公开(公告)号：KR100258884B1

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019970050569

申请日：1997-09-30

Applicant: 백홍구 ,  김종훈 ,  윤동수 ,  이성만

Inventor： 윤동수 ,  김종훈 ,  백홍구 ,  이성만

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: PURPOSE: A diffusion barrier for metalization of a semiconductor device, a diffusion barrier for a capacitor of a DRAM/FRAM device, and a method for manufacturing the same are provided to prevent the formation of Cu silicide or Ta silicide in following heat treatment process over 650 deg.C by using Ta as material for the diffusion barrier, thereby excluding the steep variance in surface resistance. CONSTITUTION: The diffusion barrier has a diffusion barrier thin film structure of Ta/M/Ta(here, M is one of W, Zr, Nb and V). The steep surface resistance increase of the diffusion barrier according to a following heat treatment after the deposition of the thin film occurs over 650 deg.C. It is preferable that the total thickness of the diffusion barrier is 500 angstrom or below. In the diffusion barrier for a capacitor of a DRAM/FRAM device, the steep surface resistance increase of the diffusion barrier according to the following heat treatment after the deposition of the thin film occurs over 650 deg.C.

Abstract translation: 目的：提供用于半导体器件的金属化的扩散阻挡层，用于DRAM / FRAM器件的电容器的扩散阻挡层及其制造方法，以防止在随后的热处理过程中形成Cu硅化物或Ta硅化物 通过使用Ta作为扩散阻挡层的材料，从而排除表面电阻的陡峭变化。 构成：扩散阻挡层具有Ta / M / Ta的扩散阻挡薄膜结构（这里，M是W，Zr，Nb和V之一）。 在薄膜沉积之后，根据随后的热处理，扩散阻挡层的陡峭表面电阻增加发生在650℃以上。 扩散阻挡层的总厚度优选为500埃以下。 在DRAM / FRAM器件的电容器的扩散阻挡层中，薄膜沉积后的随后的热处理的扩散阻挡层的陡峭表面电阻增加发生在650℃以上。

公开(公告)号：KR1019990054998A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970074901

申请日：1997-12-27

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이종기 ,  이승주 ,  이헌영 ,  장석원

IPC: H01M4/48

Abstract: 본 발명은, 보다 낮은 생산 원가와 보다 높은 생산 효율로 리튬 이차 전지용 LiCoO
2 양극 분말을 제조하기 위하여, 리튬 산화물, 리튬 과산화물로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 리튬 산화물과 CoO, Co
3 O
4 로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 코발트 산화물을 단순 혼합하고; 상기 혼합물을 대기중에서 600 내지 900℃의 온도 범위에서, 2 내지 24 시간 동안 열처리하여 합성하는; 리튬 이차 전지용 LiCoO
2 양극 재료의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019980025518A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960043658

申请日：1996-10-02

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이종기 ,  이승주

IPC: H01M4/02

Abstract: 본 발명은 리튬화합물 분말과 코발트 화합물 분말 또는 리튬화합물 분말과 망간화합물 분말을 혼합하는 단계, 상기 혼합물을 스테인레스 강 볼 또는 텅스텐 카바이드 볼을 사용하고 그 분위기가 산소 분위기인 볼 밀내로 도입하여 기계적 합금화를 수행하는 단계, 후속 열처리하는 단계로 이루어지는 리튬 이차 전지용 양극 재료의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100478823B1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：KR1020020005533

申请日：2002-01-31

Applicant: 대덕전자 주식회사 ,  백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이응석 ,  박해일 ,  이태일

IPC: H05H1/46

Abstract: 본 발명의 목적은 미세 공음극 원리를 이용한 간단한 구조의 에어 플라즈마 발생장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 에어 플라즈마 발생장치는 평판상에 다수의 미세홀이 연속적으로 형성되는 메쉬(Mesh)형 캐소드(10)와, 상기 메쉬형 캐소드 플레이트에 평행하게 배치되는 애노드(20)와, 상기 캐소드와 에노드 사이에 배치되어 그들 사이의 간격을 일정한 거리로 유지 시켜주기 위한 스페이서(30)와, 대기압 하의 상기 캐소드와 애노드 사이에 고주파 전력을 공급하기 위한 RF파워공급부(40)를 포함한다.
이와 같은 본 발명의 에어 플라즈마 발생장치는 캐소드 플레이트 상의 메쉬 사이즈의 조절 및 캐소드 플레이트 사이즈 조절을 통하여 대기압 하에서 대면적 및 원거리 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100477979B1

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：KR1020020069400

申请日：2002-11-09

Applicant: 백홍구

Inventor： 백홍구 ,  노순준

IPC: G02F1/1337

Abstract: 본 발명은 종래 액정배향막의 문제점과 한계를 극복하기 위하여, (a) 기판 위에 진공증착법에 의해 박막내 수소함량이 30원자%를 초과하는 PLC 박막을 증착하는 단계, (b) 상기 PLC 박막을, 100 ~ 300 eV의 에너지를 갖는 이온빔으로 표면처리함으로써, 광학적 대역폭이 1.5 eV 이상인 PLC 박막 액정배향막을 형성하는 단계로 이루어지는 액정 디스플레이용 액정배향막의 제조방법을 제공한다. 여기서, 상기 표면처리시, 상기 이온빔이 상기 박막에 10°~ 70°의 각도로 조사되는 것이 바람직하고, 상기 (b) 단계 이전에 상기 PLC 박막은 플라즈마 에칭 또는 이온빔 에칭 단계를 추가로 거치는 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR100385485B1

公开(公告)日：2003-05-27

申请号：KR1020010004262

申请日：2001-01-30

Applicant: 백홍구 ,  배준현 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  배준현 ,  이승주 ,  김우진 ,  정상헌

IPC: H01M6/18

Abstract: PURPOSE: Provided is a thin film electrolyte having at least two network former, which is excellent in cycle property and stability and has low reactivity with electrodes and long cycle lifetime. CONSTITUTION: The thin film electrolyte contains Li, P, O, X, and Y atoms, wherein one of X and Y is a substance forming a network structure, such as Si, B, S, and the other is a substance modifying the network structure, such as Ag, N, S. And the thin film electrolyte containing Li, P, O, Si, and N is produced by forming a target giving Li, P, O, Si and then sputtering under high vacuum and N2 atmosphere.

