公开(公告)号：KR100292412B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019990028403

申请日：1999-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01L21/32137

Abstract: 본발명은폴리사이드막을플라즈마식각방법에의해식각할때, 폴리실리콘막에대한금속실리사이드막의식각선택비를증가시킬수 있는식각방법을제공한다. 본발명은식각챔버에플라즈마소스전원을인가하고금속실리사이드막을플라즈마식각하되, 기판에바이어스전원을인가함으로써, 식각가스의이온들을가속시켜금속실리사이드막을식각하는단계와, 플라즈마소스전원은계속인가하고기판에인가되었던바이어스전원은인가하지않거나식각가스이온들이가속되지않는범위내의전력만을인가함으로써, 식각가스가금속실리사이드막에는화학적으로흡착되고, 노출된폴리실리콘막은산화시키도록하는단계를반복함으로써이루어진다. 본발명에따르면, 폴리사이드막의플라즈마식각시바이어스전원을변조시켜노출된폴리실리콘막상에만선택적으로식각방지막을형성함으로써, 폴리실리콘막에대한금속실리사이드막의식각선택비를증가시킬수 있다. 따라서, 폴리사이드막의식각시폴리실리콘막의이상식각에따른기판손상을막을수 있어반도체소자의신뢰성을높일수 있다.

公开(公告)号：KR1019990070927A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980006093

申请日：1998-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명에 의한 고밀도 저압 플라즈마 식각장치의 평판 안테나 구조는 평판 안테나가 챔버내의 캐소드에 놓여지는 웨이퍼의 외주면을 벗어나지 않도록 챔버의 상부평판에 나선형으로 2회 권선되어 있다.
따라서, 본 발명은 식각챔버내에서 발생하는 플라즈마를 웨이퍼상에서 균일하게 분포시켜 감광막 식각율, 산화막 식각율, 사이드월 폴리머 증착율 및 CD의 편차를 최소화함으로써 고밀도 저압 플라즈마 식각공정의 신뢰성을 향상시킨다.