Abstract:
PURPOSE: A thin film actuated mirror array is provided to be capable of improving a horizontal degree of a mirror by forming the mirror on the second sacrifice having a flat surface. CONSTITUTION: An active matrix includes the first metal layer having a drain pad, which is extended from a drain of a MOS transistor. A support layer(185) consists of the first and second anchors for supporting an actuator and is extended horizontally toward the other side. A bottom electrode(190) is formed on the support layer(185), and an active layer(195) is formed on the bottom electrode(190). A top electrode(200) is formed on the active layer(195), and a via hole(210) is vertically formed to a top of one of the anchors from the drain pad of the first metal layer. An actuator includes a connection member(250) for connecting the drain pad and the bottom electrode through the via hole(210). The first auxiliar support member(270a) is formed at one side of the first anchor and a lower center of the support layer(185). The second auxiliar support member(270b) is formed at one side of the second anchor and a lower center of the support layer(185). A mirror(230) is formed on the actuator(250).
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a TMA device is provided to increase the driving angle of the actuator and to prevent bending phenomena of the actuator by disallowing the first and second electrodisplacive being formed on the connection part of the lower electrode. CONSTITUTION: A device comprises an active matrix(100), a substrate(101), a transistor(120), a first metal layer(135), a first protection layer(140), a second metal layer(145), a second protection layer(150), an etching preventing layer(155), a first sacrificial layer(160), a supporting layer(170), a first anchor(171), and a supporting line(174). A manufacturing method comprises the steps of: providing the active matrix including the first metal layer which has the drain pad extended from the drain of the transistor; forming a first layer, a second layer, a lower electrode layer and upper electrode layer on the upper part of the active matrix; forming the actuator including the first and second upper electrode, first and second electrodisplacives and the lower electrode by patterning the lower part electrode layer, the second layer and the upper part electrode layer sequentially; and forming a mirror on the upper part of the actuator.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a thin film actuated mirror arrays is to prevent the damage of an upper electrode and a deformation layer by forming a sacrificial layer into a polysilicon and then removing it by BrF3 gas. CONSTITUTION: An active substrate(510) includes a drain pad(520) formed on one side thereof and an MxN transistor provided in the form of matrix therein. A passivation layer(530) is formed on the active substrate. A sacrificial layer consisting of polysilicon is formed on the passivation layer. The passivation layer is partially exposed by removing the sacrificial layer with the drain pad formed on the lower layer thereof. A membrane material layer is formed on the exposed passivation layer and the sacrificial layer. A lower electrode material layer is formed on the membrane material layer. A deformation material layer is formed on the lower electrode material layer. An upper electrode material layer is formed on the deformation material layer. An upper electrode(590) is formed by patterning the upper electrode material layer. A deformation layer(580), a lower electrode(570), and a membrane(560) are formed by patterning the deformation material layer, the lower electrode material layer, and the membrane material layer. An air gap(550) is formed by removing the sacrificial layer by XeF2 gas.
Abstract:
PURPOSE: A light efficiency-improved thin-film micromirror array-actuated(TMA) and manufacturing method thereof improve the level of a mirror, maintain the reflection angle of the mirror uniformly and improve the light efficiency to be incident from a light source. CONSTITUTION: A 'T'-shaped mirror(240) contacts with a top electrode in the lower. A reinforcing member(250) formed under the mirror(240) has the mechanically stable structures such as a rectangular ring, an 'X' letter or a rhombus to endure the deformation stress caused by a pressure or a tensile force applied around the lower of the mirror(240) during the formation of the mirror(240). Therefore, the reinforcing member(250) prevents the mirror(240) from being bent upward or downward due to the deformation stress during the formation of the mirror(240) even when the residual stress is generated during the deposition process of the mirror(240).
