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公开(公告)号：WO2018139749A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/KR2017/013323
申请日：2017-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C28/04 , C25D11/04 , C25D11/16 , C25D11/18 , C25D11/24 , C25D11/26 , C25D11/30 , H04M1/02
Abstract: 다양한 실시예에 따르면, 금속 재질의 금속 모재를 형성하는 공정과, 상기 금속 모재의 표면에 일정 광택도 및 평탄도를 갖도록 전처리하는 공정과, 상기 금속 모재의 평탄면에 일정한 산화피막을 형성시키는 아노다이징 공정과, 소망 컬러를 갖는 착색제를 이용하여 상기 산화피막을 착색 처리하는 공정과, 상기 착색 처리된 산화 피막의 착색제의 성능 및 특성 유지를 위한 봉공 공정 및 상기 봉공 처리된 산화피막의 상부에 적어도 하나의 증착층을 적층시키는 공정을 포함하는 금속 하우징 제조 방법을 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060127498A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：KR1020050048521
申请日：2005-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14616 , H01L27/14689
Abstract: A method for manufacturing a CMOS image sensor is provided to restrain the generation of dark current by preventing predetermined ions from penetrating into a portion under a transfer gate using a photoresist mask capable of covering the entire surface of a polysilicon conductive layer. An isolation layer is formed on a semiconductor substrate to define an active region and a diode region. An oxide layer(123) and a conductive layer(124) are formed thereon. A first photoresist layer(132) for exposing the diode region alone to the outside is formed on the resultant structure. The conductive layer and the oxide layer are removed from the diode region by using the first photoresist layer as an etch mask and a photodiode(118) is formed in the diode region by an ion implantation process. The first photoresist is removed therefrom. A second photoresist layer for covering partially the photodiode and the conductive layer is formed on the resultant structure. A transfer gate is formed by etching the conductive layer using the second photoresist layer as an etch mask. A floating diffusion region is formed by implanting N type ions into the resultant structure.
Abstract translation: 提供一种用于制造CMOS图像传感器的方法，通过使用能够覆盖多晶硅导电层的整个表面的光致抗蚀剂掩模，通过防止预定的离子渗透到转移栅极下方的部分来抑制暗电流的产生。 隔离层形成在半导体衬底上以限定有源区和二极管区。 在其上形成氧化物层（123）和导电层（124）。 在所得结构上形成用于将二极管区域单独暴露于外部的第一光致抗蚀剂层（132）。 通过使用第一光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，从二极管区域去除导电层和氧化物层，并且通过离子注入工艺在二极管区域中形成光电二极管（118）。 从其中除去第一光致抗蚀剂。 在所得结构上形成用于部分地覆盖光电二极管和导电层的第二光致抗蚀剂层。 通过使用第二光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻导电层来形成传输门。 通过将N型离子注入到所得结构中形成浮动扩散区。
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公开(公告)号：KR1020070078927A
公开(公告)日：2007-08-03
申请号：KR1020060009372
申请日：2006-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14625 , H01L27/14629
Abstract: An image sensor having improved sensitivity and decreased crosstalk and its fabrication method are provided to reduce effectively a crosstalk by using a first isolation region as an electrical crosstalk barrier and an optical crosstalk barrier. A first isolation region(121) is formed within a substrate(100). A second isolation region(123) is formed within the substrate. The second isolation region has the depth deeper than the depth of the first isolation region. A plurality of photoelectric conversion elements are separated from each other by the first isolation region. A reading element and a floating diffusion region are separated from the photoelectric conversion elements by using the second isolation region. The reading element and the floating diffusion region of the first pixel are separated from the photoelectric conversion element of the second pixel by using a part of the second isolation region.
