반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정처리장치
    11.
    发明授权
    반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정처리장치 失效
    使用半导体检测器的便携式放射性测量装置

    公开(公告)号:KR100135921B1

    公开(公告)日:1998-04-29

    申请号:KR1019940034618

    申请日:1994-12-16

    Abstract: 본 발명은 반도체 방사능 탐지소자를 사용하여 오랜시간 사용시에는 효율이 저하되지 않게 함과 아울러 소형화하고, 넓은 탐지범위를 가질 수 있게 한 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정장치에 관한 것으로, 종래의 방사능 측정장치에 있어서는 장시간 사용시 효율이 저하되고, 탐지기를 교체하여야 하며, 탐지센서가 기체로 이루어져 방사능의 탐지 효율이 매우 낮았다. 이러한 점을 감안하여, 방사선을 탐지하여 전기적인 신호를 발생하는 반도체 방사능 탐지소자와, 그 탐지소자의 출력신호를 증폭하여 구형파 신호로 변환 처리하는 아날로그 회로부와, 그 아날로그 회로부의 출력신호를 계수한 후 선량 및 선율의 디지털 신호로 처리하는 디지털 회로부와, 그 디지털 회로부의 출력결과를 표시하는 액정표시부로 구성함으로써 사용수명이 반영구적으로 되어 신뢰성이 향상되고, 휴대 및 운용이 용이함과 아울러 방사능의 탐지효율이 향상되고, 넓은 탐지범위를 가질 수 있게 한다.

    금염화물을 이용한 CdZnTe의 저항성 접촉전극 형성방법
    12.
    发明授权
    금염화물을 이용한 CdZnTe의 저항성 접촉전극 형성방법 失效
    使用氯化金形成CdZnTe电阻接触电极的方法

    公开(公告)号:KR1019960015488B1

    公开(公告)日:1996-11-14

    申请号:KR1019930013949

    申请日:1993-07-22

    Abstract: The method is to form an ohmic contact electrode(30) by substitution reaction between Au ion and Cd ion in forming an Au chloride solution(20) on a single crystal Cd(1-x)Zn(x)Te(0.04 Dx D0.2) wafer(10). The resistivity( ) of the Cd(1-x)Zn(x)Te wafer(10) is 109 D D 1011 Úcm and the Au chloride solution(20) is formed by melting Chloroauric(III) Acid and HAuCl4 . 3H2O into the Deionized water.

    Abstract translation: 该方法是通过在单晶Cd(1-x)Zn(x)Te(0.04 Dx D0)上形成Au氯化物溶液(20)中Au离子和Cd离子之间的取代反应形成欧姆接触电极(30)。 2)晶片(10)。 Cd(1-x)Zn(x)Te晶片(10)的电阻率()为109D D1011Ωcm,通过熔化氯代(III)酸和HAuCl 4形成氯化金属溶液(20)。 3H2O进入去离子水。

    핵 펄스 및 방사선량 검출 장치
    13.
    发明授权
    핵 펄스 및 방사선량 검출 장치 有权
    用于检测核脉冲和辐射剂量的装置

    公开(公告)号:KR101667595B1

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:KR1020140027889

    申请日:2014-03-10

    Abstract: 본발명은핵 펄스를고속으로검출함과동시에방사선량을검출할수 있는장치에관한것으로서, 본명세서에개시된실시예에따른핵 펄스및 방사선량검출장치는, 핵펄스방사선에의해발생하는광전류의피크값을출력하는피크검출기와, 상기피크값인아날로그신호를디지털신호로변환하는 A/D 컨버터와, 상기디지털신호에대응하는방사선량을출력하는디지털신호처리기와, 상기방사선량을화면상에표시하는표시부를포함할수 있다.

    용액 분사 장치, 이를 구비한 열분해 질량 분석 시스템 및 그 제어 방법
    14.
    发明授权
    용액 분사 장치, 이를 구비한 열분해 질량 분석 시스템 및 그 제어 방법 有权
    解决方案喷涂设备,使用光子分析仪的质量分析系统及其控制方法

    公开(公告)号:KR101116034B1

    公开(公告)日:2012-04-19

    申请号:KR1020110123034

    申请日:2011-11-23

    Abstract: PURPOSE: A solution spray apparatus, a mass analyzing system using pyrolysis, and a control method thereof are provided to enable automatic flow of a very small amount of solution in a pyrolyzer assembly. CONSTITUTION: A solution spray apparatus comprises a solution spray part(120), a solution injection part(110), and an air injection pump(112). The solution spray part sprays a very small amount of solution to a pyrolyzer assembly. The solution injection part supplies solution inside a reservoir(117) to the solution injection part by injected air. The solution injection part comprises a solution emission control valve(119). The solution emission control valve controls the flow rate of solution in real time. An air injection pump supplies air to the solution spray part and the solution injection part.

    Abstract translation: 目的:提供溶液喷雾装置,使用热解的质量分析系统及其控制方法,以使热解器组件中的非常少量的溶液自动流动。 构成:溶液喷射装置包括溶液喷射部分(120),溶液注入部分(110)和空气注射泵(112)。 溶液喷雾部分将非常少量的溶液喷射到热解器组件。 溶液注入部分通过注入的空气向溶液注入部分提供储存器(117)内的溶液。 溶液注入部分包括溶液排放控制阀(119)。 溶液排放控制阀实时控制溶液的流量。 空气喷射泵向溶液喷射部分和溶液注入部分供应空气。

    반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정처리장치
    16.
    发明公开
    반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정처리장치 失效
    便携式辐射测量处理装置使用半导体检测装置

    公开(公告)号:KR1019960024461A

    公开(公告)日:1996-07-20

    申请号:KR1019940034618

    申请日:1994-12-16

    Abstract: 본 발명은 반도체 방사능 탐지소자를 사용하여 오랜시간 사용시에도 효율이 저하되지 않게 함과 아울러 소형화하고, 넓은 탐지범위를 가질 수 있게 한 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 반사능 측정장치에 관한 것으로, 종래의 방사능 측정장치에 있어서는 장시간 사용시 효율이 저하되고, 탐지기를 교체하여야 하며, 탐지센서가 기체로 이루어져 방사능의 탐지 효율이 매우 낮았다. 이러한 점을 감안하여, 방사선을 탐지하여 전기적인 신호를 발생하는 반도체 방사능 탐지소자와, 그 탐지소자의 출력신호를 증폭하여 구형파 신호로 변환처리하는 아날로그 회로부와, 그 아날로그 회로부의 출력신호를 계수한 후 선량 및 선율의 디지탈 신호로 처리하는 디지탈 회로부와, 그 디지탈 회로부의 출력결과를 표시하는 액정 표시부로 구성함으로써 사용수명이 반영구적으로 되어 신뢰성이 향상되고, 휴대 및 운용이 용이함과 아울러 방사능의 탐지효율이 향상되고, 넓은 탐지범위를 가질 수 있게 한다.

    금염화물을 이용한 CdZnTe의 저항성 접촉전극 형성방법

    公开(公告)号:KR1019950004388A

    公开(公告)日:1995-02-18

    申请号:KR1019930013949

    申请日:1993-07-22

    Abstract: 본 발명은 금염화물을 이용한 CdZnTe의 저항성 접촉전극 형성방법에 관한 것으로 금염화물용액을 CdZnTe 단결정 웨이퍼에 도포함으로써 금과 타드뮴의 치환반응, 또는 금의 카드뮴 빈자리 침입등으로 인한 금-텔루늄결합을 유도하여 표면장벽 제거에 따른 저항성(ohmic성) 접촉을 이루도록 하는 것이다.

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