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公开(公告)号：WO2018088789A1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：PCT/KR2017/012574
申请日：2017-11-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/042 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지의 전면 전극에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 전면 전극은 n형 반도체 기판(1)의 수광면에 배치되는 태양전지의 전면 전극에 있어서, 원형 또는 다각형 도트(dot) 형상으로 형성되고, 서로 이격 배치되는 다수의 금속도트(10), 및 금속도트(10)를 가로질러, 적어도 2개 이상의 금속도트(10)를 서로 연결하는 다수의 금속와이어(20)를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的太阳能电池的正面电极是设置在n型半导体衬底1的光接收表面上的太阳能电池的正面电极， 多个金属点10形成为圆形或多边形的点形状并且彼此间隔开，并且多个金属点10与金属点10交叉并且将至少两个或更多个金属点10彼此连接 并且多根金属线20彼此电连接。
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公开(公告)号：WO2012020964A2
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/005784
申请日：2011-08-09
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김동환 , 탁성주 , 강민구 , 박성은
IPC: H01L31/05
CPC classification number: H01L31/022425 , C23F13/20 , H01L31/0201 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 모듈에서 태양전지 셀과 셀 사이를 연결하는 인터커넥터 리본과, 태양전지 셀 사이의 연결부위의 부식을 방지하기 위해, 인터커넥터 리본 상에 방식용 양극으로서 희생금속을 부착한 것을 특징으로 하는 내부식성 태양전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 외부환경에 의한 인터커넥터 리본의 부식을 방지함으로써 리본과 셀 간의 연결부위의 직렬저항 증가를 방지하고 발전 효율의 열화를 현저하게 저감시킬 수 있는 효과가 있다. 아울러, 태양전지 모듈의 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种耐腐蚀光伏组件，其特征在于，连接光伏电池的连接器带和光伏电池之间的空间以及用于阴极保护的阳极的牺牲金属连接到互连器带上以防止连接的腐蚀 光伏电池之间的一部分。 本发明可以防止带状和电池之间的连接部分处的串联电阻的增加，并且可以通过防止由于外部环境导致的互连器带的腐蚀而显着降低发电效率的劣化。 此外，光伏组件的寿命可以延长。
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公开(公告)号：KR101300803B1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：KR1020130050291
申请日：2013-05-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극 소성 공정시 에미터 또는 전면전계 및 후면전계를 동시 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 태양전지는 pn 접합 면적이 확대되어 태양광 수광 능력이 향상되고, 높은 표면 재결합 방지 효과를 나타내어 광전기 변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020130008913A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110069601
申请日：2011-07-13
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for forming a solar cell doped layer using a solid phase epitaxy is provided to increase p-n junction area by omitting an edge isolation process. CONSTITUTION: An amorphous layer is deposited on a crystal silicon substrate. Impurities are doped in the amorphous layer. A reflection barrier layer(3) is deposited on the impurity doped amorphous layer(2). A metal paste(4) is printed on the reflection barrier layer and the rear surface of the silicon substrate. A thermal process is performed on the resultant.
Abstract translation: 目的：提供一种使用固相外延形成太阳能电池掺杂层的方法，以通过省略边缘隔离工艺来增加p-n结面积。 构成：在晶体硅衬底上沉积非晶层。 杂质掺杂在非晶层中。 反射阻挡层（3）沉积在杂质掺杂非晶层（2）上。 在反射阻挡层和硅衬底的后表面上印刷金属膏（4）。 对所得物进行热处理。
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公开(公告)号：KR101144254B1
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：KR1020100114338
申请日：2010-11-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/05
Abstract: PURPOSE: A solar cell module and a manufacturing method thereof are provided to execute a tabbing process in the low temperature and low pressure condition by forming a hole on an interconnection ribbon interlinking an interval of solar cells. CONSTITUTION: A hole is formed on an interconnection ribbon by using mechanical drilling, laser drilling, or lithography. Diameter of the hole is 0.1 to 1mm. The interconnection ribbon is composed of a copper electrode coated by alloy including lead. The interconnection ribbon is in which the hole is formed is tabbed to a bus bar which is formed on a solar cell. The solar cells are connected by using the interconnection ribbon attached to the bus bar. Tempered glass, an EVA film, the solar cell, the EVA film, and a back sheet are successively laminated.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池组件及其制造方法，通过在连接太阳能电池间隔的互连带上形成孔，在低温低压状态下进行拉片加工。 构成：通过使用机械钻孔，激光钻孔或光刻，在互连带上形成孔。 孔直径为0.1〜1mm。 互连带由由包括铅的合金涂覆的铜电极组成。 其中形成有孔的互连带被标记到形成在太阳能电池上的汇流条上。 太阳能电池通过使用连接到母线的互连带来连接。 依次层叠钢化玻璃，EVA膜，太阳能电池，EVA膜和背板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110047829A
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020090104608
