公开(公告)号：CN102646716A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210029038.2

申请日：2012-02-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 藤森隆成 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法及显示器，其中该薄膜晶体管的制造方法包括：在栅电极的上方隔着栅绝缘膜形成由氧化物半导体制成的沟道层，形成用于覆盖沟道层的由导电材料制成的沟道保护膜，并且以与沟道保护膜相接触的方式形成一对源电极和漏电极；以及通过利用导电材料与晶体氧化物半导体之间的选择性的蚀刻，去除源电极和漏电极之间的沟道保护膜的区域。

公开(公告)号：CN101800248A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010104366.5

申请日：2010-02-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 荒井俊明 ,  诸沢成浩 ,  德永和彦 ,  佐川裕志 ,  三浦究

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明公开了易于向氧化物半导体层供氧并能够恢复优良的晶体管特性的薄膜晶体管，并公开了包括上述薄膜晶体管的显示器件。所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层。在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。本发明的薄膜晶体管易于从开口部向氧化物半导体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。包含该薄膜晶体管的显示器件由于抑制了薄膜晶体管的氧化物半导体层的低阻抗性，因而能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。

公开(公告)号：CN101800248B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010104366.5

申请日：2010-02-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 荒井俊明 ,  诸沢成浩 ,  德永和彦 ,  佐川裕志 ,  三浦究

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明公开了易于向氧化物半导体层供氧并能够恢复优良的晶体管特性的薄膜晶体管，并公开了包括上述薄膜晶体管的显示器件。所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层。在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。本发明的薄膜晶体管易于从开口部向氧化物半导体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。包含该薄膜晶体管的显示器件由于抑制了薄膜晶体管的氧化物半导体层的低阻抗性，因而能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。

公开(公告)号：CN102290442A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110156387.6

申请日：2011-06-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  福本绘理 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管和显示装置，其中该薄膜晶体管包括：栅电极、源电极、漏电极、形成在栅电极上的氧化物半导体有源层、形成在氧化物半导体有源层的一部分上的固定电荷蓄积层、形成在固定电荷蓄积层上的固定电荷控制电极。

公开(公告)号：CN102084486A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125687.9

申请日：2009-06-24

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸泽成浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 提供了一种能够抑制氧化物半导体衬底中产生泄漏电流的薄膜晶体管。薄膜晶体管(1)包括：布置在衬底(11)上的栅电极(12)；以及被配置为覆盖栅电极(12)及衬底(11)的栅极绝缘膜(13)。氧化物半导体膜(14)形成在栅极绝缘膜(13)上与栅电极(12)对应的区域内。源电极(15A)与漏电极(15B)以彼此预定间隔设置在氧化物半导体膜(14)上。保护膜(16)形成在衬底(11)的整个表面上，以覆盖氧化物半导体膜(14)的沟道区域(14A)、源电极(15A)以及漏电极(15B)。保护膜(16)由氧化铝膜构成，并且该氧化铝膜通过原子层沉积法而形成。通过保护膜(16)抑制氢进入氧化物半导体膜(14)。

公开(公告)号：CN102130147B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201010563404.3

申请日：2010-11-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 荒井俊明

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5218

Abstract: 本发明公开了一种显示器及其制造方法以及电子设备。提供了包括发光元件的显示器。发光元件包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极，其中在源-漏电极层或栅电极层中形成下显示电极。还提供了该显示器的制造方法以及包括该显示器的电子设备。

公开(公告)号：CN102683383A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210032961.1

申请日：2012-02-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种显示装置和包括所述显示装置的电子设备。所述显示装置包括薄膜晶体管和布线层。所述薄膜晶体管包括：半导体层；栅极电极，其布置成与所述半导体层相对，所述栅极电极的厚度与所述布线层的厚度不同；以及位于所述半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘膜。本发明能够在保持布线层的低电阻的同时防止薄膜晶体管的界面处的膜脱落，从而获得稳定的电特性。

公开(公告)号：CN102157558A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030133.X

申请日：2011-01-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  福本绘理 ,  荒井俊明 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/12 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置。该薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘膜以及半导体氧化物膜，其中，栅电极的至少一部分包括金属氧化物。除了制造方法以外，还提供了包括该薄膜晶体管的电子装置和显示装置。

公开(公告)号：CN103178057A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210555624.0

申请日：2012-12-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明公开了一种显示器及电子单元。显示器件包括：显示元件；晶体管，其被配置为驱动显示元件，该晶体管包括沟道区；以及保持电容器。氧化物半导体膜被设置在横过晶体管和保持电容器的区域中，该氧化物半导体膜包括：第一区域，其在晶体管的沟道区中形成；以及第二区域，其具有比第一区域的电阻更低的电阻。第二区域在晶体管和保持电容器的除沟道区之外的区域中形成。

公开(公告)号：CN102194887A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110047595.2

申请日：2011-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  藤森隆成 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置，其中，薄膜晶体管具有一致且良好的电特性，并且具有允许减少制造步骤数的简单构造。薄膜晶体管包括：栅电极；氧化物半导体膜，具有非晶膜和结晶膜的多层结构；以及源电极和漏电极，被设置为接触结晶膜。