-
公开(公告)号：KR100959782B1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020030007764
申请日：2003-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13
Abstract: 영상을 디스플레이 하는 픽셀의 특성을 정확하게 파악할 수 있는 모니터링 픽셀 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 영상이 디스플레이 되는 유효 디스플레이 영역에 형성된 픽셀의 전기적 특성을 영상이 디스플레이 되지 않는 비유효 디스플레이 영역에 형성된 모니터링 픽셀을 통하여 정확하게 측정함으로써, 유효 디스플레이 영역의 픽셀을 형성하는 도중 발생하는 공정 불량을 사전에 인식하여 대처할 수 있도록 하는 효과를 갖는다.
모니터링 픽셀-
公开(公告)号：KR1020090012821A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076980
申请日：2007-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203
Abstract: An input/output control method and an apparatus for optimizing a flash memory are provided to improve performance according to a random recording operation by recording sequentially data in a log region of the flash memory while a random recording operation is performed in a memory. An input/output control method for optimizing a flash memory includes a process for determining whether a random recording calculation operation is generated in a flash memory or not(S13). The input/output control method further includes a process for recording sequentially random input data in a predetermined residual region of the flash memory when the random recording calculation operation is generated in the flash memory(S20).
Abstract translation: 提供了一种用于优化闪速存储器的输入/输出控制方法和装置，以便在随机记录操作在存储器中执行随机记录操作时，通过在闪速存储器的对数区域中顺序记录来记录随机记录操作来提高性能。 一种用于优化闪速存储器的输入/输出控制方法包括用于确定闪存中是否产生随机记录计算操作的处理（S13）。 输入/输出控制方法还包括当在闪速存储器中产生随机记录计算操作时，在闪速存储器的预定残余区域中顺序地随机输入数据进行记录的处理（S20）。
-
公开(公告)号：KR1020070065073A
公开(公告)日：2007-06-22
申请号：KR1020050125758
申请日：2005-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: A method for fabricating a TFT is provided to obtain a clean screen by preventing the characteristic of a TFT from varying with a position. A silicon layer is formed on a substrate(100). A silicon oxide layer(120) is formed on the silicon layer. A channel doping process is performed on the silicon layer. A silicon nitride layer is formed on the silicon oxide layer. A gate electrode is formed on the silicon nitride layer. The silicon layer can be made of a polycrystalline silicon layer(110). The process for forming the silicon layer includes the following steps. An amorphous silicon layer is formed. A heat treatment or a laser treatment is performed on the amorphous silicon layer so that the amorphous silicon layer is transformed into a polycrystalline silicon layer.
Abstract translation: 提供一种用于制造TFT的方法，以通过防止TFT的特性随位置而变化来获得干净的屏幕。 在衬底（100）上形成硅层。 在硅层上形成氧化硅层（120）。 在硅层上进行沟道掺杂工艺。 在氧化硅层上形成氮化硅层。 在氮化硅层上形成栅电极。 硅层可以由多晶硅层（110）制成。 形成硅层的工艺包括以下步骤。 形成非晶硅层。 对非晶硅层进行热处理或激光处理，使得非晶硅层转变为多晶硅层。
-
公开(公告)号：KR1020060115780A
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050038060
申请日：2005-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , H01L27/1288
Abstract: An LCD and a method for manufacturing the same are provided to allow the performing of four-mask process, thereby reducing the number of masks and shortening the process time. A light shielding layer(410a) and a pixel electrode(410b) are formed on an insulating substrate(400). A semiconductor layer(430a) is formed on the light shielding layer, and has a source region, a drain region, and a channel region. A gate line has a gate electrode(450) above the semiconductor layer. An organic layer(470) is formed on the resultant substrate. The organic layer has a first contact hole(471) for exposing the source region, and a second contact hole(472) for exposing the drain region and a portion of the pixel electrode. A data line having a source electrode(481) is formed on the organic layer. The source electrode is connected to the source region through the first contact hole. A drain electrode(482) is connected to the pixel electrode and the drain electrode through the second contact hole.
