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公开(公告)号：KR1020050087991A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：KR1020040013783
申请日：2004-02-28
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 초격자에 의한 활성층을 갖춘다. 초격자 중의 GaN 에 Si 이 소정량 도핑되어 있다. Si 도핑에 의해 깊은준위(deep level)에서 YL 이 발생하며, 정공이 주입되는 측에서는 UV 가 발생한다. 이러한 발광구조에 의해 백색광의 반도체 발광이 가능해지고 따라서 형광체의 도움이 필수적이지 않다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.
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