Abstract translation: 目的：提供一种具有至少两个网络形成剂的薄膜电解质，其具有优异的循环特性和稳定性，并且与电极的反应性低并且循环寿命长。 构成：薄膜电解质含有Li，P，O，X和Y原子，其中X和Y中的一个是形成网络结构的物质，如Si，B，S，另一种是修饰网络 通过形成Li，P，O，Si的靶，然后在高真空和N 2气氛下进行溅射来制造包含Li，P，O，Si和N的薄膜电解质。

公开(公告)号：KR100373747B1

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：KR1020000033592

申请日：2000-06-19

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이승주 ,  정상헌 ,  이헌영 ,  황성민

IPC: H01M4/04

Abstract: 본 발명의 목적은 실리콘 음극 물질을 박막화하여 마이크로 전지의 음극으로 사용함으로써 기존의 리튬 금속을 이용하여 제조된 마이크로 전지보다 고온에서, 특히 180℃ 이상의 온도에서 열적으로 안정하고, 작동 중의 안전성이 향상된 음극을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따르면, 리튬 이차 마이크로 전지용 음극에 있어서, 상기 음극은 실리콘을 박막 증착 공정을 통하여 박막으로 형성시킨 실리콘 박막음극인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 마이크로 전지용 음극이 제공된다. 이로써 마이크로 전지의 이용분야의 확대, 소형화, 안정성을 동시에 기할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100269884B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019970074901

申请日：1997-12-27

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이종기 ,  이승주 ,  이헌영 ,  장석원

IPC: H01M4/48

Abstract: PURPOSE: A method for preparing LICoO2 anode material of rechargeable lithium ion battery is provided for obtaining fine particles for more reduced time of 92% by using the simple mixture of Li2O2 and Co3O4, compared with the conventional solid reaction manner. CONSTITUTION: The method for preparing LICoO2 anode material of rechargeable lithium ion battery comprises mixing at least one of lithium oxides and cobalt oxides such as CoO, Co3O4; heating the mixture at 600-900 deg.C. for 2-25 hours to synthesize the final product. The cobalt oxide is preferably Co3O4 and the lithium oxide is Li2O2 and both of them are uniformly blended in a molar ratio of 1:1 in Li:Co by mortar for 20 minutes. The obtained material is heated by 10deg.C/min to reach 800 deg.C for 2-20 hours.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制备可再充电锂离子电池的LICoO2阳极材料的方法，与常规的固体反应方式相比，通过使用Li2O2和Co3O4的简单混合物获得更小的时间，减少了92％的细颗粒。 构成：用于制备可再充电锂离子电池的LICoO2阳极材料的方法包括将氧化钴和钴氧化物中的至少一种如CoO，Co 3 O 4， 在600-900℃加热混合物。 2-25小时合成最终产品。 氧化钴优选为Co 3 O 4，氧化锂为Li 2 O 2，两者均通过研钵在Li:Co中以1：1的摩尔比均匀混合20分钟。 将得到的材料以10℃/分钟加热达到800℃2-20小时。

公开(公告)号：KR1019990028026A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970050569

申请日：1997-09-30

Applicant: 백홍구 ,  김종훈 ,  윤동수 ,  이성만

Inventor： 윤동수 ,  김종훈 ,  백홍구 ,  이성만

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 본 발명은, 고온의 후속 열처리에서도 구리실리사이드 내지 탄실리사이드의 형성 없이도 안정적인 면저항 값이 얻어질 수 있도록 하기 위해서, 이온선 보조 증착법에 의해 Ta/M/Ta(상기 M은 W, Zr, Nb 및 V 중 어느 하나)계의 박막을 적층함으로써 상기 박막의 증착 후 행해지는 후속 열처리에 따른 상기 확산 방지막의 면저항의 급속한 증가가 650℃ 이상에서 이루어지는 반도체 소자 배선 재료용 확삭 방지막 및 DRAM 과 FRAM 소자의 캐패시터용 확산 방지막과 그의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100513185B1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020030036343

申请日：2003-06-05

Applicant: 이성만 ,  백홍구

Inventor： 이성만 ,  백홍구 ,  배준현 ,  이승주 ,  김우진 ,  정상헌

IPC: H01M10/05

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M10/052

Abstract: 본 발명은 리튬 이차 전지용 고체 전해질에 관한 것으로서, 본 발명의 리튬 이차 전지용 고체 전해질은 Li, P, X, O 및 N (여기서, P에 대한 X의 몰비(X/P)가 1 이하이고 X는 B, Si, Al, Ge 및 As 로 이루어진 군에서 선택됨)의 5개의 원자를 함유하는 5원계 박막 전지용 고체 전해질이다. 여기서 P와 X는 네트워크의 골격을 형성하는 물질이고, N은 네트워크의 골격을 개질시켜 그물 구조를 형성하는 물질이다.