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公开(公告)号：KR1020000012850A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980031391
申请日：1998-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A method for etching of semiconductor device is provided to improve effect of etching using an electron cyclotron resonance. CONSTITUTION: A predetermined thin film is etched using a main etching gas by a mixture of gases consists of a chlorine gas(Cl2), oxygen gas(O2), and hexafluorized sulfur gas(SF6). The main etching gas is added a hydride bromine gas(HBr). In the etching process, a bottom power supplied to a lower electrode of a chamber is 30 ¯ 210W. In the etching process, a current flows via a magnetic coil is 0 ¯ 30A.
Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体器件的方法，以改善使用电子回旋共振的蚀刻效果。 构成：通过由氯气（Cl2），氧气（O2）和六氟化硫气体（SF6）组成的气体混合物，使用主蚀刻气体蚀刻预定的薄膜。 主蚀刻气体加入氢化物溴气（HBr）。 在蚀刻工艺中，提供给室的下电极的底部功率为30〜210W。 在蚀刻过程中，经由电磁线圈流动的电流为0〜30A。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980016890A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036585
申请日：1996-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 설비에 에러(Eroor)발생시 에러에 대한 조치방법을 포함한 에러내역을 디스플레이(Display)하여 판단착오를 방지하고 신속한 조치를 수행하여 작업의 효율성을 개선시킨 반도체 설비의 에러표시방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 설비에 있어서 에러발생시 에러내역을 디스플레이하는 반도체 설비의 에러표시방법에 있어서, 상기 설비에서 발생할 수 있는 에러에 대한 조치방법을 상기 에러내역에 포함하여 데이터베이스(Database)로 구축하는 단계, 상기 에러 발생시 상기 데이터베이스를 검색하는 단계 및 상기 검색이 이루어진 에러내역을 디스플레이하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 설비의 에러발생시 해당에러에 대하여 판단착오없이 신속한 조치를 수행하여 작업의 효율성을 높이는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR100230985B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019960036585
申请日：1996-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 설비에 에러(Error)발생시 에러에 대한 조치방법을 포함한 에러내역을 디스플레이(Display)하여 판단착오를 방지하고 신속한 조치를 수행하여 작업의 효율성을 개선시킨 반도체 설비의 에러표시방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 설비에 있어서 에러발생시 에러내역을 디스플레이하는 반도체 설비의 에러표시방법에 있어서, 상기 설비에서 발생할 수 있는 에러에 대한 조치방법을 상기 에러내역에 포함하여 데이터베이스(Database)로 구축하는 단계, 상기 에러 발생시 상기 데이터베이스를 검색하는 단계 및 상기 검색이 이루어진 에러내역을 디스플레이하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 설비의 에러발생시 해당에러에 대하여 판단착오없이 신속한 조치를 수행하여 작업의 효율성을 높이는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980031838A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960051400
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 제조공정이 간단한 플라즈마를 이용한 반도체 메모리장치 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 하부구조가 형성된 웨이퍼 상부에 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 포토레지스트가 도포된 상기 웨이퍼 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 웨이퍼 전면을 식각하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 폴리층이 형성된 웨이퍼 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하고 공정조건을 조절하여 곧바로 식각공정을 수행하여 표면적이 증가된 커패시터를 간단히 제조할 수 있는 효과가 있다.
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