公开(公告)号：KR100554327B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020010056798

申请日：2001-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류이열 ,  임진형 ,  정현담 ,  김정형

IPC: C08G77/14

Abstract: 본 발명은 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 환형 실록산 화합물과 반응성기가 4개 있는 실란계 화합물, 또는 여기에 반응성기가 1개 이상인 실란 화합물 및/또는 케이지형 실록산 화합물을 부가하여 유기용매 중에서 촉매와 물의 존재하에 가수분해 및 축합중합시켜 제조한 실록산계 수지, 및 상기 수지를 반도체의 저유전 절연막으로 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 실록산계 수지를 이용하면 고집적도 반도체 제조시 기계적 물성 및 열안정성이 우수하고 저유전율인 절연막을 용이하게 형성할 수 있다.
실록산계 수지, 케이지형 실록산 화합물, 환형 실록산 화합물, 실란 화합물, 반도체, 절연막, 저유전율

公开(公告)号：KR1020010036140A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990043010

申请日：1999-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현담 ,  김정형

IPC: H01L21/283

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device using a methylsilses quioxane(MSSQ) of a low dielectric constant as an interlayer dielectric layer is provided to reduce an RC delay time caused by a contact fail in the interlayer dielectric layer. CONSTITUTION: In the method, a metal line(11) is formed on a substrate(10) and then covered with a capping layer(13) made of a CVD oxide layer. The MSSQ layer(15) is coated thereon, and a CVD silicon oxide layer(17) is then deposited on the MSSQ layer(15). All the layers(13,15,17) lying above the metal line(11) are etched to form a contact hole therein by using a superjacent photoresist layer(19). Thereafter, a densified silicon oxide layer(30) is formed thinly on a surface of the MSSQ layer(15) exposed to the contact hole by irradiation of an ion beam. After that, the photoresist layer(19) is removed by the ion beam.

Abstract translation: 目的：提供一种使用低介电常数的甲基硅烷类倍半硅烷（MSSQ）作为层间电介质层制造半导体器件的方法，以减少由层间电介质层中的接触不良引起的RC延迟时间。 构成：在该方法中，金属线（11）形成在基板（10）上，然后用由CVD氧化物层制成的覆盖层（13）覆盖。 在其上涂覆MSSQ层（15），然后将CVD氧化硅层（17）沉积在MSSQ层（15）上。 蚀刻位于金属线（11）上方的所有层（13,15,17），以通过使用相邻的光致抗蚀剂层（19）在其中形成接触孔。 此后，通过照射离子束，在暴露于接触孔的MSSQ层（15）的表面上，薄化地形成致密的氧化硅层（30）。 之后，通过离子束去除光致抗蚀剂层（19）。

公开(公告)号：KR1020010009811A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990028403

申请日：1999-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01L21/32137

Abstract: PURPOSE: A method is provided to etch a stacked layer of a polysilicon layer and a metal silicide layer by using a plasma etching method, and increase an etching selection ratio of a metal silicide layer about a polysilicon layer by preventing an etching prevention layer on the exposed polysilicon layer. CONSTITUTION: An etching method is provided to increase an etching selection ratio of a metal silicide layer about a polysilicon layer. A plasma source power source is applied to an etching chamber, the metal silicide layer is plasma-etched, and a bias power source is applied on a substrate. A metal silicide layer is etched by accelerating the etching gas ion. When the plasma source power source is successively applied, the bias power source applied on the substrate is applied, or a power within a range not accelerating the etching gas ion is only applied. so that the etching gas is chemically sucked on a metal silicide layer, and an exposed polysilicon layer is oxidized. Thereby, only an etching prevention layer is selectively formed on the exposed polysilicon layer by modulating a bias power source, an etching selection ratio of the metal silicide layer about the polysilicon layer is increased. Since a damage is prevented by an abnormal etching of the polysilicon layer, and a reliability of a semiconductor device is enhanced.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用等离子体蚀刻方法来蚀刻多晶硅层和金属硅化物层的堆叠层的方法，并且通过防止在多晶硅层上的防蚀层增加金属硅化物层在多晶硅层周围的蚀刻选择比 暴露的多晶硅层。 构成：提供蚀刻方法以增加围绕多晶硅层的金属硅化物层的蚀刻选择比。 将等离子体源电源施加到蚀刻室，对金属硅化物层进行等离子体蚀刻，并将偏置电源施加到衬底上。 通过加速蚀刻气体离子蚀刻金属硅化物层。 当连续施加等离子体源电源时，施加施加在基板上的偏置电源，或者仅施加不加速蚀刻气体离子的范围内的功率。 使得蚀刻气体被化学吸附在金属硅化物层上，并且暴露的多晶硅层被氧化。 由此，通过调制偏置功率源，在曝光的多晶硅层上仅选择性地形成防蚀蚀层，增加了围绕多晶硅层的金属硅化物层的蚀刻选择比。 由于通过多晶硅层的异常蚀刻来防止损伤，并且提高了半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：KR1019990085528A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980017993

