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公开(公告)号：KR1020010016923A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990032145
申请日：1999-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/28518 , H01L21/28525 , H01L21/32053 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76877
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a contact structure of a semiconductor device is provided to improve a junction leakage current of an impurity layer and contact resistance when a contact hole exposes the impurity layer and an isolating layer adjacent to the impurity layer. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(57) is formed on a semiconductor substrate(51) having a lower interconnection. The interlayer dielectric is patterned to form a contact hole exposing a predetermined region of the lower interconnection. A conformal semiconductor layer having a profile of the contact hole is formed on the resultant structure having the contact hole. An ohmic metal layer is formed on the semiconductor layer. A heat treatment is performed regarding the ohmic metal layer so that the semiconductor layer and the ohmic metal layer react to generate a compound material layer. The unreacted ohmic metal layer in the heat treatment process is eliminated. A barrier metal layer is formed on the resultant structure in which unreacted ohmic metal layer is eliminated.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的接触结构的方法，以在接触孔暴露杂质层和与杂质层相邻的隔离层时，改善杂质层的结漏电流和接触电阻。 构成：在具有较低互连的半导体衬底（51）上形成层间电介质（57）。 图案化层间电介质以形成暴露下互连的预定区域的接触孔。 在具有接触孔的所得结构上形成具有接触孔轮廓的保形半导体层。 在半导体层上形成欧姆金属层。 对欧姆金属层进行热处理，使得半导体层和欧姆金属层发生反应以产生复合材料层。 消除了热处理工艺中未反应的欧姆金属层。 在其中消除未反应的欧姆金属层的所得结构上形成阻挡金属层。
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公开(公告)号：KR1019980006303A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960019629
申请日：1996-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
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公开(公告)号：KR1019950005272B1
公开(公告)日：1995-05-22
申请号：KR1019920013564
申请日：1992-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: The method uses a LOCOS (local oxidation of silicon) isolation process, and includes the steps of maintaining an N2 atmosphere during a temp. rising profile, a temp. falling profile and a low temp. stable profile of 600-700 deg.C and maintaining a wet oxidation atmosphere during a high temp. stable profile of 900-1100 deg.C, thereby forming a field oxide film using the theremal oxidation process cnditions to minimise the defects of silicon substrate.
Abstract translation: 该方法使用LOCOS（硅的局部氧化）隔离工艺，并且包括在温度下保持N 2气氛的步骤。 上升的气氛，温度 跌落轮廓和低温 稳定的外形为600-700摄氏度，在高温下保持湿氧化气氛。 稳定的分布为900-1100℃，由此形成一个场氧化膜，使用该氧化工艺过程，以最大限度地减少硅衬底的缺陷。
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公开(公告)号：KR1020150085218A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：KR1020140004859
申请日：2014-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F24F1/0033 , F24F13/14 , F24F13/18 , F24F13/24
Abstract: 본발명은보조송풍팬을사용하여사용자가원하는풍속으로운전가능한공기조화기에관한것이다. 공기조화기는본체, 본체내부로실내공기를흡입하는송풍팬, 흡입된실내공기와열교환하도록본체내부에배치되는열교환기, 열교환기와열교환된실내공기가본체의외부로빠져나가도록마련되는토출구, 토출구를통해빠져나가는실내공기의흐름을변경시킬수 있도록마련되는보조팬유닛을포함하고, 보조팬유닛은본체와별도의어셈블리로분리가능하게설치된다. 사용자의선택에따라토출공기를쾌적을느끼는낮은풍속으로제공하거나, 보조송풍팬을가동하여토출공기를빠른풍속으로제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种可以通过使用辅助鼓风风扇以期望的风速驱动的空调。 空调包括：一体; 鼓风机吸入室内空气进入体内; 布置在主体中以与吸入的室内空气进行热交换的热交换器; 与热交换器的室内空气交换热量向身体外部排出的出口; 以及辅助风扇单元改变通过所述出口排出的室内空气的流动，其中所述辅助风扇单元安装成可与额外组件分离。 本发明可以根据用户的选择或通过驱动辅助鼓风风扇来提供具有高风速的令人满意的低风速的排气。
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公开(公告)号：KR1020150010826A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020130084615
申请日：2013-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F28F1/003 , F24F1/0059 , F28D7/10 , F28F1/422 , F28F2001/428
