公开(公告)号：KR100487021B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020020031862

申请日：2002-06-07

Applicant: 이성만 ,  백홍구

Inventor： 이성만 ,  백홍구 ,  이승주 ,  이헌영 ,  김영래

IPC: H01M4/1395 ,  B82Y30/00

Abstract: 본 발명은 리튬 이차 박막 전지용 음극 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 이 제조 방법은 에너지를 인가하면서, 리튬과 반응하지 않는 금속, 및 실리콘을 이용하여 기판 위에 박막을 형성하는 공정을 포함한다. 상기 에너지를 인가하는 공정은 박막 형성 공정 이후에 실시할 수도 있다.
본 발명의 음극을 사용한 박막 전지는 고온(특히 180℃ 이상의 온도)에서도 사용 가능하므로 전지의 이용분야에 제한을 덜 받게 된다. 또한, 본 발명에서는 높은 활성을 가진 리튬대신 실리콘을 음극재료로 사용하므로 매우 향상된 안정성을 기할 수 있고, 보호막의 설계가 매우 용이하게 되며 이에 따른 비용이 절감된다. 또한, 본 발명에 따르면, 실리콘 박막음극이 리튬과 반응하여 생기는 부피 변화가 억제되어 실리콘 전극의 충방전 성능을 향상시킨 박막 전지용 음극을 제조할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020030094759A

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1020020032042

申请日：2002-06-07

Applicant: 강원대학교산학협력단 ,  백홍구

Inventor： 이성만 ,  백홍구 ,  이승주 ,  이희원 ,  임정규 ,  유병주 ,  이승태

IPC: H01M10/05

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M10/4235 ,  H01M2300/0071

Abstract: PURPOSE: A solid electrolyte for a lithium secondary battery, its preparation method and a lithium secondary battery and a microsensor containing the electrolyte are provided, to improve the stability of the solid electrolyte at an electrode and an interface by a high lithium ion conductivity, a low electron conductivity and a structurally stable network structure. CONSTITUTION: The solid electrolyte comprises five elements comprising Li, B, X, O and N, wherein the molar ratio of X/B is 1 or less and X is selected from the group consisting of Si, Al, Ge and As. The method comprises the steps of forming a target capable of providing Li, B, X and O with a molar ratio of X/B of 1 or less; and sputtering it under pure N2 or the atmosphere containing N2 to form a thin film comprising five elements comprising Li, B, X, O and N. Also the solid electrolyte comprises five elements comprising Li, B, P, O and N, wherein the molar ratio of P/B is 1 or less. The method comprises the steps of forming a target capable of providing Li, B, P and O with a molar ratio of P/B of 1 or less; and sputtering it under pure N2 or the atmosphere containing N2 to form a thin film containing five elements comprising Li, B, P, O and N.

Abstract translation: 目的：提供一种用于锂二次电池的固体电解质及其制备方法和锂二次电池以及含有电解质的微传感器，以提高固体电解质在电极和界面处的高锂离子传导性的稳定性， 低电子导电性和结构稳定的网络结构。 构成：固体电解质包含由Li，B，X，O和N组成的五种元素，其中X / B的摩尔比为1或更小，X选自Si，Al，Ge和As。 该方法包括以X / B摩尔比为1以下的方式形成能够提供Li，B，X和O的靶的步骤; 并在纯N 2或含有N 2的气氛下溅射，形成包含Li，B，X，O和N的五种元素的薄膜。固体电解质包括由Li，B，P，O和N组成的五种元素，其中 P / B摩尔比为1以下。 该方法包括以P / B摩尔比为1以下的方式形成能够提供Li，B，P和O的靶; 并在纯N 2或含有N 2的气氛下溅射，形成含有Li，B，P，O和N的五种元素的薄膜。

公开(公告)号：KR100406297B1

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：KR1020020005532

申请日：2002-01-31

Applicant: 대덕전자 주식회사 ,  백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이응석 ,  박해일 ,  이태일

IPC: H05K3/00

Abstract: PURPOSE: An apparatus for cleaning via holes of printed circuit board(PCB) by using an atmospheric pressure plasma is provided to improve the anisotropic etching characteristics of a micro via hole by using the micro hollow cathode plasma characteristics. CONSTITUTION: A micro hollow-type cathode(10) is provided with multi-spraying fine holes(11) that are continuously placed on a flat plate. An atmospheric gas supplying unit(20) flows an atmospheric gas into a space between the cathode(10) and an anode(30) through a micro hollow of the cathode(10). The anode(30) is separately arranged on the cathode(10) in parallel at regular intervals. An RF(Radio Frequency) power supplying unit(40) supplies a high frequency power between the cathode(10) and the anode(30). In a punching process, a PCB is passed through a plasma forming space between the cathode(10) and the anode(30).

