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公开(公告)号：KR1020080020155A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060083213
申请日：2006-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A method for forming an ohmic layer and a method for forming a semiconductor device by using the same are provided to suppress previously corrosion of an ohmic layer into a silicon substrate by performing selectively a metal silicidation process only on a silicon layer. A silicon layer is formed on a substrate(100) including silicon by using an SEG(Selective Epitaxial Growth) method. A metal layer is formed on the silicon layer. An ohmic layer(106) is formed on the substrate by performing a thermal process for the silicon layer and the metal layer. The metal layer is formed on the silicon layer by performing a physical vapor deposition process, a chemical vapor deposition process or an atomic layer deposition process. The metal layer includes titanium, cobalt, nickel, or tungsten.
Abstract translation: 提供一种用于形成欧姆层的方法和通过使用该方法形成半导体器件的方法，以通过仅在硅层上选择性地进行金属硅化处理来抑制欧姆层对硅衬底的预先腐蚀。 通过使用SEG（选择性外延生长）方法，在包括硅的基板（100）上形成硅层。 在硅层上形成金属层。 通过对硅层和金属层进行热处理，在衬底上形成欧姆层（106）。 通过进行物理气相沉积工艺，化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺，在硅层上形成金属层。 金属层包括钛，钴，镍或钨。
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公开(公告)号：KR1020080000388A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060058172
申请日：2006-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/31111 , H01L21/76847
Abstract: A method for forming a semiconductor device having a wiring is provided to minimize voids within an opening by filling the opening with a metal layer. An insulating layer having an opening(16a) is formed on a semiconductor substrate(10). A first barrier layer(18) is conformally formed within the opening and on an upper surface of the insulating layer by using a CVD method. A second barrier layer(20) is formed on the semiconductor substrate by using a physical vapor deposition method. A part of the first barrier layer is exposed. The opening is filled with a metal layer(22) by using the chemical vapor deposition method. A wiring is formed by planarizing the metal layer, the second barrier layer, and the first barrier layer.
Abstract translation: 提供一种形成具有布线的半导体器件的方法，以通过用金属层填充开口来最小化开口内的空隙。 具有开口（16a）的绝缘层形成在半导体衬底（10）上。 第一阻挡层（18）通过使用CVD法共形地形成在绝缘层的开口内和上表面上。 通过使用物理气相沉积法在半导体衬底上形成第二阻挡层（20）。 暴露第一阻挡层的一部分。 通过使用化学气相沉积方法填充金属层（22）。 通过使金属层，第二阻挡层和第一阻挡层平坦化形成布线。
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公开(公告)号：KR100788668B1
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020050071694
申请日：2005-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B41J2/165
CPC classification number: B41J2/16585 , B41J2/16535
Abstract: 잉크젯 화상형성장치가 개시된다. 개시된 잉크젯 화상형성장치는 용지의 폭에 해당하는 길이를 갖으며, 다수의 노즐이 형성된 노즐부를 구비하는 잉크젯 헤드, 잉크젯헤드의 하측에 설치되어 용지를 지지하는 플라텐, 노즐부를 닦는 와이핑롤러와, 플라텐을 회동시키면서 와이핑롤러를 노즐부와 접촉시켜 잉크를 흡입시키고, 플라텐을 원위치로 복귀시키면서 노즐부를 와이핑하는 와이핑롤러를 노즐부로부터 이격시키는 이송수단를 구비한다.
Abstract translation: 公开了一种喷墨成像装置。 所公开的喷墨成像装置是设置在喷墨头台板的下侧的喷墨头，擦拭喷嘴部有过用于支撑纸擦拭辊具有对应于纸张的宽度的长度，形成有多个喷嘴，所述喷嘴部分和 ，而压板旋转与该擦拭辊和喷嘴部和转印sudanreul对于该擦拭辊分离用于擦拭和吸墨，而从喷嘴部返回压板到其原始位置的喷嘴部分接触。
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公开(公告)号：KR100749785B1
公开(公告)日：2007-08-17
申请号：KR1020060083256
申请日：2006-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 메모리 소자 별 시프트 동작의 지연 방식 또는 데이터 저장 상태의 변환 예측을 통한 데이터 변환 제어 방식으로 시프트 레지스터를 구성하여 순간적으로 전력 변화되는 양을 줄이는 시프트 레지스터를 구성하고, 이를 컨트롤러, 스캔 드라이브 집적회로들 또는 컬럼 드라이브 집적회로들에 선택적으로 채용하여 순간적인 전력 변화를 줄이면서 전자파 발생을 억제시키는 액정표시장치의 구동 회로를 구성한다.
