Abstract:
본 발명은 CHA 구조와 DDR 구조를 포함하는 제1 층; 및 상기 제1 층 상에 구비되고, DDR 구조를 포함하는 제2 층;을 포함하고, 두께가 100 nm 내지 5 ㎛인 필름형태이고, CHA 구조 및 DDR 구조를 포함하는 CHA-DDR 계열 제올라이트 분리막을 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 계층구조의 분리막, 그 제조방법 및 이를 이용한 크실렌의 분리방법에 관한 것으로서, 미세다공성 제올라이트 분리막 내부에 메조기공을 도입하여 얇은 두께를 가지면서도 적은 결함 및 높은 크실렌 투과분리성능을 나타내는 메조기공이 포함된 계층구조의 분리막, 그 제조방법 및 이를 이용한 크실렌의 분리방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 탄화수소 제거 시스템은 제 1 기공 크기를 갖는 제 1 탄화수소 흡착 촉매를 포함하는 제 1 영역, 제 2 기공 크기를 갖는 2 탄화수소 흡착 촉매를 포함하는 제 2 영역을 포함하며, 상기 제 1 기공 크기는 상기 제 2 기공 크기보다 작고, 상기 제 1 탄화수소 흡착 촉매는 CHA 제올라이트를 포함하고 상기 제 2 탄화수소 흡착 촉매는 ZSM-5 제올라이트를 포함한다.
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본 발명은 규칙적인 메조 기공을 가진 제오라이트 입자에 금속이 함침된 탄화수소 흡착제 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 2-10nm 크기의 메조 기공이 규칙적으로 형성된 제오라이트 입자에 금속 양이온 및 금속 산화물이 함침된 것을 특징으로 하는 탄화수소 흡착제는 규칙적인 메조 기공을 가지며, Si/Al 비율 및 메조기공도를 조절할 수 있어, 저온 시동 구간에서 탄화수소의 흡착력이 증가하고, 상기 탄화수소가 탈착할 때 빠르게 산화시킬 수 있으므로, 자동차 및 산업체에서 발생하는 배기가스의 배출을 절감할 수 있다.
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본 발명은 DDR 유형 제올라이트 분리막의 제조방법 및 이로부터 제조된 분리막에 관한 것으로서, 시드층이 형성된 기판을 메틸트로피늄염을 포함하는 실리카 소스 합성 전구물에 첨가하고 수열합성함으로써 연속적인 면의 방향성을 지닌 소수성 DDR 유형 제올라이트 분리막을 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 분리막을 이용하여 이산화탄소 포집 및 제거에 사용하는 방법에 관한 것이다.
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본 발명은 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택적으로 얇은 입자들을 기질 또는 지지대 위에 증착시킬 수 있고 또한 물리적 결합만으로도 높은 표면 범위(surface coverage)를 얻을 수 있어 이차 성장을 통해 재현성 있게 제올라이트와 같은 무기 재료 분리막을 제조하는데 큰 역할을 하는 균일한 층을 형성할 수 있는 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.