유기 광전 소자 및 이미지 센서
    14.
    发明公开
    유기 광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
    有机光电器件和图像传感器

    公开(公告)号:KR1020150080850A

    公开(公告)日:2015-07-10

    申请号:KR1020140000365

    申请日:2014-01-02

    Abstract: 제1 투광전극, 상기제1 투광전극의일면에위치하는활성층, 그리고상기활성층의일면에위치하는제2 투광전극을포함하고, 상기제1 투광전극과상기제2 투광전극은각각독립적으로인듐주석옥사이드(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 주석산화물(SnO), 알루미늄주석산화물(ATO), 알루미늄아연산화물(AZO) 및불소도핑된주석산화물(FTO) 중적어도하나를포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电装置和包括有机光电装置的图像传感器,其中有机光电装置包括:第一透光电极; 设置在所述第一透光电极的一个表面上的有源层; 以及设置在有源层的一个表面上的第二透光电极,其中第一透光电极和第二透光电极中的每一个独立地包含氧化铟锡(ITO),氧化铟锌(IZO),锡 氧化锡(SnO),氧化铝锡(ATO),氧化铝锌(AZO)和氟掺杂氧化锡(FTO)。

    유기 광전 소자 및 이미지 센서
    15.
    发明公开
    유기 광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
    有机光电器件和图像传感器

    公开(公告)号:KR1020150066616A

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:KR1020130151095

    申请日:2013-12-06

    Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하는활성층을포함하고, 상기활성층은하기화학식 1로표현되는 p형반도체화합물, 그리고 500nm 내지 600nm의파장영역에서최대흡수피크를나타내는 n형반도체화합물을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R내지 R는명세서에서정의한바와같다.

    Abstract translation: 本发明涉及有机光电子器件和图像传感器。 本发明包括彼此面对的第一电极和第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有源层。 有源层包括由以下化学式1表示的p型半导体化合物和在500nm至600nm的波长范围内显示最大吸收峰的n型半导体化合物。 在化学式1中,在说明书中定义R1〜R12。

    유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
    20.
    发明公开
    유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 审中-实审
    有机光电器件和图像传感器和电子器件

    公开(公告)号:KR1020160018029A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:KR1020140101908

    申请日:2014-08-07

    Abstract: 서로마주하는제1 전극과제2 전극, 그리고상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고제1 화합물을포함하는활성층을포함하고, 상기제1 화합물은하기화학식 1 또는 2로표현되고, [화학식 1] [화학식 2]상기제1 화합물은용액상태와박막상태에서의파장에따른흡광곡선의반치폭의비율이하기관계식 1을만족하는유기광전소자및 이를포함하는이미지센서와전자장치에관한것이다. [관계식 1] FWHM2/FWHM1

    Abstract translation: 本发明涉及有机光电装置,包括该有机光电装置的图像传感器和电子装置。 有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有源层,并且包括第一化合物,其中第一化合物由化学式1或2表示,并且具有 根据溶液状态的波长和薄膜状态的满足式1的光吸收曲线的半值的比率。 [相互作用式1] FWHM2 / FWHM1 <2.5在式1中,FWHM1是根据溶液状态的波长的光吸收曲线的半值宽度,FWHM2是根据光吸收曲线的半值宽度 波长处于薄膜状态。

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