公开(公告)号：KR100752655B1

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020060014741

申请日：2006-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종완

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 픽셀 어레이 영역의 노이즈 및 암 결함을 낮추면서, 로직 영역의 커패시터의 공핍 현상 및/또는 로직 영역의 트랜지스터의 속도를 개선할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 이미지센서는, 픽셀 어레이 영역 및 로직 영역이 정의된 반도체 기판을 포함한다. 제 1 게이트 전극은 반도체 기판의 픽셀 어레이 영역 상에 형성된다. 하부 전극은 반도체 기판의 로직 영역의 일부분 상에 형성된다. 제 1 캡핑막은 하부 전극의 적어도 일부분 상에 형성되고, 금속막 또는 금속 실리사이드막을 포함한다. 유전막은 제 1 캡핑막 상에 제공된다. 상부 전극은 유전막 상에 제공된다. 그리고, 제 1 게이트 전극 및 하부 전극은 폴리실리콘막을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020070082213A

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：KR1020060014741

申请日：2006-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종완

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: An image sensor and its fabricating method are provided to reduce noises and dark defects in a pixel array region, and improve voltage coefficients in a capacitor structure of a logic region. A semiconductor substrate(105) has a pixel array region and a logic region, and a first gate electrode(115c) is formed on the pixel array region of the substrate. A lower electrode(115a) is formed on the logic region of the substrate, and a first capping layer(120a) is formed on at least a portion of the lower electrode. A dielectric layer(125a) is formed on the first capping layer, and an upper electrode(130a) is formed on the dielectric layer. The first gate electrode and the lower electrode have a polycrystal silicon layer.

Abstract translation: 提供了一种图像传感器及其制造方法，以减少像素阵列区域中的噪声和暗缺陷，并且改善逻辑区域的电容器结构中的电压系数。 半导体衬底（105）具有像素阵列区域和逻辑区域，并且在衬底的像素阵列区域上形成第一栅电极（115c）。 在基板的逻辑区域上形成下电极（115a），在下电极的至少一部分上形成第一覆盖层（120a）。 在第一覆盖层上形成介电层（125a），在电介质层上形成上电极（130a）。 第一栅电极和下电极具有多晶硅层。

公开(公告)号：KR1020060103660A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：KR1020050025482

申请日：2005-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현 ,  정종완

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/1463

Abstract: 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서는 제1 도전형의 반도체 기판, 기판의 소정 깊이에 형성되어 반도체 기판을 제1 도전형의 상부 기판 영역 및 하부 기판 영역으로 분리하는 제2 도전형의 깊은 웰, 다수의 단위 화소들로, 각 단위 화소는 입사광에 대응하여 전하를 축적하며 각 단위 화소별로 분리된 제1 도전형의 이온 주입 영역을 각각 포함하고, 적어도 하나의 단위 화소는 제1 도전형의 이온 주입 영역 하부에 위치하고 제1 도전형의 이온 주입 영역 외측으로 연장되며 인접화소의 제1 도전형의 이온 주입 영역과 전기적으로 분리된 제1 도전형의 상부 기판 영역을 포함한다. 또한, 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다.
이미지 센서, 크로스토크, 분리웰, 입사광, 장파장