公开(公告)号：KR101490109B1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020080097406

申请日：2008-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 홍승훈 ,  명성 ,  임지운 ,  이민백

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

Abstract: 반도체 소자와 그의 제조 및 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 서로 다른 나노구조체들을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 소자는 나노와이어(nanowire)로 형성된 제1구성요소와 나노파티클(nanoparticle)로 형성된 제2구성요소를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 나노와이어는 양극성(ambipolar)의 탄소나노튜브(carbon nanotube)일 수 있다. 상기 제1구성요소는 채널층일 수 있고, 제2구성요소는 전하트랩층일 수 있는데, 이 경우, 상기 반도체 소자는 트랜지스터나 메모리 소자일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140123394A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：KR1020130087089

申请日：2013-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 임태규 ,  한보형 ,  한준희 ,  홍승훈 ,  곽한탁 ,  박성범 ,  심우성

IPC: G06T7/00 ,  H04N5/232

CPC classification number: G06K9/00369 ,  G06K9/4652 ,  G06T7/194 ,  G06T7/344

Abstract: An imaging apparatus is disclosed. The imaging apparatus comprises: an image unit for photographing an external image; an area decision unit for dividing photographed previous and current image frames into multiple areas, and calculating a moving direction and a distance of each area of the current image frame corresponding to each area of the previous image frame, and determining a background and an object by applying predetermined background and object models based on the calculated moving directions and the distances; and a posture estimation unit for identifying body parts of the decided object based on a body part model, and determining a posture of the object by combining the identified body parts. As a result, the imaging apparatus can distinguish a background and an object of an image frame in various environments and can identify a posture of an object.

Abstract translation: 公开了一种成像装置。 成像装置包括：用于拍摄外部图像的图像单元; 区域决定单元，用于将拍摄的先前和当前图像帧分割成多个区域，并且计算与先前图像帧的每个区域对应的当前图像帧的每个区域的移动方向和距离，并且通过以下步骤确定背景和对象 基于计算的移动方向和距离来应用预定的背景和对象模型; 以及姿势估计单元，用于基于身体部位模型识别所决定的对象的身体部位，以及通过组合所识别的身体部位来确定对象的姿势。 结果，成像装置可以在各种环境中区分图像帧的背景和对象，并且可以识别对象的姿势。

公开(公告)号：KR1020110097444A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017291

申请日：2010-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이은홍 ,  홍승훈 ,  김언정 ,  이형우 ,  명성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/102 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105 ,  H01L29/42312 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/41725

Abstract: 반도체 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 나노 와이어를 지닌 채널과 나노 파티클을 지닌 전하 저장층을 포함할 수 있으며, 전하 저장층 상에는 제 1게이트 및 제 2게이트를 포함하는 트윈 게이트 구조가 형성된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 소자는 메모리 소자 또는 다이오드일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110071737A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090128381

申请日：2009-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  김병주 ,  이문숙

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G01N27/4145 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/47

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a sensor based the same are provided to easily control a Schottky barrier by forming an electrode which is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. CONSTITUTION: In a field effect transistor and a sensor based the same, a semiconductor channel is formed on a substrate. The semiconductor channel is comprised of a nanowire and a nanotude. A source electrode(121) and a drain electrode(122) are formed in the both ends of semiconductor channel. A third electrode(130) is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. A source electrode, a drain electrode, and a third electrode are parallel with each other while having a certain interval between them.

Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管和基于此的传感器，以通过形成与半导体表面接触形成肖特基势垒的电极来容易地控制肖特基势垒。 构成：在场效应晶体管和基于此的传感器中，在衬底上形成半导体沟道。 半导体通道由纳米线和纳米线构成。 在半导体通道的两端形成源电极（121）和漏电极（122）。 第三电极（130）与半导体的表面接触以形成肖特基势垒。 源电极，漏电极和第三电极在它们之间具有一定间隔时彼此平行。