Abstract translation: 提供具有改善的灵敏度和降低的串扰的图像传感器及其制造方法，以通过使用第一隔离区域作为电串扰屏障和光学串扰屏障来有效地减少串扰。 在衬底（100）内形成第一隔离区（121）。 在衬底内形成第二隔离区（123）。 第二隔离区域的深度比第一隔离区域的深度更深。 多个光电转换元件通过第一隔离区彼此分离。 读取元件和浮动扩散区域通过使用第二隔离区域与光电转换元件分离。 通过使用第二隔离区域的一部分，第一像素的读取元件和浮动扩散区域与第二像素的光电转换元件分离。
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公开(公告)号：KR100712524B1
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020050072997
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , Y10S438/964
Abstract: 필 팩터(fill factor)를 감소시키지 않으면서도 플리커 노이즈를 감소시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 CMOS 이미지 센서는 소정 부분에 굴곡부를 갖는 액티브 영역이 한정된 반도체 기판을 포함한다. 상기 액티브 영역의 소정 부분에 트랜스퍼 게이트, 리셋 게이트, 드라이브 게이트 및 선택 게이트가 소정 거리를 두고 이격 배치된다. 상기 게이트들과 반도체 기판 사이에는 게이트 절연막이 각각 개재되어 있으며, 상기 트랜스퍼 게이트 일측의 액티브 영역에 포토 다이오드가 형성되고, 상기 트랜스퍼 게이트 타측, 상기 리셋 게이트의 양측, 상기 드라이브 게이트 양측 및 선택 게이트의 양측 각각에 접합 영역이 형성된다. 이때, 상기 드라이브 게이트는 상기 굴곡부 상부에 배치되어, 상기 드라이브 게이트의 표면적을 증대시킨다.
플리커(flicker), 소스 팔로워(source follower), 드라이브 트랜지스터, 굴곡부(recess),-
公开(公告)号：KR100699849B1
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050053555
申请日：2005-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14689
Abstract: 암전류를 감소시킬 수 있는 국부적인 불순물 영역을 갖는 CMOS 이미지 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 상기 CMOS 이미지 소자는 반도체 기판을 구비한다. 상기 반도체 기판은 소자 분리막을 갖고 제 1 도전형이다. 상기 반도체 기판의 소정 부분에 상기 반도체 기판과는 전기적으로 절연되어 있는 트랜스퍼 게이트가 배치된다. 상기 트랜스퍼 게이트의 일측 반도체 기판에 포토 다이오드가 배치된다. 상기 포토 다이오드는 제 2 도전형 포토 다이오드 영역과 제 1 도전형 포토 다이오드 영역을 구비한다. 상기 제 1 도전형 포토 다이오드 영역은 상기 제 2 도전형 포토 다이오드 영역의 상부에 형성되고, 상기 트랜스퍼 게이트의 일측 단부와 오버랩된다. 상기 트랜스퍼 게이트의 타측 반도체 기판에 플로팅 디퓨젼 영역이 배치된다. 상기 포토 다이오드와 상기 플로팅 디퓨젼 영역 사이에, 상기 트랜스퍼 게이트와 부분적으로 오버랩되도록 국부적으로 형성된 제 1 도전형의 불순물 영역이 배치된다.
CMOS 이미지 소자, p형 불순물 영역, n형 불순물 영역,암 전류, 블루밍-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100642760B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050025482
申请日：2005-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1463
Abstract: 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서는 제1 도전형의 반도체 기판, 기판의 소정 깊이에 형성되어 반도체 기판을 제1 도전형의 상부 기판 영역 및 하부 기판 영역으로 분리하는 제2 도전형의 깊은 웰, 다수의 단위 화소들로, 각 단위 화소는 입사광에 대응하여 전하를 축적하며 각 단위 화소별로 분리된 제1 도전형의 이온 주입 영역을 각각 포함하고, 적어도 하나의 단위 화소는 제1 도전형의 이온 주입 영역 하부에 위치하고 제1 도전형의 이온 주입 영역 외측으로 연장되며 인접화소의 제1 도전형의 이온 주입 영역과 전기적으로 분리된 제1 도전형의 상부 기판 영역을 포함한다. 또한, 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다.
이미지 센서, 크로스토크, 분리웰, 입사광, 장파장-
公开(公告)号：KR100809323B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060009372
申请日：2006-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14625 , H01L27/14629
Abstract: 크로스토크가 감소하고 감도가 증가된 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는 기판, 상기 기판 표면으로부터 이격되어 상기 기판 내에 형성된 제1 도전형의 불순물층, 기판 표면으로부터 제1 도전형의 불순물층까지 연장되어 형성된 제1 분리 영역, 제1 분리 영역보다 깊이가 얕은 제2 분리 영역, 제1 분리 영역에 의해 서로 분리된 다수의 광전 변환 소자 및 제2 분리 영역에 의해 광전 변환 소자와 분리된 독출 소자 및 플로팅 확산 영역을 포함한다.
