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公开(公告)号：KR20210027102A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020200103484A
申请日：2020-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/00 , H01L21/66 , H01L27/146 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0031 , H01L51/441 , H01L22/00 , H01L27/146 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/4253
Abstract: 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 활성층, 그리고 상기 제1 전극과 상기 활성층 사이에 위치하는 복수의 보조층을 포함하고, 상기 복수의 보조층은 상기 활성층에 가장 가깝게 위치하는 제1 보조층, 그리고 상기 제1 전극에 가장 가깝게 위치하는 제2 보조층을 포함하며, 상기 활성층의 에너지 준위, 상기 제1 보조층의 에너지 준위, 상기 제2 보조층의 에너지 준위 및 상기 제1 전극의 일 함수는 차례로 깊어지거나 차례로 얕아지고, 상기 활성층, 상기 제1 보조층, 상기 제2 보조층 및 상기 제1 전극의 에너지 다이아그램은 하기 관계식 1을 만족하는 소자, 이를 포함하는 센서 및 전자 장치에 관한 것이다.
[관계식 1]
|ΔΦ
1 -ΔΦ
2 | ≤ 0.1 eV
상기 관계식 1에서, ΔΦ
1 및 ΔΦ
2 는 명세서에서 정의한 바와 같다.-
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公开(公告)号：KR101920709B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020100074404
申请日：2010-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는다층구조를갖는산화물채널층을포함할수 있다. 상기채널층은게이트절연층측으로부터순차로배열되는제1층및 제2층을포함할수 있다. 상기제1층은도전체(conductor)일수 있고, 상기제2층은상기제1층보다전기전도도가낮은반도체(semiconductor)일수 있다. 상기제1층은게이트전압조건에따라공핍영역(depletion region)이될 수있다.
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公开(公告)号：KR101778223B1
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：KR1020080090007
申请日：2008-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/78618
Abstract: 박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 채널과소스및 드레인사이에형성된중간층을포함함으로써, 박막트랜지스터에서발생할수 있는드레인영역의높은오프전류를감소시켜안정된구동이가능한박막트랜지스터를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170000546A
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150089543
申请日：2015-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/448 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/5253 , H01L2251/303 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 유기물을포함하는유기소자, 상기유기소자의일면에위치하는제1 보호막, 상기제1 보호막의일면에위치하고상기제1 보호막과동일한물질을포함하는제2 보호막, 그리고상기제2 보호막의일면에위치하는제3 보호막을포함하는유기전자소자및 그제조방법과유기전자소자를포함하는전자장치에관한것이다.
Abstract translation: 有机电子器件包括有机材料，有机器件上的第一保护膜，第一保护膜上的第二保护膜和与第一保护膜相同的材料，第二保护膜在第二保护膜上 保护膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101664958B1
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020100026314
申请日：2010-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01B1/08 , H01L29/786
Abstract: 아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 마그네슘을함유하는제3 화합물을포함하는산화물박막형성용용액조성물과상기용액조성물로부터형성되며아연, 인듐및 마그네슘을포함하는산화물반도체를포함하는전기소자를제공한다. 또한아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 하프늄을함유하는제3 화합물을포함하고, 상기아연과상기하프늄의원자수비율이 1:0.01 내지 1:1인산화물박막형성용용액조성물또한제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160026239A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140114367
申请日：2014-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , Y02E10/549
Abstract: 순차적으로적층되어있는제1 투명전극층, 활성층, 제2 투명전극층을포함하는제2 광전변환소자를포함하고, 파장이 440nm~480nm인빛은상기활성층의양 표면으로부터활성층전체두께의 1/5 깊이이내에서흡수되는이미지센서.
Abstract translation: 图像传感器包括具有第一透明电极层，有源层和第二透明电极层的第二光电转换元件。 波长为440-480nm的光在有源层的两个表面的活性层的总厚度的1/5深度内被吸收。 本发明可以根据偏置电压抑制绿色光敏光电转换装置的外部量子效率（EQE）的变化。
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公开(公告)号：KR1020150120243A
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：KR1020140046266
申请日：2014-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C07F5/022 , H01L27/307 , H01L51/0053 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/008 , H01L51/4253
Abstract: 화학식 1로표현되는화합물, 서로마주하는제1 전극과제2 전극및 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고화학식 1로표현되는화합물을포함하는활성층을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的化合物; 包括彼此面对的第一电极和第二电极以及置于第一电极和第二电极之间的有源层的有机光电子器件，包括由化学式1表示的化合物; 以及包含有机光电子器件的图像传感器。
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公开(公告)号：KR101512818B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020080099608
申请日：2008-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 개시된산화물반도체트랜지스터는산화물반도체로이루어진채널층과제1 게이트사이에형성되는제1 게이트절연막; 및채널층과제2 게이트사이에형성되는제2 게이트절연막;을포함하며, 상기제1 게이트절연막및 제2 게이트절연막은서로다른물질로이루어진다.
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公开(公告)号：KR101413655B1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020070123809
申请日：2007-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02631
Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관해 개시된다. 채널 층과 소스 전극 및 드레인 전극이 형성한 후 채널 층의 표면을 습식 산화제로 처리하여 채널 층 표면의 캐리어를 감소시킨다. 이러한 채널 층의 표면 산화처리에 따르면 자연적으로 발생하거나 공정 중에 발생한 채널 층 표면의 과잉 캐리어를 효과적으로 조절할 수 있다.
산화물, 반도체, 트랜지스터, 습식, 산화, 캐리어, 감소
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