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公开(公告)号：KR100925059B1
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：KR1020040013783
申请日：2004-02-28
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 초격자에 의한 활성층을 갖춘다. 초격자 중의 GaN층에 Si 이 소정량 도핑되어 있다. Si 도핑에 의해 깊은준위(deep level)에서 YL 이 발생하며, 정공이 주입되는 측에서는 UV 가 발생한다. 이러한 발광구조에 의해 백색광의 반도체 발광이 가능해지고 따라서 형광체의 도움이 필수적이지 않다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.
모노리식, 백색광, 초격자-
公开(公告)号：KR1020090053549A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070120432
申请日：2007-11-23
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법이 개시된다. 본 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, m면 사파이어 기판을 질화 처리하는 단계, m면 사파이어 기판 상에 고온 완충층을 형성하는 단계, 고온 완충층 상에 반극성 (11-22)면 질화물계 박막을 형성하는 단계, 및, 반극성 (11-22)면 질화물계 박막 상에 제1 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, m면 사파이어 기판을 적정 온도 범위에서 질화 처리함으로써, m면 사파이어 기판 상에 형성되는 반극성 (11-22)면 질화물계 박막의 결정성을 향상시킬 수 있다.
발광소자, m면 사파이어 기판, 반극성, (11-22)면, 질화 처리-
公开(公告)号：KR1020050038207A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：KR1020030073442
申请日：2003-10-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 한개 이상의 곡면형 돌출부를 포함하는 기판을 지닌 발광 소자를 제공함으로써, 반도체 결정층의 성장 및 발광 소자의 완성된 형태에서도 균일한 결함 밀도 제어 및 스트레스 분포의 제어가 용이한 기판 및 이를 채용한 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 발광층에서 발생한 빛의 발광 소자 외부로의 추출 효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100935974B1
公开(公告)日：2010-01-08
申请号：KR1020070120432
申请日：2007-11-23
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법이 개시된다. 본 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, m면 사파이어 기판을 질화 처리하는 단계, m면 사파이어 기판 상에 고온 완충층을 형성하는 단계, 고온 완충층 상에 반극성 (11-22)면 질화물계 박막을 형성하는 단계, 및, 반극성 (11-22)면 질화물계 박막 상에 제1 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, m면 사파이어 기판을 적정 온도 범위에서 질화 처리함으로써, m면 사파이어 기판 상에 형성되는 반극성 (11-22)면 질화물계 박막의 결정성을 향상시킬 수 있다.
발광소자, m면 사파이어 기판, 반극성, (11-22)면, 질화 처리-
公开(公告)号：KR1020090056058A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123032
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A white light emitting device is provided to emit uniform light over all by forming a first and a second quantum-well layer in an active layer and moving carriers uniformly. A first nitride semiconductor layer(130) is formed on a substrate(110), and an active layer is formed on the first nitride semiconductor layer. A second nitride semiconductor layer(150) is formed on an active layer, and the active layer comprises a first quantum-well layer, radiating a blue light, and a second quantum-well layer formed on the first quantum-well layer. The second quantum-well layer radiates a green light and a red light by phase separation.
Abstract translation: 提供白色发光器件以通过在有源层中形成第一和第二量子阱层并均匀地移动载流子来发射均匀的光。 在基板（110）上形成第一氮化物半导体层（130），在第一氮化物半导体层上形成有源层。 第二氮化物半导体层（150）形成在有源层上，有源层包括第一量子阱层，辐射蓝光，以及形成在第一量子阱层上的第二量子阱层。 第二量子阱层通过相分离辐射绿光和红光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100891801B1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020070123776
申请日：2007-11-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride semiconductor light emitting diode is provided to output the blue light and green light with high efficiency by using the active layer preventing the generation of the Piezo electric field. A semiconductor layer(110) is formed in a substrate. The semiconductor layer is n-type GaN. The second semiconductor layer(200) is p-type GaN doped with Zn, Cd, Mg etc. The first cladding layer(120) is formed with the n-type AlGaN material. The second clading layer(190) is formed of the p-type AlGaN material. The first optical guiding layer(130) and the second optical guiding layer(180) refract the light. The first optical guiding layer and the second optical guiding layer are formed of the n-type GaN system material and p-type GaN material.
Abstract translation: 提供了一种氮化物半导体发光二极管，通过使用防止产生压电电场的有源层，以高效率输出蓝光和绿光。 在衬底中形成半导体层（110）。 半导体层是n型GaN。 第二半导体层（200）是掺杂有Zn，Cd，Mg等的p型GaN。第一覆层（120）由n型AlGaN材料形成。 第二分支层（190）由p型AlGaN材料形成。 第一光导层（130）和第二光引导层（180）折射光。 第一光导层和第二光引导层由n型GaN系材料和p型GaN材料形成。
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公开(公告)号：KR100925064B1
公开(公告)日：2009-11-03
申请号：KR1020070123032
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 백색 발광소자가 개시된다. 본 백색 발광소자는, 기판 상에 형성된 제1 질화물 반도체층, 제1 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층, 및, 활성층 상에 형성된 제2 질화물 반도체층을 포함하며, 활성층은 청색광을 발광하는 제1 양자 우물층, 제1 양자 우물층 상에 형성되며 상분리에 의해 녹색광 및 적색광을 발광하는 제2 양자 우물층, 및, 제1 양자 우물층 및 제2 양자 우물층과 교번적으로 형성된 복수의 장벽층을 포함한다.
백색 발광소자, 양자 우물층, 상분리, 스트레인-
公开(公告)号：KR1020060064305A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020040103112
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/22
Abstract: 본 발명은 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 발광소자에 있어서, 요철 구조로 형성된 제 1반도체층; 상기 제 1반도체층의 요철 구조의 패턴 사이에 형성된 중간층; 상기 제 1반도체층 및 상기 중간층 상에 순차적으로 형성된 제 2반도체층, 활성층 및 제 3반도체층;을 포함하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100714639B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020030073442
申请日：2003-10-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 한개 이상의 곡면형 돌출부를 포함하는 기판을 지닌 발광 소자를 제공함으로써, 반도체 결정층의 성장 및 발광 소자의 완성된 형태에서도 균일한 결함 밀도 제어 및 스트레스 분포의 제어가 용이한 기판 및 이를 채용한 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 발광층에서 발생한 빛의 발광 소자 외부로의 추출 효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100624449B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020040103112
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/22
Abstract: 본 발명은 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 발광소자에 있어서, 요철 구조로 형성된 제 1반도체층; 상기 제 1반도체층의 요철 구조의 패턴 사이에 형성된 중간층; 상기 제 1반도체층 및 상기 중간층 상에 순차적으로 형성된 제 2반도체층, 활성층 및 제 3반도체층;을 포함하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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