따라서, 시프트 레지스터가 메모리 소자 별로 순차적으로 지연되어 동작되거나 또는 데이터 변환이 최소화되어 동작될 수 있어서 전력의 순간적인 과다 공급이 방지되고, 상술한 시프트 레지스터를 액정표시장치의 부품에 채용하면 전자파 장애 현상이 방지될 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100727971B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020050081334
申请日：2005-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B41J2/165
CPC classification number: B41J2/16585 , B41J2/16535
Abstract: 와이퍼, 클리닝 장치 및 이를 구비하는 잉크젯 화상형성장치에 대해서 개시된다. 개시된 발명은: 노즐부의 길이 방향으로 이동되는 캐리어; 캐리어를 왕복 이동시키는 구동수단; 및 캐리어에 탑재되어 노즐부에 부착된 잉크를 제거하는 와이퍼;를 포함하며, 와이퍼는 캐리어에 설치되는 복수의 풀리에 의해 지지되어 소정 궤도를 회전 주행하는 벨트 부재와, 벨트 부재의 외주면에 부착되는 것으로 노즐부에 접촉되어 회전하면서 노즐부에 부착된 잉크를 제거하는 클리닝 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 종래 발명과 달리 벨트 타입의 와이퍼를 이용함으로써 와이퍼의 흡수 용량을 증가시킬 수 있다. 또한, 와이퍼의 흡수 용량이 증가되므로, 와이퍼의 교체 주기가 길어져 와이퍼의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 클리닝 부재로 흡수된 잉크를 제2가압부 또는 클리닝 롤러를 이용하여 다시 제거함으로써 클리닝 부재의 흡수력을 유지시킬 수 있으며, 교체 시기 또한 연장시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100706742B1
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：KR1020000040940
申请日：2000-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박진호
IPC: G09G3/00
CPC classification number: G09G3/20 , G09G3/3685 , G09G2300/0426 , G09G2310/027 , G09G2310/0281 , G09G2370/08
Abstract: 복수 개의 타이밍 컨트롤러를 구성하여 컬럼 드라이브 집적회로를 그룹 별로 타이밍 컨트롤러에 대응시킴으로써 디스플레이 패널의 대화면화에 수반되는 데이터 전송 경로와 그에 따른 신호 문제점을 개선할 수 있다. 이를 위하여 평판 디스플레이 장치에 분배부가 구성되고, 분배부에 의하여 화상공급원으로부터 전송된 데이터가 각 타이밍 컨트롤러 별로 분배되어 전송되고, 타이밍 컨트롤러 별로 그룹화된 컬럼 드라이브 집적회로에 전송되는 데이터는 짧은 경로를 통하여 전송된다. 그러므로, 전송 경로가 길어짐에 따라서 발생되는 신호 지연 등의 문제점이 해결될 수 있다. 또한, 데이터 전송에 LVDS, RSDS, TMDS 또는 광통신을 적용함으로써 고속 전송의 구현과 EMI 문제 해결을 기대할 수 있다.
Abstract translation: 通过配置多个时序控制器以对应于每组列驱动集成电路中的时序控制器，可以改善与大尺寸显示面板相关的数据传输路径和信号问题。 和在平板显示装置所配置的这个分配部，从图像源发送并且由每个定时控制器发送所述分配，通过分配器的数据，该数据由定时控制部经由短路径被传输传送到列驱动器集成电路组 是的。 因此，可以解决诸如由较长传输路径引起的信号延迟等问题。 另外，通过使用LVDS，RSDS，TMDS或光通信进行数据传输，可以实现高速传输并解决EMI问题。
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公开(公告)号：KR100706738B1
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：KR1020000053477
申请日：2000-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/133
Abstract: 본 발명은 평판 디스플레이 장치의 디스플레이 유니트에 관한 것으로서, 스윙 감쇄형 차동 신호(Reduced Swing Differential Signaling; 이하, 'RSDS'라 함) 방식으로 컬러 데이터를 전송하도록 구현하고, 컨트롤 보드에 배선들과 부품들을 실장하는 룰을 개선시킨 것이다. 디스플레이 유니트는 다층 구조를 갖는 상기 컨트롤 보드는 상기 컬럼 드라이브 집적회로에 스윙 감쇄형 차동 신호 방식으로 데이터를 전송하기 위한 배선이 일 면에 형성되고, 상기 배선의 하부 층에 그라운드 패널 층이 형성되고, 그 하부 층들에 계조 전압, 전원을 포함하는 다른 신호들을 인가하기 위한 배선들이 형성되어 이루어진다.