申请日：2009-10-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon solar cell using an induced current device is provided to maximally increase a filling rate by reducing interface detects. CONSTITUTION: A second type silicon layer is formed on the upper side of a first type crystalline silicon substrate. A passivation layer or anti-reflection layer(130) is formed on the upper side of the second type silicon layer. A front metal electrode is formed on the upper side of the passivation layer or anti-reflection layer. A rear metal electrode(140) is formed on the lower side of the first type crystalline silicon substrate. A front metal electrode is selectively fired by using an induced current device. A passivation layer is formed between the first type crystalline silicon substrate and the second type silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供使用感应电流装置制造硅太阳能电池的方法，通过减少接口检测来最大限度地增加填充率。 构成：在第一种晶体硅衬底的上侧形成第二类型的硅层。 钝化层或抗反射层（130）形成在第二类硅层的上侧。 在钝化层或防反射层的上侧形成有前金属电极。 后金属电极（140）形成在第一类型晶体硅衬底的下侧。 通过使用感应电流装置选择性地烧制前金属电极。 在第一类型晶体硅衬底和第二类型硅层之间形成钝化层。
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公开(公告)号：KR101909821B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020170062775
申请日：2017-05-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0216 , C03C8/10 , C03C8/04
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C8/04 , C03C8/10 , H01L31/02167 , H01L31/18
Abstract: 본발명은태양전지의전극제조방법에관한것으로, 본발명에따른태양전지의전극제조방법은 (a) 실리콘층으로형성된에미터 (emitter, 20)의상면에적층된반사방지막상부에, 금속분말, 및유리프릿 (glass frit)을포함하는전도성페이스트(40)를전극형태로패턴화하여배치하는단계(S100), (b) 패턴화된전도성페이스트(40)를가열하여소성하는단계(S200), 및 (c) 상기 (b) 단계의소성진행중에, 광을조사하는단계(S300)를포함한다.
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公开(公告)号：KR101666308B1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020150067550
申请日：2015-05-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/02 , H01L31/0465
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 반도체전극구조물의형성방법에있어서, 반도체베이스상에금속페이스트를이용하여적어도하나의예비전극을형성한후, 상기예비전극및 상기반도체베이스사이에연결된전원을이용하여상기반도체베이스에전자를공급하면서상기예비전극을소성하여, 상기예비전극을전극으로변환시킨다. 이로써상기반도체베이스및 상기전극사이의접촉저항이감소될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130112090A
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020120034212
申请日：2012-04-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing crystalline silicon solar cells is provided to improve a filling rate by forming a third doping layer in the peripheral region of a substrate. CONSTITUTION: A crystalline silicon substrate formed by a first type impurity doping is prepared (S110). A first doping layer and a second doping layer are formed on the upper surface of the substrate (S120). A front electrode is formed in the upper part of the substrate (S130). A metal layer structure is formed in the lower central region of the substrate (S140). A third doping layer is formed on the lower surface of the substrate (S150). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Crystalline silicon substrate formed by doping a first type impurity is prepared; (S120) First doping layer and a second doping layer are formed on the upper surface of the substrate by doping a second type impurity; (S130) Front electrode is formed; (S140) Metal layer structure is formed by placing a mask's frames on the edges and printing conductive paste; (S150) Third doping layer is formed by doping the first type impurity on the edges; (S160) Electric field-effect layer and back electrode are formed on the back by performing a heat treatment the metal layer structure
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造晶体硅太阳能电池的方法，以通过在衬底的周边区域中形成第三掺杂层来提高填充率。 构成：制备通过第一种杂质掺杂形成的晶体硅衬底（S110）。 在衬底的上表面上形成第一掺杂层和第二掺杂层（S120）。 在基板的上部形成前电极（S130）。 在基板的下部中央区域形成金属层结构（S140）。 在基板的下表面上形成第三掺杂层（S150）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）制备通过掺杂第一种杂质形成的晶体硅衬底; （S120）通过掺杂第二种杂质在衬底的上表面上形成第一掺杂层和第二掺杂层; （S130）形成正面电极; （S140）通过将掩模框架放置在边缘上并印刷导电浆料形成金属层结构; （S150）通过在边缘上掺杂第一种杂质形成第三掺杂层; （S160）通过进行金属层结构的热处理，在背面形成电场效应层和背面电极
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公开(公告)号：KR101148031B1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：KR1020100077246
申请日：2010-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022425 , C23F13/20 , H01L31/0201 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 모듈에서 태양전지 셀과 셀 사이를 연결하는 인터커넥터 리본과, 태양전지 셀 사이의 연결부위의 부식을 방지하기 위해, 인터커넥터 리본 상에 방식용 양극으로서 희생양극을 부착한 것을 특징으로 하는 내부식성 태양전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 따른 내부식성 태양전지 모듈은, 외부환경에 의한 인터커넥터 리본의 부식을 방지함으로서 리본과 셀 간의 연결부위의 직렬저항 증가를 방지하여 발전 효율감소를 현저하게 감소시킬 수 있을 뿐 아니라, 태양전지 모듈의 수명감소 현상을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
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