公开(公告)号：CN102906037B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180025936.4

申请日：2011-05-25

Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司

Inventor： W.莱曼 ,  T.凯泽

IPC: C03B19/09 ,  C30B15/10

CPC classification number: C03B19/095 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  C30B35/002

Abstract: 在已知的用于生产石英玻璃坩埚的方法中提供了一种真空熔融模具，在其内侧面上成形出一个SiO2颗粒的坩埚形颗粒层，该颗粒层具有一个底部区域和一个侧壁区域。在该多孔颗粒层的至少一部分上构成了一个少气泡的石英玻璃构成的表皮层。通过施加负压，至少从与该表皮层相邻的颗粒层的一部分中去除了气态组分，并且该颗粒层被玻璃化，同时形成具有坩埚高度H的石英玻璃坩埚。为了由此出发提供一种简化生成过程并且降低杂质进入硅熔体中的危险的石英玻璃坩埚，根据本发明提出，在该颗粒层的一个上部区域中在玻璃化时在该表皮层之下并且与之相邻地制造一个气泡区，该上部区域与下部区域相接并且延伸直至全高H，该气泡区包含具有一个比气泡体积的多个填充有气体的气泡，该比气泡体积为该少气泡的石英玻璃中填充有气体的气泡的比体积的至少两倍，其实现方式为在该颗粒层的一个下部区域中施加一个负压，该下部区域从底部区域最大延伸直至坩埚高度H的0.8倍。

公开(公告)号：CN104662210A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380050766.4

申请日：2013-09-17

Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司

Inventor： M.许纳曼 ,  T.凯泽 ,  W.勒曼

IPC: C30B15/10 ,  C30B30/06

CPC classification number: C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: 在已知的根据切克劳斯基法提拉半导体单晶的方法中，在石英玻璃坩埚中制造半导体熔体并从中提拉半导体单晶。所述石英玻璃坩埚的内壁和所述半导体熔体的自由熔体表面在此在坩埚内壁上径向环绕的接触区彼此接触并分别与熔体气氛接触，由此引发从所述接触区开始的熔体初振动。以在此基础上提供一种方法，其以减少的熔体振动和特别是以简单而短暂的拉晶过程为特征，本发明提出，引发频率彼此不同的初振动。

公开(公告)号：CN104245609A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380022734.3

申请日：2013-04-17

Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司

Inventor： W.莱曼 ,  A.霍夫曼 ,  T.凯泽 ,  M.阿尔恩特

IPC: C03B19/10 ,  F27B7/00

CPC classification number: C03B20/00 ,  C03B19/1095 ,  C03B2201/02 ,  C04B35/185 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/94 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C4/185 ,  F27B7/00 ,  F27B7/04 ,  F27B7/34

Abstract: 石英玻璃粒料的制备包括将热解制备的硅酸制粒、形成SiO2粒料和使所述SiO2粒料用处理气体玻璃化，所述处理气体含有至少30体积%的氦气和/或氢气。所述方法耗时且成本高。为了提供可以由多孔SiO2粒料起始以成本有效的方式制备致密的合成石英玻璃粒料的方法，其中所述石英玻璃粒料适合用于熔融由石英玻璃制成的无气泡组件，根据本发明所述SiO2粒料在具有含莫来石的陶瓷转筒的转筒炉中玻璃化，为此将含有摩尔份数至少45%的SiO2和Al2O3的起始粉末通过热粉末喷雾法施加到模具芯上以形成含莫来石的层，和随后移除模具芯，和其中所述陶瓷转筒用处理气体注满或用处理气体冲洗，其中所述处理气体含有至少30体积%的氦气和/或氢气。