이미지 센서, 전기적 크로스토크, 광학적 크로스토크, 감도-
公开(公告)号：KR1020070035243A
公开(公告)日：2007-03-30
申请号：KR1020050089877
申请日：2005-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/14612
Abstract: 본 발명은 상, 하부 폭이 서로 다른 컨택 스터드(contact stude)를 포함하는 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 개시한다. 상세하게 본 발명은 반도체 기판의 소정 영역에 불순물을 주입하여 형성된 플로팅 확산 영역, 상기 플로팅 확산 영역과 컨택되고, 상부와 하부의 폭이 다른 구조를 갖는 컨택 스터드, 상기 컨택 스터드와 연결되는 금속 배선, 및 상기 금속 배선을 통해 상기 플로팅 확산 영역과 전기적으로 연결되는 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 개시한다.
컨택 스터드, 이미지 센서, 플로팅 확산 영역, 금속 배선-
公开(公告)号：KR1020070018361A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050072997
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , Y10S438/964
Abstract: 필 팩터(fill factor)를 감소시키지 않으면서도 플리커 노이즈를 감소시킬 수 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 CMOS 이미지 센서는 소정 부분에 굴곡부를 갖는 액티브 영역이 한정된 반도체 기판을 포함한다. 상기 액티브 영역의 소정 부분에 트랜스퍼 게이트, 리셋 게이트, 드라이브 게이트 및 선택 게이트가 소정 거리를 두고 이격 배치된다. 상기 게이트들과 반도체 기판 사이에는 게이트 절연막이 각각 개재되어 있으며, 상기 트랜스퍼 게이트 일측의 액티브 영역에 포토 다이오드가 형성되고, 상기 트랜스퍼 게이트 타측, 상기 리셋 게이트의 양측, 상기 드라이브 게이트 양측 및 선택 게이트의 양측 각각에 접합 영역이 형성된다. 이때, 상기 드라이브 게이트는 상기 굴곡부 상부에 배치되어, 상기 드라이브 게이트의 표면적을 증대시킨다.
플리커(flicker), 소스 팔로워(source follower), 드라이브 트랜지스터, 굴곡부(recess),Abstract translation: 公开了一种能够在不减小填充因子的情况下减少闪烁噪声的CMOS图像传感器及其制造方法。 所公开的CMOS图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其中限定有有源区的弯曲部分。 传输门，重置门，驱动门和选择门在有源区的预定部分彼此间隔预定距离。 其中，栅极与半导体衬底之间形成有栅极，光敏二极管形成在传输栅极一侧的有源区域中，传输栅极的另一侧， 每个都形成一个连接区域。 此时，驱动门设置在弯曲部分的上方以增大驱动门的表面积。
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公开(公告)号：KR1020060133742A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：KR1020050053555
申请日：2005-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14689
Abstract: A CMOS image device and its manufacturing method are provided to reduce remarkably a dark current by forming locally a P type doped region partially overlapped with a transfer gate in a channel region of a transfer transistor. An isolation layer is formed on a semiconductor substrate(100). A transfer gate(140) is formed on a predetermined portion of the substrate. The transfer gate is electrically isolated from the substrate. A photodiode(180) is formed at one side of the transfer gate in the substrate. A floating diffusion region(185) is formed at the other side of the transfer gate in the substrate. A first conductive type doped region(130) is locally formed in a channel region between the photodiode and the floating diffusion region. The first conductive type doped region is partially overlapped with the transfer gate.
Abstract translation: 提供一种CMOS图像器件及其制造方法，通过在传输晶体管的沟道区域中局部地形成与传输栅极部分重叠的P型掺杂区域来显着减少暗电流。 在半导体衬底（100）上形成隔离层。 传输门（140）形成在基板的预定部分上。 传输栅极与衬底电隔离。 光电二极管（180）形成在衬底中的传输门的一侧。 在衬底中的传输栅极的另一侧形成浮动扩散区域（185）。 第一导电型掺杂区域（130）局部地形成在光电二极管和浮动扩散区域之间的沟道区域中。 第一导电型掺杂区域与传输栅极部分重叠。
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