申请日：1998-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/306

Abstract: RF 바이어스의 피크 투 피크 전압(Peak to Peak voltage) 및 자기 바이어스 전압(self bias voltage)의 감소가 발생하지 않는 플라즈마 식각설비의 RF 바이어스 인가방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 RF 바이어스 전원에서 RF 바이어스를 발생하는 단계와, 상기 RF 바이어스를 플라즈마 챔버의 웨이퍼가 놓이는 척과 연결할 때, 직렬로 연결되는 커패시터를 포함하지 않는 임피던스 매칭 네트웍을 통해 전달하는 단계와, 상기 RF 바이어스를 플라즈마 챔버의 웨이퍼 및 척(chuck)을 전극으로 사용하고 척위에 코팅된 절연막을 유전체막으로 사용하는 웨이퍼 백 커패시터만을 직렬 커패시터로 사용하여 인가하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각설비의 RF 바이어스 인가방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020010094151A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：KR1020000017635

申请日：2000-04-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A plasma etching apparatus is provided to enhance an etching selectivity and to prevent a sputtering of oxygen by using a Teflon window. CONSTITUTION: The plasma etching apparatus comprises a reaction chamber(21), a plasma power source, a Teflon window(27) and an electrostatic chuck(29). Microwaves from the plasma power source are generated on an insulating plate(23). The plasma source includes an RF(radio frequency) plasma, an SWP(surface wave plasma), an ECR(electron cyclotron resonance) plasma, or a helicon wave plasma. Also, the RF plasma is an ICO(inductively coupled plasma) or a TCP(transformer coupled plasma).

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻装置，以提高蚀刻选择性并通过使用特氟纶窗防止氧气溅射。 构成：等离子体蚀刻装置包括反应室（21），等离子体动力源，特氟隆窗（27）和静电卡盘（29）。 在绝缘板（23）上产生来自等离子体电源的微波。 等离子体源包括RF（射频）等离子体，SWP（表面波等离子体），ECR（电子回旋共振）等离子体或者螺旋波等离子体。 此外，RF等离子体是ICO（电感耦合等离子体）或TCP（变压器耦合等离子体）。

公开(公告)号：KR1019990085667A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980018222

申请日：1998-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명의 화학기상증착장치의 플라즈마 소오스 파워 발생기는 발진기와, 상기 발진기의 신호와 온오프할 수 있는 펄스 모듈레이션 발생기로부터의 신호를 믹싱하는 믹서와, 상기 믹서로부터의 신호를 증폭하는 프라즈마 소오스 파워 증폭기로 구성되어 상기 펄스 모듈레이션에 의하여 플라즈마 소오스 파워를 온오프 한다. 이로써, 플라즈마 소오스 파워를 연속적으로 발생시키지 않아 전하축적현상을 줄일수 있다.

公开(公告)号：KR100265768B1

公开(公告)日：2000-10-02

申请号：KR1019980017993

申请日：1998-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A method for applying an RF(Radio Frequency) bias of plasma etching equipment is provided to improve problems of a peak to peak voltage and a self bias voltage of an RF bias by composing a capacitor of a transfer path of an RF bias. CONSTITUTION: A bias is generated from an RF bias source(100). The RF bias is transferred through an impedance matching network(102) connected directly with a chuck for loading a wafer. The RF bias is applied by using only a wafer back capacitor(Cback) as a direct capacitor. The wafer back capacitor(Cback) uses the wafer and the chuck of a plasma chamber as an electrode and an insulating layer coated on the chuck as a dielectric layer. A range of the RF bias is 20 to 200 MHz.

