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公开(公告)号：KR100918830B1
公开(公告)日：2009-09-25
申请号：KR1020070118161
申请日：2007-11-19
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, n형 전극과, 상기 n형 전극 하면에 형성된 n형 질화갈륨층과, 상기 n형 질화갈륨층 하면에 형성된 활성층과, 상기 활성층 하면에 형성된 p형 질화갈륨층과, 상기 p형 질화갈륨층 하면에 p형 전극 및 상기 p형 전극 하면에 형성된 구조지지층을 포함하되, 상기 p형 전극과 접하는 상기 p형 질화갈륨층의 표면 중 상기 n형 전극과 대응하는 영역의 표면은 그 외의 표면보다 낮은 농도로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.
수직구조, 발광다이오드, 전류확산-
公开(公告)号：KR1020090056034A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070122983
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride semiconductor light-emitting device with a current spreading pattern and a manufacturing method thereof are provided to improve emitting efficiency at an active layer by maximizing a current flowing into the active layer through a current spreading pattern. An active layer(330) is composed of a multi-quantum well structure between an n-type nitride layer and a p-type, and an n side electrode is contacted to the external side of the n-type nitride layer. A p-electrode is formed on the external side of the p-type nitride layer. At least one current spreading pattern(361) is formed between the p-type nitride layer and the active layer, and the current is flowed into the active layer. A second current spreading pattern(362) is formed between the n-type nitride layer and the n-electrode.
Abstract translation: 提供具有电流扩展图案的氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过使流过有源层的电流通过电流扩展图案最大化来提高有源层的发光效率。 有源层（330）由n型氮化物层和p型之间的多量子阱结构构成，n侧电极与n型氮化物层的外侧接触。 p型电极形成在p型氮化物层的外侧。 在p型氮化物层和有源层之间形成至少一个电流扩散图案（361），并且电流流入有源层。 在n型氮化物层和n电极之间形成第二电流扩展图案（362）。
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公开(公告)号：KR100878434B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020070116778
申请日：2007-11-15
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: A light emitting device and manufacturing method thereof are provided to improve light emitting efficiency by forming electrodes in groove of top surface and side surface of light emitting structure and to reduce contact resistance by increasing contact area of light emitting structure and electrode. A first electrode(12) is formed on a supporting substrate(11). A light emitting structure(13) is formed on the first electrode. A second electrode(14) is formed inside a groove formed on top surface of the light emitting structure. An insulation layer is contacted in side surface of the light emitting structure. A junction between the supporting substrate and the first electrode is formed by a bonding electrode(16). The first electrode is used as a p-type electrode. The second electrode is used as a n-type electrode.
Abstract translation: 提供发光器件及其制造方法以通过在发光结构的顶表面和侧表面的沟槽中形成电极来提高发光效率，并且通过增加发光结构和电极的接触面积来降低接触电阻。 第一电极（12）形成在支撑基板（11）上。 在第一电极上形成发光结构（13）。 第二电极（14）形成在形成在发光结构的顶表面上的凹槽内。 绝缘层在发光结构的侧表面接触。 支撑基板和第一电极之间的接合部由接合电极（16）形成。 第一电极用作p型电极。 第二电极用作n型电极。
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公开(公告)号：KR100858362B1
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：KR1020070122873
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for forming a vertically structured LED device is provided to improve a yield by forming a buffer layer between a light emitting structure and a structure supporting layer. A sapphire substrate is prepared. A light emitting structure(120) including an n type gallium nitride-based semiconductor layer(121), an active layer(122), and a p type gallium nitride-based semiconductor layer(123) is formed on the sapphire substrate. A p type electrode(150) is formed on the p type gallium nitride-based semiconductor layer. A buffer layer is formed on the p type electrode. A structure supporting layer(170) is formed on the buffer layer. The n type gallium nitride-based semiconductor layer is exposed by removing the sapphire substrate. An n type electrode is formed on the exposed n type gallium nitride-based semiconductor layer. The buffer layer is formed by using the gallium nitride-based semiconductor, the structure supporting layer, and a metal having a grating constant of 1 percent and less.