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用大气压等离子体来清洁印刷电路板（PCB）的通孔的装置，以通过使用微中空阴极等离子体特性来改善微通孔的各向异性蚀刻特性。 构成：微型中空型阴极（10）具有连续放置在平板上的多喷射细孔（11）。 气氛气体供应单元（20）通过阴极（10）的微空心将气氛气体流入阴极（10）和阳极（30）之间的空间。 阳极（30）以规则的间隔平行地分开设置在阴极（10）上。 RF（射频）供电单元（40）在阴极（10）和阳极（30）之间供应高频电力。 在冲压工艺中，PCB穿过阴极（10）和阳极（30）之间的等离子体形成空间。

公开(公告)号：KR1020010106788A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020000027751

申请日：2000-05-23

Applicant: 한화나노텍 주식회사 ,  백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이승종 ,  유재은

IPC: H05H1/48 ,  B82Y30/00

Abstract: 회전 전극 플라즈마 장치 및 이를 이용한 탄소 나노체 합성 방법을 제공한다. 본 발명의 회전 전극 플라즈마 장치는 진공 챔버 내의 일측 내부에 설치된 음극과, 상기 음극과 대향되어 상기 진공 챔버 내에 배치되고 회전할 수 있는 양극과, 상기 진공 챔버 내의 양극 및 음극의 상하로 위치하고 상하 및 전후로 이동할 수 있는 기판을 포함한다. 상기 음극에 음전압을 인가하고 상기 양극에 양전압을 인가하여 음극과 양극간에 아크 방전을 발생시켜 양극을 소모시킬 수 있고 음극과 양극 사이에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 전원 장치를 포함한다. 따라서, 아크 방전과 플라즈마 발생시 상기 양극에서 증발한 탄소가 상기 플라즈마에 의하여 활성화되고 상기 회전하는 양극에 의해 발생하는 원심력에 의해 기판 상에 탄소 나노 튜브나 나노 그라파이트를 합성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040013979A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020047135

申请日：2002-08-09

Applicant: 백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이덕연

IPC: C01G23/04

CPC classification number: C01G23/047 ,  A61K6/0235

Abstract: PURPOSE: Provided is a method for producing titanium oxide-based materials using micro-hollow cathode emission, which is processed under atmospheric pressure, and reduces the cost and increases the productivity in the field of advanced materials. CONSTITUTION: The method comprises the steps of generating oxygen plasma or ozone by micro-hollow cathode emission, and oxidizing a titanium-based substance by the oxygen plasma or ozone to form a titanium oxide-based material(TixOy). In particular, the titanium oxide-based material(TixOy) is titanium dioxide(TiO2). In the case of a dental implant material, the method further comprises the step for forming an implant having a desired shape from a titanium-based material. Then, the implant is coated with the stable TixOy layer produced by the aforesaid method.

Abstract translation: 目的：提供一种使用微空心阴极发射的氧化钛系材料的制造方法，其在大气压下进行处理，降低成本并提高先进材料领域的生产率。 方案：该方法包括通过微空心阴极发射产生氧等离子体或臭氧，并通过氧等离子体或臭氧氧化钛基物质以形成氧化钛基材料（TixOy）的步骤。 特别地，氧化钛系材料（TixOy）是二氧化钛（TiO 2）。 在牙科植入材料的情况下，该方法还包括从钛基材料形成具有期望形状的植入物的步骤。 然后，用上述方法制备的稳定的TixOy层涂覆植入物。

公开(公告)号：KR1020030065766A

公开(公告)日：2003-08-09

申请号：KR1020020005533

申请日：2002-01-31

Applicant: 대덕전자 주식회사 ,  백홍구

Inventor： 백홍구 ,  이응석 ,  박해일 ,  이태일

IPC: H05H1/46

Abstract: PURPOSE: An air plasma generation apparatus is provided, which has a simple structure using a micro void phenomenon, and achieves an in-line process using plasma by extending a plasma arrival distance under an atmospheric pressure. CONSTITUTION: A mesh type cathode(10) where each mesh cell has a micro hole function for multi injection is formed on a flat plane, and an anode(20) is arranged in parallel with the mesh type cathode. A spacer(30) is arranged between the mesh type cathode and the anode to maintain a constant distance between them. And a RF power supply part(40) supplies a RF power between the cathode and the anode under the atmospheric pressure.

