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公开(公告)号：WO2018070648A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：PCT/KR2017/007942
申请日：2017-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 공기조화기는 하우징의 내부로 유입되는 공기와 열교환하는 열교환기와, 열교환기와 열교환된 공기를 하우징의 외부로 송풍하는 송풍팬을 포함하고, 하우징에 마련된 송풍구의 일부를 개폐하는 가이드 유닛을 제어하여 다양한 기류로 공기를 송풍할 수 있다.
Abstract translation:
空气调节器包括用于吹送空气流入壳体和热交换器的热交换器，热交换器与热交换后的空气向所述壳体的外侧的内部中的送风风扇，和打开和关闭所述空气出口的一部分设置在壳体上 通过控制导向单元，可以在各种气流中吹入空气。
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公开(公告)号：KR100175040B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950069743
申请日：1995-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 공정단순화를 실현한 고집적 반도체장치의 원통형 구조 캐패시터 제조방법에 대해 기재되어 있다. 본 발명에 의한 원통형 구조 캐피시터의 제조방법은, 트랜지스터가 형성된 반도체기판상에 소정두께의 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터의 소오스영역을 노출시켜 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성된 결과물 전면에 소정두께의 제1도전물질을 형성하는 단계와, 상기 제1도전물질에 대하여 소정의 사진식각공정을 실시함으로써, 스토리지전극 패턴을 형성하는 단계와, 상기 스토리지전극 패턴이 형성된 결과물 전면에 감광액을 코팅하는 단계와, 상기 감광액 전면에 대하여 에지 백 공정을 실시함으로써, 상기 스토리지전극 패턴의 표면을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 스토리지전극 패턴의 표면에 대하여 에치 백 공정을 실시하여, 그 표면이 상기 감광액 표면 보다 낮게 되도록 하는 단계와, 상기 감광액을 열처리하여 � ��플로우 시킴으로써 버섯모양의 감광액 패턴을 형성하는 단계와, 상기 버섯모양의 감광액 패턴을 적용하여 상기 스토리지전극 패턴을 이방성식각 함으로써 원통형 스토리지전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의한 고집적 반도체장치의 원통형 구조 캐패시터 제조방법에 의하면, 원통형 스토리지전극을 형성하기 위하여 종래에 사용된 시간식각 대신에 사진식각공정을 이용함으로써 공정을 단순화함과 동시에, 종래 구조와 동일한 캐패시턴스를 확보할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100161474B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950050683
申请日：1995-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L27/10873 , H01L27/10808
Abstract: 메모리 소자의 리프레쉬 특성을 개선하기 위한 플러그 이온주입 공정을 단순화 시킨 반도체 메모리 장치의 제조방법이 개시된다.
본 발명은 마스크 작업을 간략화한 한 번의 플러그 이온주입 공정으로 베리드 콘택 이온주입과 비트라인 콘택 이온주입을 실시한 것과 같은 효과를 가지는 메모리 소자를 제작할 수 있다. 또한, 셀 플러그 이온주입을 생략하고 스페이서 길이를 조절하여 접촉 저항의 개선을 유도한 후, 불순물이 도프된 패드 폴리의 단 한 번의 증착을 통하여 불순물 이온의 실리콘 기판으로의 확산과 접합 계면의 면 저항값을 조절함으로써 공정을 단순화함과 아울러 리프레쉬 특성을 개선할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019970054161A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950069743
申请日：1995-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 공정단순화를 실현한 고집적 반도체장치의 원통형 구조 캐패시터 제조방법에 대해 기재되어 있다. 본 발명에 의한 원통형 구조 캐피시터의 제조방법은, 트랜지스터가 형성된 반도체기판상에 소정두께의 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터의 소오스영역을 노출시켜 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성된 결과물 전면에 소정두께의 제1도전물질을 형성하는 단계와, 상기 제1도전물질에 대하여 소정의 사진식각공정을 실시함으로써, 스토리지전극 패턴을 형성하는 단계와, 상기 스토리지전극 패턴이 형성된 결과물 전면에 감광액을 코팅하는 단계와, 상기 감광액 전면에 대하여 에지 백 공정을 실시함으로써, 상기 스토리지전극 패턴의 표면을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 스토리지전극 패턴의 표면에 대하여 에치 백 공정을 실시하여, 그 표면이 상기 감광액 표면 보다 낮게 되도록 하는 단계와, 상기 감광액을 열처리하여 플로우 시킴으로써 버섯모양의 감광액 패턴을 형성하는 단계와, 상기 버섯모양의 감광액 패턴을 적용하여 상기 스토리지전극 패턴을 이방성식각 함으로써 원통형 스토리지전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의한 고집적 반도체장치의 원통형 구조 캐패시터 제조방법에 의하면, 원통형 스토리지전극을 형성하기 위하여 종래에 사용된 시간식각 대신에 사진식각공정을 이용함으로써 공정을 단순화함과 동시에, 종래 구조와 동일한 캐패시턴스를 확보할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102220818B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020140004859
