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公开(公告)号：KR1020000024941A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980041746
申请日：1998-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: PURPOSE: An apparatus is provided to form a strong magnetic field and to improve the uniformity of plasma by generating plasma with the use of MICP source instead of ICP. CONSTITUTION: A plasma etching device(10) has a structure that plural ferrite magnets are inserted into a coil of a source chamber(20). An inductive coupled source having a structure that the plural ferrite magnets are inserted is used a source for generating an etching gas by which a single layer and multiple layer membrane is etched. SF6, Cl2, CF6, HBr, N2, and O2 are used as the etching gas. The etching gas is generating with a source power of a range from 400 - 1200W and a bottom power of a range from 50 - 200W at a pressure of 1 - 20mTorr.
Abstract translation: 目的：提供一种设备，以形成强磁场，并通过使用MICP源而不是ICP产生等离子体来提高等离子体的均匀性。 构成：等离子体蚀刻装置（10）具有将多个铁氧体磁体插入到源室（20）的线圈中的结构。 使用具有插入多个铁氧体磁体的结构的感应耦合源，用于产生蚀刻气体的源，通过该蚀刻气体蚀刻单层和多层膜。 SF6，Cl2，CF6，HBr，N2和O2用作蚀刻气体。 在1-20mTorr的压力下，产生源功率为400-1200W，底功率为50-200W的蚀刻气体。
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公开(公告)号：KR1019980053053A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960072101
申请日：1996-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 식각공정수행으로 인한 프로파일을 개선시킨 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판 상에 산화막, 폴리실리콘막 및 텅스텐실리사이드막이 순차적으로 적층구비되는 콘택 홀영역에 폴리사이드를 형성시키기 위하여 식각공정이 수행되는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 산화막의 선택비를 조절하기 위한 O
2 가스의 혼합비는 Cl
2 가스 대비 8% ∼ 12%로 하고, 상기 식각공정에 이용되는 반응가스들을 활성화시키기 위한 RF 파워의 인가는 50W ∼ 60W 정도로 하여 상기 식각공정을 수행함을 특징으로 한다.
따라서, 버티컬한 프로파일을 얻을 수 있어 후속공정에서의 불량의 원인이 제거되는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR1019980041519A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960060822
申请日：1996-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 공정수행시 토포로지 등을 개선시킨 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판 상에 금속막이 적층형성되어 있는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 금속막 상에 플라즈마를 이용하여 산화막을 적층형성시키는 단계, 상기 산화막 상의 전면에 소정의 패턴을 형성시키기 위하여 포토레지스트를 도포형성시켜 포토공정을 수행하는 단계 및 상기 포토공정으로 형성되는 소정의 패턴으로 상기 산화막 및 상기 금속막을 식각하고, 상기 포토레지스트를 인시튜로 애싱 및 스트립시키는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 정확한 패턴의 형성으로 반도체장치의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.
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