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公开(公告)号：KR1020090053274A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070120034
申请日：2007-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 나노급 디펙트를 리뷰하기 위한 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법을 제공한다. 상기 웨이퍼 디펙트 검사장치는 진공챔버 내에서 웨이퍼를 지지하고, 이송하기 위한 스테이지를 구비한다. 상기 진공챔버의 제 1 윈도우를 통해 주입되는 레이저 광을 발생시키는 광원부가 구비된다. 상기 진공챔버 내에 존재하고, 상기 광원부에서 발생된 레이저 광의 진행방향을 변경하는 반사미러를 구비한다. 상기 웨이퍼 검사면에서 산란된 레이저 광을 이용하여 디펙트를 검출하는 광학현미경을 구비한다. 상기 검출된 디펙트를 고배율로 리뷰하기 위한 주사전자현미경을 구비한다.
레이저 광, 반사미러, 웨이퍼 디펙트, 얼라인 유닛-
公开(公告)号：KR100643397B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050110328
申请日：2005-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A wafer detecting apparatus is provided to improve space efficiency and detecting performance by employing a reflective type sensor controlling an angle of a sensor corresponding to variable wafer reflectivity. A stage(30) supports a wafer(20) to be conveyed. A sensor(40) includes a light emitting unit(41) and a light receiving unit(42). The light emitting unit irradiates a light toward one plate surface of the wafer and the stage at a predetermined angle. The light receiving unit receives the reflected light. A bracket(50) supports the sensor to make it rotate. A control unit determines the presence of the wafer based on variation of light receiving amount reflected from one of the wafer and the stage based on detecting signal of the light emitting unit and the light receiving unit of the sensor.
Abstract translation: 提供晶片检测设备以通过采用控制与可变晶片反射率相对应的传感器的角度的反射型传感器来提高空间效率和检测性能。 台（30）支撑待传送的晶片（20）。 传感器（40）包括发光单元（41）和光接收单元（42）。 发光单元以预定角度向晶片的一个板表面和平台照射光。 光接收单元接收反射光。 支架（50）支撑传感器使其旋转。 控制单元基于发光单元和传感器的光接收单元的检测信号，基于从晶片和平台中的一个反射的光接收量的变化来确定晶片的存在。
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公开(公告)号：KR1020000004560A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980026004
申请日：1998-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송근철
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a thickness of semiconductor devices is provided to prevent a reducing of buffering effect of a buffer layer by using a ceramic layer instead of a rubber film. CONSTITUTION: The thickness measuring apparatus comprises an axis(20) for transferring the thickness measuring apparatus to VTF(very thin film) mode; a sensor barrier layer(22) formed at both sides of the axis(20); and a buffer layer(24) formed at inner side of the sensor barrier layer(22), wherein the buffer layer(24) is composed of a ceramic materials.
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体器件的厚度的装置，以通过使用陶瓷层代替橡胶膜来防止缓冲层的缓冲效果的降低。 构成：厚度测量装置包括用于将厚度测量装置转移到VTF（非常薄膜）模式的轴线（20）; 形成在轴线（20）的两侧的传感器阻挡层（22）; 以及形成在所述传感器阻挡层（22）的内侧的缓冲层（24），其中所述缓冲层（24）由陶瓷材料构成。
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公开(公告)号：KR1019990048218A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066856
申请日：1997-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송근철
IPC: H01L21/66
Abstract: 웨이퍼 측정 패턴을 인식하기 위한 모니터링과 웨이퍼 패턴 측정 제어 및 평가계측을 위한 화면을 하나의 모니터로 출력하도록 개선시킨 반도체 제조공정에 사용되는 측정설비의 모니터링 장치에 관한 것으로써, 웨이퍼에 형성된 패턴을 인식하여 뷰신호로 출력하고, 웨이퍼 패턴 측정의 제어 및 평가계측을 위한 컴퓨터신호를 출력하는 반도체 제조공정에 사용되는 측정설비의 모니터링 장치에 있어서, 컴퓨터신호와 뷰신호를 이분할된 한 화면에 디스플레이할 신호로 합성시키는 화면합성기를 내장함으로써 상기 디스플레이할 신호가 모니터에 인가되어 이분할 화면으로 디스플레이하도록 구성되어 프로브 시스템에 적용될 수 있다. 그러므로, 설비의 작업성이 개선되고 제조단가가 절감되며 작업공간이 확보되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970053265A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950067535
