초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법

    公开(公告)号:KR1020140126275A

    公开(公告)日:2014-10-30

    申请号:KR1020140111055

    申请日:2014-08-25

    CPC classification number: C01B39/02 B01J6/001 C01B33/12 C01P2004/20

    Abstract: 본 발명은 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택적으로 얇은 입자들을 기질 또는 지지대 위에 증착시킬 수 있고 또한 물리적 결합만으로도 높은 표면 범위(surface coverage)를 얻을 수 있어 이차 성장을 통해 재현성 있게 제올라이트와 같은 무기 재료 분리막을 제조하는데 큰 역할을 하는 균일한 층을 형성할 수 있는 초음파를 이용한 무기 입자의 선택적인 물리적 증착 방법 및 이로부터 제조된 기질 상의 씨드 균일층으로부터 성장된 카바자이트 제올라이트 분리막 및 이에 사용되는 판상의 실리카 카바자이트 제올라이트 입자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用超声波的无机颗粒的选择性超声处理辅助沉积方法,由其制备的基材上的种子均匀层生长的CHA沸石膜,其中使用的板状Si-CHA沸石颗粒以及其制备方法 更具体地,涉及使用超声波的无机颗粒的选择性超声处理辅助沉积方法,由其制备的基材上的种子均匀层生长的CHA沸石膜,其中使用的板状Si-CHA沸石颗粒和 其制备方法可以选择性地在基材或载体上沉积薄颗粒,并且仅通过物理键合获得高表面覆盖度,从而形成均匀的层,在通过二次生长可再现地制备无机材料膜如沸石中起主要作用 。

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