Abstract translation: 目的：提供一种施加等离子体蚀刻设备的RF（射频）偏压的方法，通过组合RF偏压的传输路径的电容器来改善峰峰值电压和RF偏压的自偏压的问题。 构成：从偏压源（100）产生偏压。 RF偏压通过与用于加载晶片的卡盘直接连接的阻抗匹配网络（102）传送。 通过仅使用晶圆背电容器（Cback）作为直流电容器施加RF偏压。 晶圆背面电容器（Cback）使用晶片和等离子体室的卡盘作为电极，并且涂覆在卡盘上的绝缘层作为电介质层。 RF偏置的范围为20至200MHz。

公开(公告)号：KR1019990065310A

公开(公告)日：1999-08-05

申请号：KR1019980000554

申请日：1998-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정형

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마를 사용하여 웨이퍼 상의 피식각체를 식각하는 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 플라즈마 식각 장치는 그 크기는 가공하고자하는 웨이퍼의 크기보다 크고, 그 중앙부는 가공하고자하는 상기 웨이퍼와 중첩되지 않도록 중공 상태로 되어 있는 평판형 안테나를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019990033625A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970055036

申请日：1997-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지경구 ,  김정형

IPC: H01L21/76

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 트렌치 형성 방법 및 그 구조에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 트렌치 영역을 정의하여 마스크막을 형성한다. 이때, 상기 트렌치 영역의 폭은 후속 희생 산화막 공정에 의해 증가되므로 원하는 트렌치 영역의 폭 보다 상대적으로 작게 형성한다. 상기 마스크막에 의해 오픈된 반도체 기판의 일부를 등방성 식각으로 일차 식각하고, 이어서 비등방성 식각으로 이차 식각 하여 깔때기 입구와 같이 어느 정도 경사진 트렌치 상부를 갖는 트렌치를 형성한다. 그리고, 상기 트렌치 내벽에 희생 산화막을 형성한 후 상기 마스크막 및 상기 희생 산화막을 제거하면, 트렌치 상부 에지 부분 및 하부 에지 부분이 라운딩 된 트렌치가 형성된다. 이와 같은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 의해서, 트렌치 에지 부분에 집중되는 스트레스를 구조적으로 줄일 수 있고, 따라서 트렌치 격리 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030024002A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：KR1020010056798

申请日：2001-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류이열 ,  임진형 ,  정현담 ,  김정형

IPC: C08G77/14

Abstract: PURPOSE: Provided are a siloxane-based copolymer having very low dielectric constant, and a method for forming an interlayer insulating film of semiconductor having low dielectric constant by using the same. CONSTITUTION: The siloxane-based resin is produced by hydrolyzing and polycondensing a cyclic siloxane compound having a structure of formula 1 and a silane compound having a structure of formula 2: SiX1X2X3X4 in organic solvent in the presence of a catalyst and water. In the formula 1, R is a hydrogen atom, alkyl group having C1-C3, cycloalkyl group having C3-C10 or aryl group having C6-C15; X1, X2 and X3 are, independently, an alkyl group having C1-C3, alkoxy group having C1-C10 or halogen group, wherein at least one of X1, X2 and X3 are alkoxy or halogen group; p is an integer of 3-8; and m is an integer of 1-10, and in the formula 2, X1, X2, X3 and X4 are, independently, an alkoxy group having C1-C10 or halogen group.

Abstract translation: 目的：提供具有非常低介电常数的硅氧烷基共聚物，以及通过使用该介电常数形成介电常数低的半导体层间绝缘膜的方法。 构成：通过在催化剂和水的存在下，在有机溶剂中水解和缩聚具有式1结构的环状硅氧烷化合物和具有结构式2的硅烷化合物SiX1X2X3X4来制备硅氧烷类树脂。 在式1中，R是氢原子，具有C 1 -C 3的烷基，具有C 3 -C 10的环烷基或具有C 6 -C 15的芳基; X 1，X 2和X 3独立地为具有C 1 -C 3的烷基，具有C 1 -C 10的烷氧基或卤素基团，其中X 1，X 2和X 3中的至少一个为烷氧基或卤素基团; p是3-8的整数; m为1〜10的整数，式2中，X1，X2，X3，X4独立地为具有C1-C10或卤素基团的烷氧基。