Abstract translation: 提供了一种用于形成垂直结构的LED器件的方法，以通过在发光结构和结构支撑层之间形成缓冲层来提高产量。 制备蓝宝石衬底。 在蓝宝石衬底上形成包括n型氮化镓基半导体层（121），有源层（122）和p型氮化镓基半导体层（123）的发光结构（120）。 p型电极（150）形成在p型氮化镓基半导体层上。 在p型电极上形成缓冲层。 在缓冲层上形成结构支撑层（170）。 通过去除蓝宝石衬底来暴露n型氮化镓基半导体层。 在露出的n型氮化镓系半导体层上形成n型电极。 通过使用氮化镓基半导体，结构支撑层和光栅常数为1％以下的金属形成缓冲层。
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公开(公告)号：KR100809211B1
公开(公告)日：2008-02-29
申请号：KR1020060101766
申请日：2006-10-19
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/0079 , H01L33/20
Abstract: A method for fabricating a nitride single crystalline substrate is provided to minimize a stress on an interface between a substrate and a nitride single crystal by forming grooves on the surface of a substrate for growing a nitride wherein the upper surface of the substrate can be divided into a plurality of regions by the grooves. A substrate(21) for growing a nitride single crystal(23) is prepared. At least one groove is formed on the substrate so that the upper surface of the substrate is divided into a plurality of regions. A nitride single crystal is grown on the substrate. The substrate is removed from the nitride single crystal. In a step for growing the nitride single crystal, the substrate is divided along the groove into a plurality of regions by increased stress caused by an increased thickness of the nitride single crystal. The grooves can have a plurality of straight line types that are arranged widthwise and lengthwise on the upper surface of the substrate.
Abstract translation: 提供一种制造氮化物单晶衬底的方法，用于通过在用于生长氮化物的衬底的表面上形成沟槽来最小化衬底和氮化物单晶之间的界面上的应力，其中衬底的上表面可以被划分为 多个区域。 制备用于生长氮化物单晶（23）的衬底（21）。 在基板上形成至少一个凹槽，使得基板的上表面被分成多个区域。 在衬底上生长氮化物单晶。 从氮化物单晶中除去衬底。 在用于生长氮化物单晶的步骤中，通过由氮化物单晶的增加的厚度引起的增加的应力，将衬底沿着沟槽分割成多个区域。 槽可以具有多个直线类型，其在基板的上表面上宽度方向和长度方向布置。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100714629B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020060024918
申请日：2006-03-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 단결정 기판, 그 제조방법 및 이를 이용한 수직구조 질화물 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 제1 측면은, 100㎛이상의 두께를 가지며, 두께 방향으로 상부 및 하부영역으로 구분되며, 상기 상부영역의 도핑농도는 상기 하부영역보다 도핑농도의 5배 이상인 것을 특징으로 하는 질화물 단결정 기판을 제공한다. 바람직하게, 상기 상부영역에 해당하는 상기 기판 상면은 Ga 극성을 갖는다. 또한, 구체적인 실시형태에서, 상기 하부영역은 고의적으로 도프되지 않은 영역이며, 상기 상부영역은 n형 불순물로 도프될 수 있다. 이 경우에, 상기 상부 및 하부영역은 각각 두께방향으로 거의 동일한 도핑농도를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은 상기한 질화물 단결정 기판의 제조방법과 이를 이용한 수직구조 질화물 발광소자 제조방법을 제공한다.
질화물 단결정(nitride single crystal), MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体单晶基材，其制造方法以及使用该相同的结构制造垂直氮化物半导体发光器件的方法，在本发明的第一方面，具有更100㎛厚度，分为上部和下部区域中的厚度方向， 上部区域的掺杂浓度至少为下部区域的掺杂浓度的5倍。 优选地，对应于上部区域的衬底的上表面具有Ga极性。 此外，在具体实施例中，下部区域是有意未掺杂区域，并且上部区域可以掺杂有n型杂质。 在这种情况下，优选上部区域和下部区域在厚度方向上具有基本相同的掺杂浓度。 本发明还提供了一种制造氮化物单晶衬底的方法和使用该方法制造氮化物基发光器件的方法。
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公开(公告)号：KR1020050098626A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：KR1020040024064
申请日：2004-04-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H04B1/38
CPC classification number: H04M1/0237 , H04M2201/08
Abstract: 본 발명은 자동 또는 반자동으로 상부 본체 및 하부 본체가 서로 슬라이딩되는 이동통신단말기에 관한 것이다.