Abstract: 본 발명은 내관의 외주면에 그루브 및 내주면에 리브가 형성된 이중관 열교환기와 그를 포함하는 공기조화기에 관한 것이다. 공기조화기는 냉매가스를 압축하여 토출하는 압축기, 압축기에서 토출되는 냉매가스를 냉매액으로 응축시키는 응축기, 응축기에서 응축된 냉매액을 팽창시키는 팽창밸브, 팽창밸브에서 팽창된 냉매액를 냉매가스로 증발시키는 증발기, 외관과 외관의 내부에 설치되는 내관을 포함하고, 외관에 흐르는 응축기에서 토출되는 냉매액과 내관에 흐르는 증발기에서 토출되는 냉매가스가 열교환하는 이중관 열교환기를 포함하고, 내관은 외주면에 홈을 형성하는 그루브와 내주면에 요철을 형성하는 리브가 마련된다. 내관의 외주면에 홈을 형성하는 그루브로 외관에 흐르는 냉매액의 흐름을 유도하고, 내관의 내주면에 요철형상을 형성하는 리브로 이중관 열교환기 및 공기조화기의 열교환 효율을 높일 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在内圆周表面上具有肋状物的双管式热交换器和内管的外周面上的槽以及具有该双层管道热交换器的空调装置。 所述空调机包括：压缩机，用于按压和排出制冷剂气体; 冷凝器，冷凝从压缩机排出的致冷剂气体作为制冷剂液体; 膨胀阀，用于膨胀在冷凝器中冷凝的制冷剂液体; 蒸发器，用于蒸发在膨胀阀中膨胀的制冷剂液体作为制冷剂气体; 以及双管式热交换器，其具有安装在外管内的外管和内管，并且进行从冷凝器排出的制冷剂液体的热交换，并且在从蒸发器排出的制冷剂气体的同时流入外管， 并在内管中流动。 此外，内管包括形成在凹部的外周面上的槽和在内周面中凹凸的肋。 在内管的外周面形成槽的槽能够引导在外管流动的制冷剂液体的流动，并且肋在内管的内周面形成凹凸形状 能够提高双管换热器和空调的热交换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120051419A
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020100112850
申请日：2010-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F17/21
CPC classification number: G06F17/227
Abstract: PURPOSE: An apparatus for extracting a CSS(Cascading Style Sheet) rule and a method thereof are provided to shorten times to extract a CSS rule by extracting a CSS rule applied to a Dom node based on identification marks included in an ID(Identification) list. CONSTITUTION: A generating unit(130) generates an ID(Identification) list including identification marks which are matched with a DOM(Document Object Model) node and a chooser. A rule extracting unit(150) selects a target DOM node from DOM nodes and extracts a CSS(Cascading Style Sheet) rule applied to the target DOM node based on identification marks included in the ID list. The generating unit includes an ID List generation unit(131) which generates the ID list matched with the DOM node whenever the DOM node is generated.
Abstract translation: 目的：提供一种用于提取CSS（级联样式表）规则的方法及其方法，以缩短时间以提取CSS规则，方法是根据包含在ID（识别）列表中的识别标记提取应用于Dom节点的CSS规则 。 构成：生成单元（130）生成包括与DOM（文档对象模型）节点和选择器匹配的识别标记的ID（识别）列表。 规则提取单元（150）从DOM节点中选择目标DOM节点，并且基于ID列表中包含的识别标记提取应用于目标DOM节点的CSS（级联样式表）规则。 生成单元包括ID列表生成单元（131），每当生成DOM节点时，生成与DOM节点匹配的ID列表。
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公开(公告)号：KR100219483B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960019629
申请日：1996-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/92
Abstract: 셀 어레이 영역과 주변회로 영역과의 단차를 적정하게 유지하면서 셀커패시턴스를 증대시킬 수 있는 원통형 구조의 소토리지 전극을 가지는 커패시터 제조방법이 개시되었다. 본 발명은 반도체 기판의 소정 영역을 노출시키는 제1 절연층 패턴 상에 콘택홀과 연결되는 동시에 상기 제1 절연층 패턴의 상부를 노출시키는 도전층 패턴을 형성하는 단계;
상기 도전층 패턴을 노출시키는 제2 절연층 패턴을 형성하는 단계;
상기 제2 절연층 패턴의 상부 표면보다 낮은 높이를 갖도록 상기 도전층 패턴을 식각하고, 상기 제2 절연층 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계;
상기 스페이서 및 제2 절연층 패턴을 식각 마스크로하여 원통형의 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및
상기 스토리지 전극이 형성된 결과물 전면에 유전막 및 플레이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100168403B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950050682
申请日：1995-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 셀 어드레이 영역과 주변회로 영역과의 단차를 적정하게 유지하면서 셀 커패시턴스를 증대시킬 수 있는 원통형 구조의 하부전극을 가지는 커패시터 제조방법이 개시되었다. 본 발명은 반도체 기판의 소정 영역을 노출시키는 평탄화층 패턴 및 제1 식각 저지층 패턴이 형성된 기판 전면에 도전막을 형성하고 상기 콘택홀의 상부에 형성된 도전막의 상의 소정 영역에 제2 식각 저지층 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 식각 저지층을 식각 마스크로하여 도전막 패턴을 형성하는 단계, 상기 도전막 패턴을 노출시키는 절연막 패턴을 형성하는 단계, 상기 절연막 패턴의 표면보다 낮은 높이를 갖도록 변형된 도전막 패텬을 형성하는 단계, 상기 절연막 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계, 및 하부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 넓은 유효 커패시터 면적을 가지는 원통형 하부 전극을 형성하므로써 셀 어레이 영역과 주변회로 영역과의 단차를 적정하게 유지하여 후속 공정 시의 패턴불량 및 단차 도포성을 좋게하는 동시에 셀 커패시턴스를 증대시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980012131A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960031195
申请日：1996-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335
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