公开(公告)号：KR102217786B1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：KR1020190079984

申请日：2019-07-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  이관영 ,  홍성원

IPC: B01D67/00 ,  B01D71/02 ,  B01D53/22

Abstract: 본발명은급속열처리공정을포함한소성조건조절을통한이산화탄소선택적인분리막의제조방법및 이로부터제조된분리막에관한것으로서, 제올라이트분리막을제조하는데에있어서, 급속열처리공정(Rapid Thermal Processing, RTP)을적용하여결함크기를줄임으로써 CO2 투과-선택도를증가시키고, 특히주입가스에수분이존재할경우에eh 높은 CO2 투과-선택도성능을나타내는분리막의제조방법및 이로부터제조된분리막및 상기분리막을이용하여이산화탄소를포집및 제거하는방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR102205266B1

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：KR1020180172311

申请日：2018-12-28

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  이관영 ,  홍성원

IPC: B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D69/10 ,  B01D53/22

Abstract: 본발명은 CHA 제올라이트분리막및 그제조방법에관한것으로서, Si와 Al의비율을조절한합성전구체를이용하여분리막을제조함으로써수분조건에서도높은 CO2/N2 및 CO2/CH4 분리성능을갖는 CHA 제올라이트분리막; 그제조방법및 상기분리막을이용하여이산화탄소를포집및 제거하는방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101460322B1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：KR1020130044411

申请日：2013-04-22

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  김은주 ,  카이완

IPC: C01B39/02 ,  B01J29/06 ,  B01J20/18 ,  B01D71/02

CPC classification number: C01B39/48 ,  B01J20/18 ,  B01J20/28033 ,  B01J20/28035 ,  B01J20/3214 ,  B01J20/3238 ,  B01J29/7015 ,  B01J35/065 ,  B01J37/0215 ,  B01J2229/26

Abstract: 본 발명은 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택적으로 얇은 입자들을 기질 또는 지지대 위에 증착시킬 수 있고 또한 물리적 결합만으로도 높은 표면 범위(surface coverage)를 얻을 수 있어 이차 성장을 통해 재현성 있게 제올라이트와 같은 무기 재료 분리막을 제조하는데 큰 역할을 하는 균일한 층을 형성할 수 있는 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020140127386A

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130044411

申请日：2013-04-22

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  김은주 ,  카이완

IPC: C01B39/02 ,  B01J29/06 ,  B01J20/18 ,  B01D71/02

CPC classification number: C01B39/48 ,  B01J20/18 ,  B01J20/28033 ,  B01J20/28035 ,  B01J20/3214 ,  B01J20/3238 ,  B01J29/7015 ,  B01J35/065 ,  B01J37/0215 ,  B01J2229/26

Abstract: 본 발명은 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택적으로 얇은 입자들을 기질 또는 지지대 위에 증착시킬 수 있고 또한 물리적 결합만으로도 높은 표면 범위(surface coverage)를 얻을 수 있어 이차 성장을 통해 재현성 있게 제올라이트와 같은 무기 재료 분리막을 제조하는데 큰 역할을 하는 균일한 층을 형성할 수 있는 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及使用超声处理的无机颗粒的选择性和物理沉积方法，由其制备的基材上的种子均匀层生长的CHA沸石分离膜，平板二氧化硅CHA沸石颗粒，其制备方法和 更具体地，涉及使用能够在基板或支撑体上选择性地沉积薄颗粒的超声处理的无机颗粒的选择性和物理沉积方法，并且仅通过物理耦合获得高表面覆盖，从而形成均匀的层，其需要 通过再生性的第二次生长在制备无机分离膜如沸石等中起重要作用; 涉及由由其制备的基材上的种子均匀层生长的CHA沸石分离膜; 用于其的板状二氧化硅CHA沸石颗粒; 以及其制备方法。

公开(公告)号：KR1020210004103A

公开(公告)日：2021-01-13

申请号：KR1020190079984

申请日：2019-07-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  이관영 ,  홍성원

IPC: B01D67/00 ,  B01D71/02 ,  B01D53/22

Abstract: 본발명은급속열처리공정을포함한소성조건조절을통한이산화탄소선택적인분리막의제조방법및 이로부터제조된분리막에관한것으로서, 제올라이트분리막을제조하는데에있어서, 급속열처리공정(Rapid Thermal Processing, RTP)을적용하여결함크기를줄임으로써 CO2 투과-선택도를증가시키고, 특히주입가스에수분이존재할경우에eh 높은 CO2 투과-선택도성능을나타내는분리막의제조방법및 이로부터제조된분리막및 상기분리막을이용하여이산화탄소를포집및 제거하는방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR102115301B1