Abstract translation: 提供LCD及其制造方法，以允许执行四掩模处理，从而减少掩模的数量并缩短处理时间。 遮光层（410a）和像素电极（410b）形成在绝缘基板（400）上。 半导体层（430a）形成在遮光层上，具有源极区域，漏极区域和沟道区域。 栅极线在半导体层上方具有栅电极（450）。 在所得基板上形成有机层（470）。 有机层具有用于曝光源极区域的第一接触孔（471）和用于使漏极区域和像素电极的一部分露出的第二接触孔（472）。 具有源电极（481）的数据线形成在有机层上。 源极通过第一接触孔与源极区域连接。 漏电极（482）通过第二接触孔与像素电极和漏电极连接。
-
公开(公告)号：KR1020060018139A
公开(公告)日：2006-02-28
申请号：KR1020040066492
申请日：2004-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/2026 , H01L21/02675 , H01L27/1274 , H01L29/66757
Abstract: 본 발명은 비정질 규소층의 결정화 방법에 관한 것으로서, 기판소재 상에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층 상에 비정질 규소층을 형성하는 단계와, 상기 비정질 규소층이 하향하도록 상기 기판소재를 배치하는 단계와, 상기 비정질 규소층에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 비정질 규소층이 결정화되어 형성된 다결정 규소층에 발생하는 돌기를 억제할 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050051831A
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：KR1020030085488
申请日：2003-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경민
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 박막 트랜지스터의 특성 불량을 용이하게 판단하기 위한 것으로, 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수개의 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하여 매트릭스 형태의 표시 영역을 한정하는 복수개의 데이터선, 표시 영역 내에 형성되며 게이트선 및 데이터선과 각각 연결되어 있는 복수개의 박막 트랜지스터, 표시 영역 내에 형성되며 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수개의 화소 전극, 표시 영역 바깥에 위치하며 화소 전극과 동일한 층에 형성되어 있고, 게이트선 또는 데이터선과 각각 중첩하는 복수개의 검사용 도전체를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020040078369A
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：KR1020030013284
申请日：2003-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경민
IPC: H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A TFT substrate is provided to improve the reflectance and the display quality by forming a contact hole on an interface between a reflecting window and a transmitting window. CONSTITUTION: An active pattern(202) is formed on an insulating substrate. A gate insulating layer(204) is formed on the insulating substrate and the active pattern. A gate electrode(205) is formed on the gate insulating layer. An interlayer dielectric(208) is formed on the gate electrode and the gate insulating layer. A source/drain electrode(206,207) is formed on both sides of an overlapped region between the active pattern and the gate insulating layer by patterning the interlayer dielectric. A protective layer having a contact hole is formed on the source/drain electrode and the interlayer dielectric. A reflective electrode(290) is formed on the protective layer.
Abstract translation: 目的：提供TFT基板，通过在反射窗和发射窗之间的界面上形成接触孔来提高反射率和显示质量。 构成：在绝缘基板上形成有源图案（202）。 在绝缘基板和有源图案上形成栅极绝缘层（204）。 在栅极绝缘层上形成栅电极（205）。 在栅极电极和栅极绝缘层上形成层间电介质（208）。 通过图案化层间电介质，在有源图案和栅极绝缘层之间的重叠区域的两侧上形成源极/漏极（206,207）。 在源/漏电极和层间电介质上形成具有接触孔的保护层。 反射电极（290）形成在保护层上。
-
-
-
公开(公告)号：KR1020170108605A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020160032767
申请日：2016-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F9/4881 , G06F9/4418 , G06F9/461 , G06F9/4831 , G06F9/542
Abstract: 본문서에개시되는다양한실시예들은전자장치및 상기전자장치에서실행되는프로세스들을단계적으로재개하는방법에관한것이다. 일실시예에따른전자장치에서단계별로플랫폼프로세스를재개하는방법에있어서, 전자장치에포함된디스플레이를액티브상태에서슬립상태로전환하는동작, 디스플레이가슬립상태인경우, 전자장치에서내부적으로발생하거나외부디바이스또는사용자에의해야기되는적어도하나의이벤트를검출하는동작, 적어도하나의이벤트를검출하면시스템프로세스를실행하는동작, 검출된이벤트의적어도일부에기초하여, 전자장치의하나이상의하드웨어또는소프트웨어구성요소와각각연관된하나이상의비 시스템프로세스를선택하는동작및 선택된하나이상의비 시스템프로세스와연계된전자장치의하나이상의하드웨어또는소프트웨어구성요소를활성화하여, 선택된하나이상의비 시스템프로세스를실행하는동작을포함하는것을특징으로할 수있다.
Abstract translation: 这里公开的各种实施例涉及用于在电子设备中执行的后退过程的电子设备和方法。 在根据本实施例，当包含在从激活状态向休眠状态的电子装置用于切换显示的操作恢复平台过程中的电子装置的一步一步的一个示例性方法中，所述显示器处于睡眠状态时，在电子装置内部产生，或 外部设备或检测其基于执行所述系统过程中，检测到的事件，所述电子设备的一个或多个硬件或软件配置的操作的至少一部分在检测到事件中的至少由所述用户引起的，至少一个事件的操作 以使元件和操作用于选择一个或多个非系统进程相关联，并且一个或多个与所选择的一个或多个非系统进程相关联的电子设备的多个硬件或软件组件，包括执行所述一个或多个非系统的操作处理所选择的 。“
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.024 seconds)
