반도체 제조 공정에서 사용되는 막 두께 측정 장치
    11.
    发明授权
    반도체 제조 공정에서 사용되는 막 두께 측정 장치 失效
    薄膜厚度测量装置使用半导体制造工艺

    公开(公告)号:KR100203748B1

    公开(公告)日:1999-06-15

    申请号:KR1019950067535

    申请日:1995-12-29

    Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 형성된 막의 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치에 관한 것으로, 본 발명의 측정 장치는 레퍼런스 칩(2)의 웨이퍼로부터의 불순물 개스에 의해 오염되는 것을 방지하기 위해 배기 튜브(4)와, 배기 팬(5)을 구비한다. 이로써, 예방 보존 시간을 줄일 수 있어 작업성이 증대되고, 측정 데이타의 신뢰성을 확보할 수 있게 되며, 공정의 안정화를 이룩할 수 있게 된다.

    반도체 웨이퍼 박막두께측정장치
    12.
    发明公开
    반도체 웨이퍼 박막두께측정장치 无效
    半导体晶圆薄膜厚度测量装置

    公开(公告)号:KR1019980029942A

    公开(公告)日:1998-07-25

    申请号:KR1019960049275

    申请日:1996-10-28

    Inventor: 송근철

    Abstract: 파장카운트기의 구동력을 전달하는 기어를 스테인레스스틸재질로 개선시킨 반도체 웨이퍼 박막두께측정장치에 관한 것이다.
    본 발명은, 웨이퍼 상에 적층되는 박막의 두께를 측정하기 위하여 상기 웨이퍼에 조사(照射)되는 빛의 파장을 디텍트하는 파장카운트기가 구비되는 반도체 웨이퍼 박막두께측정장치에 있어서, 상기 조사되는 빛을 분화시켜 파장을 디텍트할 수 있도록 상기 파장카운트기에 구동을 전달하는 기어는 그 재질이 스테인레스스틸로 이루어짐을 특징으로 한다.
    따라서, 본 발명에 의하면 장치의 가동효율을 증대시키고, 측정값의 신뢰도를 극대화시키는 효과가 있다.

    반도체 웨이퍼 단차측정설비의 스타일러스
    13.
    发明公开
    반도체 웨이퍼 단차측정설비의 스타일러스 无效
    半导体晶圆级测量设备的触笔

    公开(公告)号:KR1019990001951A

    公开(公告)日:1999-01-15

    申请号:KR1019970025429

    申请日:1997-06-18

    Inventor: 송근철 김성권

    Abstract: 본 발명은 웨이퍼 상에 형성된 막질의 단차를 측정하는 단차측정설비의 스타일러스(Stylus)의 재질을 변경하는 반도체 웨이퍼 단차측정설비의 스타일러스에 관한 것이다.
    본 발명은, 다층 막질이 형성된 웨이퍼 상에 위치된 스타일러스의 이동에 의해서 상기 웨이퍼 상에 형성된 막질의 단차를 측정하는 반도체 웨이퍼 단차측정설비의 스타일러스에 있어서, 상기 스타일러스의 단부가 산화규소로 이루어짐을 특징으로 한다.
    따라서, 단차측정설비의 스타일러스의 단부와 웨이퍼간의 접촉에 의하여 발생되는 파티클에 의한 스타일러스의 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.

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