申请日：2014-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은보조송풍팬을사용하여사용자가원하는풍속으로운전가능한공기조화기에관한것이다. 공기조화기는본체, 본체내부로실내공기를흡입하는송풍팬, 흡입된실내공기와열교환하도록본체내부에배치되는열교환기, 열교환기와열교환된실내공기가본체의외부로빠져나가도록마련되는토출구, 토출구를통해빠져나가는실내공기의흐름을변경시킬수 있도록마련되는보조팬유닛을포함하고, 보조팬유닛은본체와별도의어셈블리로분리가능하게설치된다. 사용자의선택에따라토출공기를쾌적을느끼는낮은풍속으로제공하거나, 보조송풍팬을가동하여토출공기를빠른풍속으로제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150085219A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：KR1020140004860
申请日：2014-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F24F1/0011 , F24F13/08 , F24F2221/54
Abstract: 본발명은운전모드에따라서로다른토출구를갖는공기조화기에관한것이다. 공기조화기는본체, 실내공기와열교환하도록배치되는열교환기, 열교환기의전면에위치하는냉방토출구, 열교환기의하부에위치하고냉방토출구와는별도로마련되는난방토출구를포함하고, 열교환기와열교환된실내공기는공기조화기의냉방운전시냉방토출구를통해본체의외부로토출되고, 공기조화기의난방운전시난방토출구를통해본체의외부로토출된다. 냉방운전과난방운전시서로다른토출구를통해조화된공기를토출하여각 운전모드에서최적의냉난방효과를얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种根据驾驶模式具有不同出口的空调。 空调包括：一体; 与室内空气交换热量的热交换器; 位于热交换器前部的冷却出口; 以及位于热交换器底部并与冷却出口分开布置的加热出口。 当空调器处于制冷运转时，与热交换器的室内空气交换热量通过冷却出口排出到本体的外部，并且当空调器处于加热运行时通过加热出口排出。 在制冷运转和制热运转中，空气通过不同的出口排出，从而在每种运行模式下都能获得最佳的空调和加热效果。
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公开(公告)号：KR100360396B1
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：KR1019990032145
申请日：1999-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/28518 , H01L21/28525 , H01L21/32053 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은반도체소자의콘택구조체를형성하는방법에관하여개시한다. 이방법은콘택홀이형성된반도체기판전면에반도체층, 오오믹금속층및 장벽금속층을차례로형성하고, 반도체층및 오오믹금속층을서로열적으로반응시키어콘택홀의바닥, 측벽및 하부코너에균일한화합물층을형성한다. 이에따라, 콘택홀이불순물층및 이와인접한소자분리층을노출시키는경우에불순물층의접합누설전류특성과아울러콘택저항을개선시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970052131A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950050683
申请日：1995-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 메모리 소자의 리프레쉬 특성을 개선하기 위한 플러그 이온주입 공정을 단순화 시킨 반도체 메모리 장치의 제조방법이 개시된다.
본 발명은 마스크 작업을 간략화한 한 번의 플러그 이온주입 공정으로 베리드 콘택 이온주입과 비트라인 콘택 이온주입을 실시한 것과 같은 효과를 가지는 메모리 소자를 제작할 수 있다. 또한, 셀 플러그 이온주입을 생략하고 스페이서 길이를 조절하여 접촉 저항의 개선을 유도한 후, 불순물이 도프된 패드 폴리의 단 한 번의 증착을 통하여 불순물 이온의 실리콘 기판으로의 확산과 접합 계면의 면 저항값을 조절함으로써 공정을 단순화함과 아울러 리프레쉬 특성을 개선할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020150010825A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020130084614
申请日：2013-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F28F1/003 , F28D7/10 , F28F1/422 , F28F2001/428
Abstract: 본 발명은 외관의 내주면에 나선형으로 형성된 요철구조를 포함하는 이중관 열교환기 및 그를 포함하는 공기조화기에 관한 것이다. 공기조화기는 냉매가스를 압축하여 토출하는 압축기, 압축기에서 토출되는 냉매가스를 냉매액으로 응축시키는 응축기, 응축기에서 응축된 냉매액을 팽창시키는 팽창밸브, 팽창밸브에서 팽창된 냉매액를 냉매가스로 증발시키는 증발기, 외관과 외관의 내부에 설치되는 내관을 포함하고, 외관에 흐르는 응축기에서 토출되는 냉매액과 내관에 흐르는 증발기에서 토출되는 냉매가스가 열교환하는 이중관 열교환기를 포함하고, 외관은 내주면에 외관을 흐르는 냉매액의 흐름을 유도할 수 있도록 나선형으로 형성된 요철구조가 마련된다. 외관의 내주면에 요철구조를 나선형으로 형성하여 외관을 흐르는 냉매의 흐름을 유도하여 열교환 효율을 높일 수 있고, 이중관 열교환기의 효율이 높아짐에 따라 공기조화기 전체 효율이 높아질 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及在外管的内周面上具有螺旋形状的凹凸结构的双管热交换器和包括该双管热交换器的空调机。 所述空调机包括：压缩机，用于按压和排出制冷剂气体; 冷凝器，冷凝从压缩机排出的致冷剂气体作为制冷剂液体; 膨胀阀，用于膨胀在冷凝器中冷凝的制冷剂液体; 蒸发器，用于蒸发在膨胀阀中膨胀的制冷剂液体作为制冷剂气体; 所述双管热交换器包括外管和内管，所述外管和内管安装在所述外管内部，并且从所述冷凝器排出的制冷剂液体与从所述蒸发器排出的制冷剂气体一起在所述外管中流动并流动到所述内管 。 此外，外管包括螺旋形的凹凸结构，以引起在内圆周表面上在外管中流动的制冷剂液体的流动。 本发明通过在外管的内周面上形成螺旋形的凹凸结构，引起在外管流动的制冷剂的流动而提高热交换效率的效果。 双管式热交换器的效率提高，可以提高空调的整体效率。
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