。所述显示装置包括:薄膜晶体管;和布线层;所述薄膜晶体管包括控制电极,面对所述控制电极的半导体层,由透光材料制成且电连接至所述半导体层的第一电极,以及包括电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜的第二电极,所述第二电极电连接至所述半导体层和所述布线层中的每一个,其中构成所述金属膜的材料和构成所述布线层的一部分或全部的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料和所述导电材料之间的离子化倾向之差。

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