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    플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제어 방법
    11.
    发明公开
    플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제어 방법 审中-实审
    柔性显示装置及其连接方法

    公开(公告)号：KR1020140025931A

    公开(公告)日：2014-03-05

    申请号：KR1020120092629

    申请日：2012-08-23

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 권장윤 ,  박소영 ,  신승우 ,  엄태원 ,  이창수

    IPC: G06F3/01 ,  G06F3/14

    CPC classification number: G09G3/001 ,  G06F1/1641 ,  G06F1/1643 ,  G06F1/1652 ,  G06F1/1677 ,  G06F3/013 ,  G06F3/04883 ,  G06F2203/04803 ,  G09G2380/02 ,  G06F3/14

    Abstract: A flexible display device is disclosed. The flexible display device comprises: a display part; a sensing part for sensing bending of the flexible display device; and a controller for controlling the display part to display first content on a first screen of the display part, and display and reconfigure the first content on a second screen generated on an area of the display part based on the bending. [Reference numerals] (110) Display part; (120) Sensing part; (130) Control part

    Abstract translation: 公开了一种柔性显示装置。 柔性显示装置包括：显示部; 用于感测柔性显示装置的弯曲的感测部件; 以及控制器，用于控制显示部分在显示部分的第一屏幕上显示第一内容，并且基于弯曲在显示部分的区域上生成的第二屏幕上显示和重新配置第一内容。 （附图标记）（110）显示部; （120）感应部分; （130）控制部分

    플레쉬 메모리 소자의 게이트 전극 형성 방법
    13.
    发明公开
    플레쉬 메모리 소자의 게이트 전극 형성 방법 无效
    用于形成闪存存储器装置的栅极电极以提高细胞的散射程度并防止多晶硅残留物的产生的方法

    公开(公告)号：KR1020040103217A

    公开(公告)日：2004-12-08

    申请号：KR1020030035150

    申请日：2003-05-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김형진 ,  박소영 ,  정병홍

    IPC: H01L21/8247

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a gate electrode of a flash memory device to improve a scattering degree of cells and prevent generation of polysilicon residues is provided to improve a scattering degree of threshold voltage characteristics of a memory cell transistor by forming uniformly a gate oxide layer on the first silicon layer pattern and an upper surface of a substrate. CONSTITUTION: A field oxide layer pattern(110) is formed on a semiconductor substrate(100). A nitride layer is formed on the semiconductor substrate and the field oxide layer pattern. A nitride layer spacer is formed by etching back the nitride layer. A gate oxide layer(114) is formed on a surface of the exposed semiconductor substrate. The first polysilicon layer pattern is formed on the nitride layer spacer and the gate oxide layer. A dielectric layer and the second polysilicon layer are formed on the first polysilicon layer pattern and the field oxide layer pattern. A gate electrode is formed by patterning the second polysilicon layer, the dielectric layer, and the first polysilicon layer pattern.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成闪速存储器件的栅电极以提高电池的散射度并防止产生多晶硅残留物的方法，以通过均匀地形成栅极氧化层来改善存储单元晶体管的阈值电压特性的散射度 在第一硅层图案和基板的上表面上。 构成：在半导体衬底（100）上形成场氧化物层图案（110）。 在半导体衬底和场氧化物层图案上形成氮化物层。 通过蚀刻氮化物层形成氮化物层间隔物。 在暴露的半导体衬底的表面上形成栅氧化层（114）。 第一多晶硅层图案形成在氮化物层间隔物和栅极氧化物层上。 介电层和第二多晶硅层形成在第一多晶硅层图案和场氧化物层图案上。 通过图案化第二多晶硅层，电介质层和第一多晶硅层图案来形成栅电极。

    데이터를 송수신하는 방법 및 이를 수행하기 위한 전자 필기구
    15.
    发明公开
    데이터를 송수신하는 방법 및 이를 수행하기 위한 전자 필기구 审中-实审
    用于传输和接收数据的方法和用于执行该数据的电子格式。

    公开(公告)号：KR1020150072226A

    公开(公告)日：2015-06-29

    申请号：KR1020130159647

    申请日：2013-12-19

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정지훈 ,  조은영 ,  송미정 ,  이상헌 ,  김예리 ,  박소영

    IPC: G06F13/38 ,  G06F3/01 ,  G06F3/033

    Abstract: 전자필기구에서소정의모션을인식하고, 상기인식된소정의모션에기초하여전자기기와상기데이터를송신및 수신중 적어도하나를수행하는방법이개시된다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种方便用户方便地在设备之间发送和接收数据的方法，以及基于规定的运动来执行电子书写用品的方法。 公开了一种基于所识别的规定动作，从电子书写用品识别规定的动作的方法，并且使用电子书写用品发送和接收数据中的至少一种。

    반도체 소자의 절연막 형성방법
    16.
    发明公开
    반도체 소자의 절연막 형성방법 无效
    形成半导体器件绝缘层的方法

    公开(公告)号：KR1020040020600A

    公开(公告)日：2004-03-09

    申请号：KR1020020052232

    申请日：2002-08-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박소영

    IPC: H01L21/31

    Abstract: PURPOSE: A method for forming an insulating layer of a semiconductor device is provided to improve gap-filling property and to prevent attack of fluorine ions by forming the insulating layer using NF3. CONSTITUTION: A diffusion barrier layer(220) is formed on a semiconductor substrate(200) for preventing attacks of impurities into the substrate. An insulating layer is then formed on the diffusion barrier layer by using fluorine containing gas, such as NF3. At the time, a thermal oxide layer is used as the diffusion barrier layer(220).

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的绝缘层的方法，以提高间隙填充性能，并且通过使用NF3形成绝缘层来防止氟离子的侵蚀。 构成：在半导体衬底（200）上形成扩散阻挡层（220），以防止杂质侵入衬底。 然后通过使用含氟气体如NF3在扩散阻挡层上形成绝缘层。 此时，使用热氧化物层作为扩散阻挡层（220）。

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