반도체 장치의 소자분리 구조체 형성방법
    19.
    发明授权
    반도체 장치의 소자분리 구조체 형성방법 有权
    形成半导体器件的器件隔离结构的方法

    公开(公告)号:KR101575813B1

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:KR1020090008123

    申请日:2009-02-02

    CPC classification number: H01L21/76229

    Abstract: 패터닝공정의사용횟수를최소화하면서다양한깊이의트렌치들을갖는반도체장치의소자분리구조체형성방법을제공한다. 제 1 패터닝공정을사용하여반도체기판을부분적으로에칭하여제 1 깊이를갖는제 1 및제 2 트렌치들을형성한다. 상기반도체기판은영역Ⅰ, 영역Ⅱ, 및영역Ⅲ을구비한다. 상기제 1 트렌치들은상기영역Ⅰ에형성하고상기제 2 트렌치들은상기영역Ⅱ에형성한다. 제 2 패터닝공정을사용하여상기반도체기판을부분적으로에칭하여상기영역Ⅲ에제 3 트렌치들및 상기영역Ⅱ에제 4 트렌치들을형성한다. 상기제 4 트렌치들은상기제 2 트렌치들의하부에연장된다. 상기제 3 트렌치들은제 2 깊이를갖는다. 상기제 4 트렌치들은제 3 깊이를갖는다. 상기제 1 내지제 4 트렌치들을매립하는소자분리막을형성한다.

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