公开(公告)号：KR1020170048968A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：KR1020150149726

申请日：2015-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 테라이마사유키

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: 메모리소자는기판상에서상기기판의상면에평행한제1 방향으로연장되는복수의하부워드라인; 상기복수의하부워드라인상에서상기제1 방향과는다르고상기기판의상면에평행한제2 방향으로연장되는복수의공통비트라인; 상기복수의공통비트라인상에서상기제1 방향으로연장되는복수의상부워드라인; 상기복수의하부워드라인과상기복수의공통비트라인의복수의교차지점에배치되며, 각각이오보닉문턱스위칭특성을갖는제1 선택소자와제1 메모리층을포함하는복수의제1 메모리셀 필라; 및상기복수의상부워드라인과상기복수의공통비트라인의복수의교차지점에배치되며, 각각이오보닉문턱스위칭특성을갖는제2 선택소자와제2 메모리층을포함하는복수의제2 메모리셀 필라를포함하고, 상기복수의제1 메모리셀 필라와상기복수의제2 메모리셀 필라는상기복수의공통비트라인을중심으로상기제1 방향에수직한제3 방향을따라대칭구조를갖는다.

Abstract translation: 多条下字线，在平行于衬底上的衬底的上表面的第一方向上延伸; 多个公共位线是从在所述多个在平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸的子字线的所述第一方向不同; 在所述多条公共位线上沿所述第一方向延伸的多条上部字线; 布置在多个所述多个子字线和所述多个公共位线，每个具有一个阈值开关特性的第一选择装置具有多个第一存储器单元的支柱，其包括第一存储器层的奥沃尼克的交叉点的 。 和多个包括第二选择元件和具有双向阈值开关特性的第二存储层的第二存储单元被分别设置在多个所述多个上部字线和所述多个公共位线的交叉点， 包括一个支柱，其中所述多个第一存储单元支柱和所述多个第二存储单元支柱具有沿着第三方向的对称结构垂直于相对于所述多个公共位线的第一方向。

公开(公告)号：KR1020150081165A

公开(公告)日：2015-07-13

申请号：KR1020140000870

申请日：2014-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 테라이마사유키 ,  백인규

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675 ,  H01L27/11512

Abstract: 본발명은기판에셀 영역, 구동영역을정의하고, 상기구동영역에구동트랜지스터들을형성하고, 상기셀 영역에제 1 비트라인, 제 1 비트라인상면에제 1 단위메모리셀, 제 1 단위메모리셀들의상면에워드라인, 및워드라인의상면에제 2 단위메모리셀을형성하고, 상기제 2 단위메모리셀들의사이를채우고및, 상기제 1 비트라인들의상부에제 2 비트라인홈들, 제 2 비트라인홈들에비트라인콘택비아, 상기워드라인의끝 단상부에플로팅전극홈들, 상기플로팅전극홈들에각각제 1 플로팅콘택비아및 제 2 플로팅콘택비아를포함하는평탄화막을형성하고, 상기제 2 비트라인홈들에제 2 비트라인들, 상기비트라인콘택비아들에비트라인콘택전극들, 상기플로팅전극홈들에플로팅전극들, 상기제 1 플로팅콘택비아들에제 1 플로팅콘택전극들, 및상기제 2 플로팅콘택비아들에제 2 플로팅콘택전극들을동시에형성하는것을포함하는메모리소자의제조방법을제공하는것이다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造存储器件的方法，包括：在衬底上限定电池部分和操作部分; 在所述操作部中形成操作晶体管; 在单元部分中形成第一位线，位于第一位线上侧的第一单位存储单元，存储单元上侧的字线，字线上侧的第二单位存储单元 ; 在第一位线上具有第二位线槽的第二单元存储单元之间的间隙中形成平坦化膜，在第二位线槽上的位线接触通孔，位于第二位线上端的上部的浮动电极槽 字线，以及在浮动电极槽中的第一浮动接触通孔和第二浮动接触通孔; 并且在第二位线槽中形成第二位线，在位线接触通孔中的位线接触电极，浮置电极沟槽中的浮置电极，第一浮动接触通孔中的第一浮动接触电极和第二浮点接触电极中的第二浮动接触电极 浮动接触孔同时进行。

公开(公告)号：KR1020150042614A

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：KR1020130121486

申请日：2013-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 테라이마사유키 ,  백인규

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/2463

Abstract: 본발명은기판에셀 영역및 셀영역의둘레에더미영역을정의하고, 상기기판의상면에일 방향으로연장된비트라인들을형성하고, 상기비트라인들중 셀영역에대응하는상면에, 셀다이오드와가변저항소자를포함하는셀 수직구조체들을형성하고, 상기비트라인들중 더미영역에대응하는상면에, 더미다이오드와가변저항소자를포함하는더미수직구조체들을형성하고, 상기셀 수직구조체들및 더미수직구조체들의상면과접촉하고및 상기비트라라인들과수직교차하는워드라인들을형성하는것을포함하고, 상기셀 다이오드는제 1 불순물패턴, 제 2 불순물패턴을포함하고, 상기더미다이오드는저 농도제 1 불순물패턴, 제 2 불순물패턴을포함하고, 및상기가변저항소자는제 1 전극, 가변저항, 제 2 전극을포함하는메모리소자의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造存储器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上限定单元区域周围的单元区域和虚拟区域; 形成在所述基板的上侧沿一个方向延伸的位线; 在位线中对应于单元区域的上侧形成包括单元二极管和可变电阻元件的单元垂直结构; 在与位线中的虚拟区域对应的上侧形成包括虚拟二极管和可变电阻元件的虚拟垂直结构; 并且形成与虚拟竖直结构和单元垂直结构的上侧接触的字线，并垂直交叉位线。 电池二极管包括第一杂质图案和第二杂质图案。 虚拟二极管包括第一杂质图案和低密度的第二杂质图案。 可变电阻元件包括第一电极，可变电阻器和第二电极。