본 발명은 상기 하부 본체내에 고정되고, 길이방향으로 회전축에 리드 스크류가 구비된 모터; 일측에 리드 스크류에 맞물리는 톱니부를 구비하여 상기 리드 스크류의 회전에 따라 상부본체와 함께 길이방향으로 이동하는 이동 프레임; 상기 상부 본체의 하면 또는 하부 본체의 상면 중 어느 한면의 일측에 고정되는 마그네트; 상기 마그네트와 다른면에 구비되고, 단말기가 열린상태 및 닫힌 상태일때 상기 마그네트와 마주보는 위치에 각각 구비되는 센서; 상기 모터의 작동여부 및 작동 방향을 입력하는 스위치; 상기 센서 또는 스위치로부터 신호를 인가받아 모터를 제어하는 제어부; 를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 사용자의 선택에 따라 자동 또는 반자동으로 동작시킬 수 있을 뿐만 아니라 수동 조작시에도 부드러운 동작이 구현되어, 단말기의 개폐가 보다 용이한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020000010441A
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019980031341
申请日：1998-07-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: B60R21/215 , B60R21/205 , B60R21/20
Abstract: PURPOSE: A fixing structure of a subsidiary seat air bag cover is provided not to damage a fine appearance by removing the interval between an instrument panel and an air bag cover. CONSTITUTION: The stating structure of the guest seat air bag cover is composed of the steps of:forming a short jaw unit(14) on the circumferential part of an installing hole(13) formed on a part of the guest seat in the depth corresponding to the thickness of the air bag cover; forming a combining hole(15) on the each edge part of the short jaw unit; insert-molding the nut(12) of the air bag cover(2) inside the boss(16) formed on the edge part of the inner side; therefore, stating the air bag cover onto the instrument panel by screwing a volt(12) to the integrally insert-molded nut(11).
Abstract translation: 目的：提供辅助座椅安全气囊盖的固定结构，通过去除仪表板和气囊盖之间的间隔，不会损坏外观。 构成：客座安全气囊盖的配置结构由以下步骤组成：在形成在座椅的一部分上的安装孔（13）的周向部分上形成一个短颚单元（14），其深度相应 到安全气囊盖的厚度; 在所述短颚单元的每个边缘部分上形成合并孔（15）; 将安全气囊盖（2）的螺母（12）嵌入成型在形成在内侧边缘部分上的凸台（16）内; 因此，通过将伏特（12）拧到整体插入模制的螺母（11）上来将气囊盖指示到仪表板上。
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公开(公告)号：KR1020120131808A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020110050227
申请日：2011-05-26
Applicant: 삼성전기주식회사 , (주)제이 앤 엘 테크
CPC classification number: H01G13/00 , B05C1/0808 , B41N1/20 , B41N3/038
Abstract: PURPOSE: A gravure engraving roll which can be used in manufacturing of multi-layered ceramic capacitor(MLCC) and a manufacturing method thereof are provided to enhance durability and abrasion resistance. CONSTITUTION: A gravure engraving roll (1) comprises a base layer(20) and a reinforcing coating layer(100). The gravure printing pattern is formed on the base layer. The reinforcing coating layer is coated on the base layer. The reinforcing coating layer comprises a first reinforcing layer(110), a second reinforcing layer(170), a first adhesive layer(130), and a second adhesive layer(150). The first reinforcing layer is formed on the base layer in a wet plating mode. The second reinforcing layer composes the external side of the reinforcing coating layer. The first adhesive layer and the second adhesive layer are arranged between the first reinforcing layer and the second reinforcing layer. The first adhesive layer provides adhesive force to the surface of the first reinforcing layer.
Abstract translation: 目的：提供可用于制造多层陶瓷电容器（MLCC）的凹版印刷辊及其制造方法，以提高耐久性和耐磨性。 构成：凹版印刷辊（1）包括基层（20）和增强涂层（100）。 在基底层上形成凹版印刷图案。 增强涂层涂覆在基层上。 增强涂层包括第一增强层（110），第二增强层（170），第一粘合层（130）和第二粘合剂层（150）。 第一增强层以湿电镀模式形成在基层上。 第二增强层构成增强涂层的外侧。 第一粘合剂层和第二粘合剂层布置在第一增强层和第二增强层之间。 第一粘合剂层向第一增强层的表面提供粘合力。
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