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公开(公告)号：KR100930922B1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：KR1020050105701
申请日：2005-11-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/047 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 염료감응태양전지 및 그 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따르는 염료감응태양전지는 서로 대향되게 배치되는 제1기판과 제2기판과, 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 구비되고, 광화학적 반응을 위한 비표면적이 큰 복수개의 돌출부를 갖는 적어도 하나의 나노튜브산화물층을 포함하고, 상기 나노튜브산화물층에 화학적으로 흡착되어, 여기된 전자를 공급할 수 있는 염료층을 포함하는 반도체전극과, 상기 반도체전극과 대향되고 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 마련되어 통전되도록 하는 대향전극 및 상기 반도체전극과 대향전극 사이에 개재되어 산화-환원반응에 의하여 상기 염료층에 전자를 공급해줄 수 있는 전해질용액을 포함하는 것을 특징으로 하는데, 염료층에서 여기된 전자의 이동에 있어서, 전극의 형태(morphology)에 영향을 받게 된다. 양극산화로 얻어진 나노튜브 모양의 표면 형태는 전자의 이동 경로가 직선 형태로 최소화되어 전자의 손실을 줄일 수 있으며, 복수개의 나노튜브의 표면 염료 흡착이 가능하여 넓은 표면적에서 광흡수을 할 수 있으며, 또한 양면의 나노튜브에 흡수 파장대가 다른 염료를 흡착하여 광흡수도를 증가시킬 수 있다.Abstract translation: 公开了染料敏化太阳能电池及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020120045455A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：KR1020100106998
申请日：2010-10-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/0224
Abstract: 본 발명은 태양전지 모듈에 있어서 후면전극층에 금속 플라즈마 이온을 주입 및 증착하여 상기 후면전극층의 표면을 개질시킴으로써 태양전지의 후면전극 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이온믹싱법을 이용한 태양전지의 후면전극 제조방법 및 이에 의해 제조된 태양전지 후면전극에 따르면, 페이스트를 이용한 Ag 버스바를 사용하지 아니하여 후면전극 전체면적에 후면전계가 형성될 수 있어 후면 재결합을 감소시켜 광전기 변환효율을 증대시키는 효과를 가진다. 또한, 이온믹싱법을 사용하여 금속 플라즈마 이온을 주입 및 증착함으로써 후면전극층의 표면을 개질시켜 Ag 버스바보다 금속리본과의 접착성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 아울러, 태양전지의 단회로 광전류 밀도(Jsc), 개방전압(Voc), 및 충진률이 증대될 수 있으며, 고가의 Ag 페이스트를 사용하지 아니함으로써 비용 절약의 효과가 기대된다.
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公开(公告)号：KR1020110047828A
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020090104607
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/072
Abstract: PURPOSE: A silicon hetero-junction and a manufacturing method thereof are provided to optimize the thickness of a passivation layer by forming the passivation layer through an oxide process using ultrapure water or HNO3 solutions. CONSTITUTION: A first type crystalline silicon substrate is prepared. A passivation layer(120) is formed on the first type crystalline silicon substrate by using an oxidation process. A second type amorphous silicon layer(130) is formed on the passivation layer. A transparent conductive layer and a top electrode(170) are formed on a second type amorphous silicon layer. A bottom electrode is formed on the bottom of the first type crystalline silicon substrate.
Abstract translation: 目的：提供硅异质结及其制造方法，以通过使用超纯水或HNO 3溶液的氧化法形成钝化层来优化钝化层的厚度。 构成：制备第一种晶体硅衬底。 通过使用氧化工艺在第一种晶体硅衬底上形成钝化层（120）。 在钝化层上形成第二类非晶硅层（130）。 在第二类非晶硅层上形成透明导电层和顶电极（170）。 底部电极形成在第一类型晶体硅衬底的底部。
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公开(公告)号：KR100850641B1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：KR1020070017633
申请日：2007-02-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: A method of manufacturing a high efficient crystalline silicon solar cell is provided to prevent generation of interface defects from an interface between an emitter and a transparent conductive oxide layer. A second type silicon emitter layer(310) is formed on a first type crystalline base silicon layer(300). A buffer layer(320) is formed on the second type silicon emitter layer. A transparent conductive oxide layer(330) is formed on the buffer layer. An upper metal electrode line(340) is formed in a constant interval on the transparent conductive oxide layer. A lower metal electrode line(350) is formed on a rear surface of the base silicon substrate. The first type and second type are a p type and an n type or the n type and the p type.