Abstract translation: 目的：提供一种空气等离子体产生装置，其具有使用微空隙现象的简单结构，并且通过在大气压下延伸等离子体到达距离来实现使用等离子体的在线处理。 构成：在平面上形成有网状阴极（10），其中每个网孔具有用于多次注射的微孔功能，并且阳极（20）与网状阴极平行布置。 间隔件（30）布置在网状阴极和阳极之间以保持它们之间的恒定距离。 并且RF电源部件（40）在大气压力下在阴极和阳极之间提供RF功率。

公开(公告)号：KR1020010113305A

公开(公告)日：2001-12-28

申请号：KR1020000033592

申请日：2000-06-19

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이승주 ,  정상헌 ,  이헌영 ,  황성민

IPC: H01M4/04

Abstract: 본 발명의 목적은 실리콘 음극 물질을 박막화하여 마이크로 전지의 음극으로 사용함으로써 기존의 리튬 금속을 이용하여 제조된 마이크로 전지보다 고온에서, 특히 180℃ 이상의 온도에서 열적으로 안정하고, 작동 중의 안전성이 향상된 음극을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따르면, 리튬 이차 마이크로 전지용 음극에 있어서, 상기 음극은 실리콘을 박막 증착 공정을 통하여 박막으로 형성시킨 실리콘 박막음극인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 마이크로 전지용 음극이 제공된다. 이로써 마이크로 전지의 이용분야의 확대, 소형화, 안정성을 동시에 기할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100258884B1

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019970050569

申请日：1997-09-30

Applicant: 백홍구 ,  김종훈 ,  윤동수 ,  이성만

Inventor： 윤동수 ,  김종훈 ,  백홍구 ,  이성만

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: PURPOSE: A diffusion barrier for metalization of a semiconductor device, a diffusion barrier for a capacitor of a DRAM/FRAM device, and a method for manufacturing the same are provided to prevent the formation of Cu silicide or Ta silicide in following heat treatment process over 650 deg.C by using Ta as material for the diffusion barrier, thereby excluding the steep variance in surface resistance. CONSTITUTION: The diffusion barrier has a diffusion barrier thin film structure of Ta/M/Ta(here, M is one of W, Zr, Nb and V). The steep surface resistance increase of the diffusion barrier according to a following heat treatment after the deposition of the thin film occurs over 650 deg.C. It is preferable that the total thickness of the diffusion barrier is 500 angstrom or below. In the diffusion barrier for a capacitor of a DRAM/FRAM device, the steep surface resistance increase of the diffusion barrier according to the following heat treatment after the deposition of the thin film occurs over 650 deg.C.

Abstract translation: 目的：提供用于半导体器件的金属化的扩散阻挡层，用于DRAM / FRAM器件的电容器的扩散阻挡层及其制造方法，以防止在随后的热处理过程中形成Cu硅化物或Ta硅化物 通过使用Ta作为扩散阻挡层的材料，从而排除表面电阻的陡峭变化。 构成：扩散阻挡层具有Ta / M / Ta的扩散阻挡薄膜结构（这里，M是W，Zr，Nb和V之一）。 在薄膜沉积之后，根据随后的热处理，扩散阻挡层的陡峭表面电阻增加发生在650℃以上。 扩散阻挡层的总厚度优选为500埃以下。 在DRAM / FRAM器件的电容器的扩散阻挡层中，薄膜沉积后的随后的热处理的扩散阻挡层的陡峭表面电阻增加发生在650℃以上。

公开(公告)号：KR1019990054998A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970074901

申请日：1997-12-27

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이종기 ,  이승주 ,  이헌영 ,  장석원

IPC: H01M4/48

Abstract: 본 발명은, 보다 낮은 생산 원가와 보다 높은 생산 효율로 리튬 이차 전지용 LiCoO
2 양극 분말을 제조하기 위하여, 리튬 산화물, 리튬 과산화물로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 리튬 산화물과 CoO, Co
3 O
4 로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 코발트 산화물을 단순 혼합하고; 상기 혼합물을 대기중에서 600 내지 900℃의 온도 범위에서, 2 내지 24 시간 동안 열처리하여 합성하는; 리튬 이차 전지용 LiCoO
2 양극 재료의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019980025518A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960043658

申请日：1996-10-02

Applicant: 백홍구 ,  이성만

Inventor： 백홍구 ,  이성만 ,  이종기 ,  이승주

IPC: H01M4/02

Abstract: 본 발명은 리튬화합물 분말과 코발트 화합물 분말 또는 리튬화합물 분말과 망간화합물 분말을 혼합하는 단계, 상기 혼합물을 스테인레스 강 볼 또는 텅스텐 카바이드 볼을 사용하고 그 분위기가 산소 분위기인 볼 밀내로 도입하여 기계적 합금화를 수행하는 단계, 후속 열처리하는 단계로 이루어지는 리튬 이차 전지용 양극 재료의 제조방법을 제공한다.