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：KR1020190030645

申请日：2019-03-18

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  이관영 ,  정양환

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D67/00 ,  B01D53/22

公开(公告)号：KR102034765B1

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：KR1020180046058

申请日：2018-04-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  이관영 ,  홍성원

IPC: B01D67/00 ,  B01D71/02

公开(公告)号：KR1020180079925A

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：KR1020170000680

申请日：2017-01-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  이관영 ,  김은주

IPC: B01D67/00 ,  B01D71/02

CPC classification number: B01D67/0088 ,  B01D53/228 ,  B01D67/0051 ,  B01D67/0083 ,  B01D69/10 ,  B01D71/028 ,  B01D2323/04 ,  B01D2323/08 ,  C01B37/02 ,  C01B39/48 ,  Y02C10/10

Abstract: 본발명은 DDR 유형제올라이트분리막의제조방법및 이로부터제조된분리막에관한것으로서, 시드층이형성된기판을메틸트로피늄염을포함하는실리카소스합성전구물에첨가하고수열합성함으로써연속적인면의방향성을지닌소수성 DDR 유형제올라이트분리막을제조하는방법및 이로부터제조된분리막을이용하여이산화탄소포집및 제거에사용하는방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160062446A

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：KR1020140165182

申请日：2014-11-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  김은주

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/02 ,  B01D67/00

CPC classification number: B01D71/028 ,  B01D53/228 ,  B01D67/0051 ,  B01D67/0093 ,  B01D69/10 ,  B01D2325/02 ,  B01J29/7015 ,  B01J35/065 ,  B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02

Abstract: 본발명은기공크기가제어된실리카카바자이트제올라이트분리막에관한것으로서화학기상증착을통한상기실리카카바자이트제올라이트분리막의기공표면과내부의크기를정교하게제어하는것을특징으로하며, 이로인해, 상기실리카카바자이트제올라이트분리막내에존재하는결함(defect)을매꿔제거하고, 기공크기를효과적으로제어함으로써, 이의 CO/N분리성능을향상시킬수 있다. 특히, 건조한조건에서우수한 CO/N분리성능을나타내는친수성분리막들과는달리, 본발명에따른기공크기가제어된실리카카바자이트제올라이트분리막의표면은소수성을나타내므로수분이존재하는조건에서도우수한 CO/N분리성능을유지할수 있으므로, 다양한환경조건에서이산화탄소를질소로부터효과적으로포집할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有受控孔径的二氧化硅菱沸石沸石膜。 通过化学气相沉积精确控制二氧化硅菱沸沸石膜中孔和表面的尺寸。 二氧化硅菱沸石沸石膜包括：碱或载体; 分离膜，其包含在基材或基材上形成的具有多个孔的二氧化硅菱沸石沸石; 和沉积在内部和/或进入孔的二氧化硅。 因此，可以通过填充除去存在于二氧化硅菱沸石沸石膜中的缺陷，能够有效地控制孔径，能够提高膜的CO_2 / N_2分离性能。 特别是，与在干燥条件下表现出优异的CO_2 / N_2分离性能的亲水膜不同，根据本发明的具有受控孔径的二氧化硅菱沸石沸石膜即使在水的存在下也能表现出优异的CO_2 / N_2分离性能，因为其表面显示出 疏水性。 因此，本发明的二氧化硅菱沸石膜可以在各种环境条件下有效地从氮气中捕获二氧化碳。

公开(公告)号：KR101905862B1

公开(公告)日：2018-10-08

申请号：KR1020170037504

申请日：2017-03-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 최정규 ,  이관영 ,  장은희

IPC: B01D69/10 ,  C01B3/50

CPC classification number: B01D67/0079 ,  B01D53/228 ,  B01D67/0051 ,  B01D67/0076 ,  B01D69/02 ,  B01D69/105 ,  B01D69/12 ,  B01D71/022 ,  B01D71/028 ,  B01D71/06 ,  B01D2256/16 ,  B01D2257/504 ,  B01D2325/00 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/022 ,  B01D2325/04 ,  B01D2325/22 ,  C01B3/56 ,  C01B2203/0405 ,  C01B2203/0475

Abstract: 본발명은위치선택적다공성분리막의제조방법및 상기제조된다공성분리막을이용한가스분리방법에관한것으로서, 계층구조를가지는알루미나다공성지지체를이용한상호확산법(counter diffusion) 방법을통해분리막을합성할때, 다공성지지체의기공크기의조절을통해지지체에담지한금속이온의이동속도를조절하고분리막을지지체내부에합성하여분리막의합성위치를조절함으로써분리막의물리적안정성을높이고, 분리막의두께를두껍게하여더 높은 H/CO분리계수를확보할수 있다.