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 형성된 막의 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치에 관한 것으로, 본 발명의 측정 장치는 레퍼런스 칩(2)의 웨이퍼로부터의 불순물 개스에 의해 오염되는 것을 방지하기 위해 배기 튜브(4)와, 배기 팬(5)을 구비한다. 이로써, 예방 보존 시간을 줄일 수 있어 작업성이 중대되고, 측정 데이타의 신뢰성을 확보할 수 있게 되며, 공정의 안정화를 이룩할 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101360251B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020070120034
申请日：2007-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 나노급 디펙트를 리뷰하기 위한 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법을 제공한다. 상기 웨이퍼 디펙트 검사장치는 진공챔버 내에서 웨이퍼를 지지하고, 이송하기 위한 스테이지를 구비한다. 상기 진공챔버의 제 1 윈도우를 통해 주입되는 레이저 광을 발생시키는 광원부가 구비된다. 상기 진공챔버 내에 존재하고, 상기 광원부에서 발생된 레이저 광의 진행방향을 변경하는 반사미러를 구비한다. 상기 웨이퍼 검사면에서 산란된 레이저 광을 이용하여 디펙트를 검출하는 광학현미경을 구비한다. 상기 검출된 디펙트를 고배율로 리뷰하기 위한 주사전자현미경을 구비한다.
레이저 광, 반사미러, 웨이퍼 디펙트, 얼라인 유닛-
公开(公告)号：KR1020080079513A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：KR1020070019812
申请日：2007-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: An apparatus for inspecting a semiconductor device is provided to maximize the shield efficiency of a magnetic field by using a metal of high magnetic permeability and a metal of lower magnetic permeability. An inspecting unit acquires images to inspect and measure defects with respect to a target by using an electronic beam. At least one first shield member(210) shields the inspecting unit from the magnetic field from the outside. At least one shield member(220) is laminated on the first shield member. The magnetic permeability of the second shield member is higher than that of the first shield member. A housing(102) accommodates the inspecting unit. The shield members are laminated on the housing. At least one third shield member(230) is arranged in the second shield member and removes an eddy current. The third shield member includes aluminum. The first shield member includes at least one first silicon steel sheet(212) and at least one second silicon steel sheet(214).
Abstract translation: 提供了一种用于检查半导体器件的装置，以通过使用具有高磁导率的金属和具有较低磁导率的金属来最大化磁场的屏蔽效率。 检查单元通过使用电子束获取图像来检查和测量相对于目标的缺陷。 至少一个第一屏蔽构件（210）将检查单元从外部屏蔽磁场。 至少一个屏蔽构件（220）层叠在第一屏蔽构件上。 第二屏蔽部件的导磁率高于第一屏蔽部件的导磁率。 一个壳体（102）容纳检查单元。 屏蔽构件层压在壳体上。 至少一个第三屏蔽构件（230）布置在第二屏蔽构件中并去除涡流。 第三屏蔽构件包括铝。 第一屏蔽构件包括至少一个第一硅钢板（212）和至少一个第二硅钢板（214）。
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公开(公告)号：KR1019990074154A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007560
申请日：1998-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 실리콘 웨이퍼를 측정하는 측정설비를 이루는 렌즈가 웨이퍼에 근접되어서 측정이 이루어질 때 설비이상이나 정상적인 제어동작이 이루어지지 않아서 렌즈가 웨이퍼에 충돌해서 발생되는 웨이퍼 파손 또는 렌즈의 파손을 방지하도록 하는 렌즈 하강거리 제한 센서를 이용한 웨이퍼 측정장치에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼가 안착되는 스테이지, 상기 웨이퍼에 근접되어서 수평 및 수직이동이 가능한 렌즈를 구비한 반도체 측정설비에 있어서, 상기 스테이지의 이동을 감지하는 스테이지 센서, 상기 렌즈의 일측부에 설치되어 수직이동 거리를 감지하는 리미트 센서 및 상기 스테이지 센서와 상기 리미트 센서가 연결되고, 각각의 센싱신호를 인가받아서 상기 렌즈와 상기 웨이퍼의 거리를 제한하는 제어부를 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 렌즈와 웨이퍼의 측정거리가 센서를 통해 제어됨으로써 웨이퍼 및 렌즈의 손상이 방지되어 측정이 원활하게 이루어지는 효과가 있다.
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