따라서, 평판 디스플레이 장치의 디스플레이 유니트 상에 전자파와 노이즈가 방지되면서, 배선간 신호 간섭 현상이 방지되고 타이밍 마진이 확보될 수 있다. 또한, 별도의 부품의 추가 없이 노이즈가 방지될 수 있고, 컨트롤 보드의 평면적이 줄어들어서 평판 디스플레이 장치가 슬림화될 수 있다.-
公开(公告)号：KR100666320B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020000040942
申请日：2000-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G3/3674 , G09G2330/021
Abstract: 메모리 소자 별 시프트 동작의 지연 방식 또는 데이터 저장 상태의 변환 예측을 통한 데이터 변환 제어 방식으로 시프트 레지스터를 구성하여 순간적으로 전력 변화되는 양을 줄이는 시프트 레지스터를 구성하고, 이를 컨트롤러, 스캔 드라이브 집적회로들 또는 컬럼 드라이브 집적회로들에 선택적으로 채용하여 순간적인 전력 변화를 줄이면서 전자파 발생을 억제시키는 액정표시장치의 구동 회로를 구성한다.
따라서, 시프트 레지스터가 메모리 소자 별로 순차적으로 지연되어 동작되거나 또는 데이터 변환이 최소화되어 동작될 수 있어서 전력의 순간적인 과다 공급이 방지되고, 상술한 시프트 레지스터를 액정표시장치의 부품에 채용하면 전자파 장애 현상이 방지될 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100608060B1
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020040051010
申请日：2004-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B41J2/165
CPC classification number: B41J2/16511 , B41J2/16585
Abstract: 개시된 잉크젯 프린터는, 다수의 노즐섹션으로 구분되고 용지의 폭에 해당되는 길이를 갖는 노즐부를 구비하며 고정된 위치에서 용지에 잉크를 토출하여 화상을 인쇄하는 프린팅 헤드와, 각각 하나 이상의 노즐섹션에 대응되는 다수의 캡부재와, 다수의 캡부재를 캡핑위치와 언캡핑위치로 이동시키는 캡구동장치와, 캡구동장치를 구동하는 모터를 포함한다.
Abstract translation: 所公开的喷墨打印机中，由多个喷嘴部的分离，并对应于打印头和包含具有对应于纸张宽度的长度的喷嘴，并在一个固定的位置喷射墨到纸分别打印图像，所述一个或多个喷管部分 和盖子驱动装置和多个盖部件的，移动所述多个盖部件的到覆盖位置和被冻结的封盖位置中，用于驱动所述盖驱动单元的电动机。
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公开(公告)号：KR100605103B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020040019713
申请日：2004-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 부산물 감소 또는 제거 방법을 제공한다. 이 방법에 의하면, 반응 챔버; 상기 반응 챔버로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관; 상기 반응 챔버에서 나오는 배기가스가 배출되며 상기 반응 챔버와 연결되는 배기관; 상기 배기관에 연결되며 배기가스를 정화하는 플라즈마 트랩; 상기 플라즈마 트랩과 연결되며 배기가스를 배출하는 펌프; 및 상기 반응 가스 공급관 또는 상기 배기관에 연결되며, 상기 반응가스 공급관 또는 상기 배기관 내로 수소를 공급하여 상기 반응가스의 분압을 낮추는 수소 공급관을 구비하는 반도체 제조 장비를 이용하는 금속 질화막 형성 공정에 있어서, 수소를 공급하여 부산물을 감소시키거나 또는 제거한다.
수소, NH4X
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