Abstract:
액티브 매트릭스와 액츄에이터를 각기 독립적으로 제작한 후, 이를 접착하여 전기적으로 연결시킨 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 상기 방법은 패드, 보호층, 식각 방지층, 플러그 및 저융점 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공하는 단계, 투명한 기판(transparent substrate)의 상부에 액츄에이터를 형성한 후 상기 액츄에이터의 상부에 저융점 금속층을 적층하는 단계, 그리고 상기 액티브 매트릭스와 액츄에이터를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함한다. 따라서, 상기 방법은 고온 공정에서의 액츄에이터 제작에 따른 액티브 매트릭스의 열적 손상을 방지하여 트랜지스터의 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 표면이 편평한 투명한 기판 상에 액츄에이터를 형성하므로, 별도의 평탄화 공정이 필요하지 않으며 표면이 평탄한 액츄에이터를 형성하여 광속의 광효율을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
거울의 수평도를 향상시킬 수 있으며 액티브 매트릭스 및 액츄에이터의 손상을 최소화할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. 액티브 매트릭스 전면의 상부에 제1 희생층을 형성한 후, 액츄에이터를 형성한다. 액츄에이터의 상부에 PR, SOG, 또는 SOP를 사용하여 평탄한 제2 희생층을 형성하고 거울을 형성한다. 제2 희생층을 산소 플라즈마를 사용하여 제거한 후, 제1 희생층을 BrF 3 또는 XeF 2 를 사용하여 제거한다. 저온에서 제2 희생층이 평탄한 표면을 갖도록 형성한 후, 제2 희생층의 상부에 거울을 형성함으로써 거울의 수평도를 향상시켜 광원으로부터 입사되는 광의 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 희생층을 저온에서 형성함으로써 그 하부의 액츄에이터 및 액티브 매트릭스가 열적 손상을 받는 것을 최소화 할 수 있다. 더욱이, 제1 희생층 및 제2 희생층의 제거 시, 액티브 매트릭스, 변형층 및 거울이 손상을 입는 것을 방지할 수 있다.
Abstract:
액츄에이터의 초기 기울어짐을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치는, 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스, 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 액츄에이터, 그리고 액츄에이터의 상부에 형성된 거울을 포함한다. 액츄에이터는, 일측의 양측이 각기 액티브 매트릭스에 접촉되어 액츄에이터를 지지하는 앵커가 되며 일측의 중앙부가 에어 갭을 개재하여 상부로 돌출되어 타측을 향해 수평하게 형성된 지지층, 하부 전극, 변형층, 그리고 상부 전극을 포함한다. 거울은 상부 전극의 상부에 형성된다. 액츄에이터의 초기 기울어짐의 원인이 되는 단차 경계면이 없는 지지층을 형성함으로써, 액츄에이터가 신호가 인가되지 않은 상태에서도 초기에 기울어지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 액츄에이터 상부에 형성된 거울의 반사각을 일정하게 유지하여 광원으로부터 입사되는 광의 광효율을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
액티브 매트릭스와 액츄에이터를 각기 독립적으로 제작한 후, 이를 접착하여 전기적으로 연결시킨 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 상기 방법은 패드, 보호층, 식각 방지층, 플러그 및 저융점 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공하는 단계, 투명한 기판(transparent substrate)의 상부에 액츄에이터를 형성한 후 상기 액츄에이터의 상부에 저융점 금속층을 적층하는 단계, 그리고 상기 액티브 매트릭스와 액츄에이터를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함한다. 따라서, 상기 방법은 고온 공정에서의 액츄에이터 제작에 따른 액티브 매트릭스의 열적 손상을 방지하여 트랜지스터의 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 표면이 편평한 투명한 기판 상에 액츄에이터를 형성하므로, 별도의 평탄화 공정이 필요하지 않으며 표면이 평탄한 액츄에이터를 형성하여 광속의 광효율을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A thin film actuated mirror array is provided to improve the efficiency of incident light from a light source by maintaining a reflection angle of a mirror formed on an actuator. CONSTITUTION: An active matrix includes the first metal layer having a drain pad that is extended from a drain of a transistor. A support layer(185) consists of anchors for supporting an actuator and is extended horizontally toward the other side. A bottom electrode(190) is formed on the support layer(185), and an active layer(195) is formed on the bottom electrode(190). A top electrode(200) is formed on the active layer(195), and a via hole(210) is vertically formed to a top of one of the anchors from the drain pad of the first metal layer(155). An actuator(205) includes a connection member(250) for connecting the drain pad and the bottom electrode through the via hole(210).
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a thin film actuated mirror array is to improve a planarization rate of an actuator by compensating a step difference produced due to an active matrix. CONSTITUTION: An active matrix(100) includes an isolation film(120) for defining the active matrix into an active region and a field region, a number of MOS(metal oxide semiconductor) transistors having a gate(115), a source(110) and a drain(105), the first metallic layer(130) formed on the MOS transistor and patterned to be connected to the source and the drain, the first passivation layer(135) formed on the first metallic layer, the second metallic layer(140) formed on the first passivation layer, the second passivation layer(145) formed on the second metallic layer, and an etching stop layer(150) formed on the second passivation layer. An actuator(185) includes a supporting layer(160) with one side contacted with a drain pad of the first metallic layer and a portion of the etching stop layer adjacent to the drain pad to form an anchor(165a,165b), and an air gap(160) interposed between the other side and the first metallic layer, a lower electrode(170) formed on the supporting layer, a transformed layer(175) formed on the lower electrode, an upper electrode(180) formed on the transformed layer.