公开(公告)号：KR1019980043664A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960061616

申请日：1996-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김하일

IPC: G11C7/00

Abstract: 본 발명은 프로그램 메모리의 어드레스 확장회로를 공개한다. 그 회로는 N비트의 어드레스의 소정수의 하위 비트 신호를 버퍼하기 위한 제1버퍼들, 상기 N비트의 어드레스의 소정수의 하위 비트 신호를 제외한 상위 비트 신호를 입력하여 상기 상위 비트 신호에 해당하는 어드레스 및 소정수의 확장된 비트 신호를 출력하기위한 메모리, 상기 메모리의 출력신호를 버퍼하여 출력하기 위한 제2버퍼들로 구성되어 있다. 따라서, 메모리를 이용하여 사용자가 확장하기를 원하는 비트만큼 메모리에 원하는 데이타를 저장함으로써 어드레스를 확장할 수 있다. 그래서, 프로그램의 크기가 중앙 처리장치에서 제공하는 어드레스의 범위를 초과하는 경우가 발생하면 중앙 처리 장치를 바꾸지 않아도 된다.

公开(公告)号：KR100203407B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960007534

申请日：1996-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김하일

IPC: G06F1/24

Abstract: 본 발명은 정해진 시간 보다 짧은 구간동안 액티브 상태를 유지하는 불안정한 리세트 신호를 제거하는 리세트 신호 필터링 회로에 관한 것으로, 시스템 클럭 신호(CLK)와 리세트 신호(RESET)를 입력으로 인가되는 리세트 신호(RESET)가 상기 시스템 클럭 신호(CLK)의 일정 주기 이상 액티브 상태를 유지하는지를 검출하여 검출 신호(Q4)를 출력하는 리세트 신호 검출부(1), 및 상기 시스템 클럭 신호(CLK)와 리세트 신호 검출부(1)로부터 출력되는 검출 신호(Q4)를 이용하여 상기 시스템 클럭 신호(CLK)의 일정 주기 이상 액티브 상태를 유지하는 리세트 환원 신호(ORESET)를 발생하는 리세트 신호 환원부(2)로 구성된다.
따라서 본 발명은 리세트 신호가 최소한 5주기 이상 액티브 상태를 유지할 때 프로세서가 정상적인 동작을 수행할 수 있도록 하고, 전원이나 주변 회로가 일시적으로 불안정하여 짧은 시간 동안 액티브될 경우에는 리세트 신호의 발생을 차단하여 프로세서의 오동작을 막는다.

公开(公告)号：KR1019980012896A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960028035

申请日：1996-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김하일

IPC: H03K17/16

公开(公告)号：KR1019970022731A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950035475

申请日：1995-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김하일

IPC: G06F7/50

Abstract: 본 발명은 가산기의 캐리 발생 회로에 관한 것으로서, 특히 고속 연산을 위한 바이패스(Bypass) 방식에서 데이터의 충돌을 방지하도록 한 고속 가산기의 캐리 발생 회로에 관한 것이다.
캐리가 인가되는 캐리 입력 단자, n-1개의 캐리 전파 신호와 n개의 전파 신호의 조합에 의한 제1제어신호에 응답하여 스위칭 되는 제1스위칭 수단들, n개의 캐리 발생 신호를 상기 제1스위칭 수단들의 각 출력노드에 연결 되도록 하는 대응하는 n-1개의 캐리 전파 신호와 n개의 캐리 전파 신호의 조합에 의한 제2제어신호에 응답하여 스위칭 되는 제2스위칭 수단들, 상기 캐리 입력 단자와 상기 캐리 출력 단자 사이에 연결되어 n개의 캐리 전파 신호의 조합에 의한 제3제어 신호에 응답하여 스위칭되는 제3스위칭 수단으로 구성된다.
3개의 제어 신호중 제3제어 신호는 바이패스(Bypass) 경로가 선택되는 조건이고, 제1, 제2제어 신호는 리플캐리 경로가 나누어져 선택되는 조건이다. 따라서, 3개의 제어신호중 1개의 제어신호는 반드시 발생토록 하였으며 1개의 제어 신호가 선택되면 다른 2개의 제어 신호는 블로킹 되므로 데이터의 충돌을 방지하여 전력 소모를 줄일 수 있고, 신호의 지연을 줄일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970008205A

公开(公告)日：1997-02-24

申请号：KR1019950022081

申请日：1995-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현 ,  김하일

IPC: G11C17/00

Abstract: 이 발명은 마스트 롬(mask Read Only Memory) 에 관한 것으로서, 롬의 셀 어리에(cell array) 등화셀(equalization cell)을 구비하도록 롬의 프리충전(pre-charging) 구간에 비트라인(bit line)과 그라운드라인(ground line) 을 도통시킴으로써 연속적인 오프-셀의 선택으로 인한 비트라인의 과충전(over charging) 에 의한 전압을 여기하도록 하는 마스크 롬에 관한 것이다.