Abstract translation: 提供一种制造高效晶体硅太阳能电池的方法，以防止从发射极和透明导电氧化物层之间的界面产生界面缺陷。 在第一类型的晶体基底硅层（300）上形成第二类型的硅发射极层（310）。 在第二型硅发射极层上形成缓冲层（320）。 在缓冲层上形成透明导电氧化物层（330）。 在透明导电氧化物层上以恒定的间隔形成上部金属电极线（340）。 在基底硅衬底的后表面上形成下部金属电极线（350）。 第一类型和第二类型是p型和n型或n型和p型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101113503B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020090104608
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 유도전류 장치를 이용한 실리콘 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 제1 타입 결정질 실리콘 기판 상부에 에미터가 되는 제2 타입 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 제2 타입 실리콘층 상부에 패시베이션막 또는 반사방지막을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션막 또는 반사방지막 상부에 전면 금속전극을 형성하고, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하부에 후면 금속전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 유도전류 장치를 이용하여 상기 전면 금속전극에 선택적으로 열처리(Firing)하는 단계 및 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하부에 후면금속전극 접촉 및 후면전계를 형성하는 단계를 제공하는 발명에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020120015038A
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：KR1020100077246
申请日：2010-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022425 , C23F13/20 , H01L31/0201 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A photovoltaic module having corrosion resistance is provided to minimize the reduction of a current and a voltage by preventing serial resistance from increasing at a spot where a ribbon and a cell are connected. CONSTITUTION: An interconnector ribbon(4) connects cells in a solar cell(3). An anode for a protection method is attached on the interconnector ribbon. The interconnector ribbon is made of a copper electrode which is coated with a SN-PB(Stannum-Plumbum) alloy. The anode for the protection method is a sacrificial anode. The sacrificial anode is a metal having bigger ionization tendency than the interconnector ribbon.
Abstract translation: 目的：提供具有耐腐蚀性的光伏模块，以通过防止串联电阻在带状和电池连接的位置增加而最小化电流和电压的降低。 构成：连接器带（4）连接太阳能电池（3）中的电池。 用于保护方法的阳极安装在互连器带上。 连接器带由涂覆有SN-PB（锡 - 铅）合金的铜电极制成。 用于保护方法的阳极是牺牲阳极。 牺牲阳极是比互连器带具有更大电离倾向的金属。
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公开(公告)号：KR1020110047827A
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020090104606
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , H01L31/072
Abstract: PURPOSE: A silicon hetero junction solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve an electric property by forming a diffusion preventing layer between an amorphous silicon layer and a transparent conductive oxide layer. CONSTITUTION: A second type amorphous silicon film(530a) is formed on the front of a first type crystal silicon substrate. The second type amorphous silicon film includes a second type semiconductor material which forms a P-N junction structure with a first type semiconductor material. A first diffusion preventing layer is formed by rapid thermal anneal at 200 to 300 degrees centigrade after a TiO2 is spread on the second type amorphous silicon film. A first transparent conductive oxide layer(550a) is formed on the front of the first diffusion preventing layer. A front electrode(560a) is electrically connected to the second type amorphous silicon film. A rear electrode is electrically connected to the first type crystal silicon substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种硅异质结太阳能电池及其制造方法，以通过在非晶硅层和透明导电氧化物层之间形成扩散防止层来改善电性能。 构成：第一类型的非晶硅膜（530a）形成在第一种晶体硅衬底的前面。 第二种非晶硅膜包括与第一类型的半导体材料形成P-N结结构的第二类型的半导体材料。 在第二类非晶硅膜上涂布TiO 2后，在200〜300℃下进行快速热退火，形成第一扩散防止层。 第一透明导电氧化物层（550a）形成在第一扩散防止层的前面。 前电极（560a）与第二型非晶硅膜电连接。 后电极与第一型晶体硅衬底电连接。
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公开(公告)号：KR1020070048527A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：KR1020050105701
申请日：2005-11-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/047 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/047 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 염료감응태양전지 및 그 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따르는 염료감응태양전지는 서로 대향되게 배치되는 제1기판과 제2기판과, 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 구비되고, 광화학적 반응을 위한 비표면적이 큰 복수개의 돌출부를 갖는 적어도 하나의 나노튜브산화물층을 포함하고, 상기 나노튜브산화물층에 화학적으로 흡착되어, 여기된 전자를 공급할 수 있는 염료층을 포함하는 반도체전극과, 상기 반도체전극과 대향되고 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 마련되어 통전되도록 하는 대향전극 및 상기 반도체전극과 대향전극 사이에 개재되어 산화-환원반응에 의하여 상기 염료층에 전자를 공급해줄 수 있는 전해질용액을 포함하는 것을 특징으로 하는데, 염료층에서 여기된 전자의 이동에 있어서, 전극의 형태(morphology)에 영향을 받게 된다. 양극산화로 얻어진 나노튜브 모양의 표면 형태는 전자의 이동 경로가 직선 형태로 최소화되어 전자의 손실을 줄일 수 있으며, 복수개의 나노튜브의 표면 염료 흡착이 가능하여 넓은 표면적에서 광흡수을 할 수 있으며, 또한 양면의 나노튜브에 흡수 파장대가 다른 염료를 흡착하여 광흡수도를 증가시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR101148031B1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：KR1020100077246
申请日：2010-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022425 , C23F13/20 , H01L31/0201 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 모듈에서 태양전지 셀과 셀 사이를 연결하는 인터커넥터 리본과, 태양전지 셀 사이의 연결부위의 부식을 방지하기 위해, 인터커넥터 리본 상에 방식용 양극으로서 희생양극을 부착한 것을 특징으로 하는 내부식성 태양전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 따른 내부식성 태양전지 모듈은, 외부환경에 의한 인터커넥터 리본의 부식을 방지함으로서 리본과 셀 간의 연결부위의 직렬저항 증가를 방지하여 발전 효율감소를 현저하게 감소시킬 수 있을 뿐 아니라, 태양전지 모듈의 수명감소 현상을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
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